목차 일부

第1章 固體物性의 基礎
 1. 波動方程式과 量子力學의 槪要 ... 3
  1.1 Bohr의 古典量子論과 水素原子 모델 ... 3
  1.2 光 및 物質의 粒子性과 波動性 ... 5
  1.3 Schr$$\ddot o$$dinger 波動方程式 ... 6
  1.4 水素模樣 原子의 波動方程式과 固有狀態 ... 11
  1.5 攝動論(perturbation th...

더보기

목차 전체

第1章 固體物性의 基礎
 1. 波動方程式과 量子力學의 槪要 ... 3
  1.1 Bohr의 古典量子論과 水素原子 모델 ... 3
  1.2 光 및 物質의 粒子性과 波動性 ... 5
  1.3 Schr$$\ddot o$$dinger 波動方程式 ... 6
  1.4 水素模樣 原子의 波動方程式과 固有狀態 ... 11
  1.5 攝動論(perturbation theory) ... 15
 2. 統計力學의 槪要 ... 19
 3. 原子力間과 固體의 形成 ... 24
 演習問題 ... 30
第2章 固體의 原子論
 4. 結晶構造 ... 35
  4.1 結晶과 對稱性 ... 35
  4.2 逆格子 ... 40
 5. 格子에 의한 波動의 回折 ... 42
  5.1 Bragg의 法則과 Laue回折條件 ... 43
  5.2 X線回折의 實驗方法 ... 46
 6. 格子缺陷 ... 47
  6.1 格子缺陷의 種類 ... 47
  6.2 原子의 擴散 ... 50
 7. 格子振動과 phonon ... 53
  7.1 連續體中의 音波의 傳播 ... 53
  7.2 1次元 單原子格子의 振動 ... 54
  7.3 1次元 2原子格子의 振動 ... 55
 8. 格子比熱과 熱傳導 ... 59
  8.1 格子比熱 ... 59
  8.2 格子比熱의 Einstein 模型 ... 60
  8.3 熱傳導 ... 62
 演習問題 ... 65
第3章 固體의 電子論
 9. 自由電子論 ... 69
  9.1 1次元의 自由電子 ... 69
  9.2 3次元의 自由電子 ... 72
  9.3 電氣傳導 ... 75
  9.4 電子比熱과 熱傳導率 ... 78
 10. 周期 Potential과 Bloch定理 ... 79
  10.1 Bloch 定理 ... 80
  10.2 Kronig Penney ... 82
 11. Energy 帶 model ... 86
  11.1 거의 自由로운 電子의 近似 ... 86
  11.2 强하게 束縛되어진 電子의 近似 ... 92
 12. Brillouin帶域(Brillouin zone) ... 98
 13. 周期場內 電子와 有效質量 ... 101
 14. Energy 狀態密度 ... 104
 15. 固體의 電氣傳導와 正孔 ... 107
  15.1 電氣傳導와 正孔 ... 107
  15.2 導體, 絶緣體, 그리고 眞性半導體 ... 109
  15.3 Donor 와 Acceptor ... 110
 연습문제 ... 113
第4章 半導體의 電氣物性
 16. 熱平衡 電子分布 ... 117
  16.1 眞性半導體 ... 118
  16.2 不純物半導體 ... 121
 17. Carrier散亂機構와 Hall效果 ... 125
  17.1 音響 phonon에 의한 散亂 ... 126
  17.2 광학 Phonon에 의한 散亂 ... 130
  17.3 Ion화 不純物에 依한 散亂 ... 130
  17.4 Hall效果 ... 134
 18. Boltzmann輸送方程式과 電氣傳導 ... 136
 19. 磁氣抵抗效果 ... 142
 20. 半導體의 Enegy 帶 構造 ... 143
 21. 少數Carrier의 注入과 再結合 ... 148
  21.1 소수carrier의 주입과 擬Fermi 準位 ... 148
  21.2 過剩少數carrier의 連續式과 擴散 ... 149
  21.3 再結合과 Shockley-Read 模型 ... 153
 22. 高電界現象 ... 159
  22.1 Photoelectron ... 159
  22.2 衝突電離와 電子沙汰 ... 162
  22.3 Zener 效果 ... 167
  22.4 固體 Plasma ... 168
 23. 强磁場中의 物性 ... 169
 24. 空間電荷 制限轉流 ... 170
 演習問題 ... 175
第5章 半導體의 光物性
 25. 半導體와 電磁波의 相互作用 ... 185
 26. 半導體와 光吸收 ... 187
  26.1 半導體에 의한 光吸收의 分類 ... 187
  26.2 自由캐리어 吸收 ... 188
  26.3 帶間遷移에 있어서 選擇法則 ... 190
  26.4 直接遷移吸收 ... 192
  26.6 勵起子 吸收 ... 198
 27. 光學的帶端과 電子帶 構造 ... 200
 28. 光傳導效果 ... 203
 29. 光起電力 效果 ... 205
  29.1 Dember 效果 ... 205
  29.2 PEM(Photo-Electro-Magnetic) 效果 ... 206
  29.3 界面電場에 의한 光起電力效果 ... 208
 30. 半導體에서의 發光 ... 209
  30.1 輻射再結合과 非輻射再結合 ... 209
  30.2 輻射再結合과 光吸收의 關係 ... 211
  30.3 Photoluminescence ... 213
  30.4 Isoelectronic trap ... 214
 31. 非線形光學 現象 ... 216
  31.1 Pockel 效果와 Kerr 效果 ... 217
  31.2 2倍 高周波 發生 ... 220
 32. 高電界下의 光物性 ... 222
  32.1 帶間遷移와 Franz Keldysh 效果 ... 222
  32.2 Electro-optical 效果 ... 224
  32.3 Moseley John Spectroscopy ... 226
 演習問題 ... 229
第6章 半導體의 Phonon物性
 33. 熱傳導率 ... 235
 34. 熱電效果 ... 237
  34.1 Seebeck效果 ... 237
  34.2 Peltier效果 ... 240
 35. 音響電氣效果와 超音波增幅 ... 242
 36. 半導體의 壓力效果 ... 247
  36.1 壓電效果 ... 247
  36.2 에너지대 壓力效果와 piezo抵抗效果 ... 251
 演習問題 ... 253
第7章 半導體의 界面物性
 37. 半導體表面의 特質 ... 261
 38. 半導體의 表面(淸淨表面과 實際의 表面) ... 261
 39. p-n 接合 ... 265
  39.1 p-n 接合의 Energy band 圖 ... 265
  39.2 p-n 接合의 遷移領域과 堰層容量 ... 268
  39.3 p-n 接合의 擴散電流 ... 277
  39.4 p-n 接合의 過剩電流 ... 277
  39.5 p-n 接合의 高電界 現象 ... 281
 40. Heterojunction ... 288
  40.1 Hetero 接合 ... 288
  40.2 Hetero接合의 堰層 ... 291
  40.3 Hetero 接合堰層의 特徵 ... 294
 41. 金屬 - 半導體界面 ... 295
  41.1 金屬表面과 Schottky效果 ... 295
  41.2 Schottky 障壁 ... 299
  41.3 Schottky障壁의 整流特性 ... 302
  41.4 半導體와 ohm性 接觸 ... 304
 42. 半導體 - 誘電體 界面 ... 305
 43. 結晶粒界 ... 310
 演習問題 ... 313
第8章 半導體 素子와 物性
 44. SBD(쇼트키 장벽 다이오드) ... 319
 45. 제너 다이오드와 에사키 다이오드 ... 322
 46. 바이폴러 트랜지스터(bipolar transistor) ... 327
  46.1 트랜지스터 作用 ... 327
  46.2 접합 트랜지스터(juction transistor)의 원리와 정특성 ... 328
  46.3 動作特性과 $$α^*$$, β, γ ... 332
  46.4 α 遮斷周波數와 性能指數 ... 334
  46.5 드리프트 트랜지스터 ... 338
 47. 사이리스터 ... 340
  47.1 사이리스터와 그 種類 ... 340
  47.2 SCR의 動作原理와 電壓 - 電流 特性 ... 341
 48. 유티플러 트랜지스터 ... 345
  48.1 電氣場 效果 트랜지스터의 原理 ... 345
  48.2 接合 게이트形 電氣場 效果 트랜지스터 ... 345
  48.3 絶緣 게이트形 電氣場 效果 트랜지스터 ... 348
 49. 電荷傳送素子 ... 353
  49.1 CCD ... 354
  49.2 BBD ... 359
 50. MOS 記憶素子 ... 359
  50.1 半導體 不揮發性 메모리 ... 359
  50.2 MNOS 記憶素子 ... 361
 51. 走行時間素子(transit time devices) ... 364
 52. Transferred Electron 素子6) ... 369
  52.1 계곡간 轉移와 負性 微分 移動度 ... 369
  52.2 高電氣場 領域과 電流 振動 ... 371
  52.3 마이크로파 發振素子 ... 373
  52.4 機能論理素子 ... 375
 演習問題 ... 380
第9章 光電素子와 特性
 54. 광검출기(photo-detectors) ... 385
  54.1 광전도소자 ... 385
  54.2 포토다이오드 ... 389
  54.3 고속 포토다이오드 ... 393
  54.4 太陽電池 ... 395
 55. 반도체발광소자 ... 400
  55.1 주입형 Electroluminescence ... 400
  55.2 발광 다이오드 LED ... 404
  55.3 반도체 레이저 ... 408
  55.4 眞性 구미네슨스 및 그 素子 ... 416
 56. Brillouin散亂과 光偏向 素子 ... 419
第10章 Amorphous半導體의 特性
 57. 아마퍼스 半導體의 特質 ... 425
 58. 반도체로서의 기본적 성질 ... 427
 59. 아마퍼스 半導體의 狀態密度 ... 429
 60. 아마퍼스 반도체의 전기적 성질 ... 431
  60.1 이동도 갭과 띠전도 이동도 ... 431
  60.2 國在準位를 통한 캐리어 輸送 ... 433
  60.3 고전기장 현상 ... 437
 61. 아마퍼스 반도체의 광학적 성질 ... 441
 62. 가역적 상전이 ... 444
 63. 내부 축적 에너지와 그 특성 변화 ... 446
問題解答 및 Hint ... 451

더보기 닫기