1. 반도체 결정 구조와 밴드 구조
 1.1 다이아몬드 구조 ... 1
 1.2 Brillion 영역(Zone) ... 4
  a. 역격자 ... 4
  b. Brillouin 영역 ... 6
 1.3 Bloch의 정리 ... 7
 1.4 NFE 근사 ... 11
 1.5 슈도퍼텐셜(Pseudopotential) ... 15
 1.6 광반사와 Van Hove 특이점 ... 19
 1.7 밴드 구조의 群論的 성질 ... 23
 1.8 밴드 구조의 실제 ... 23
 1.9 상태 밀도와 광전자 스펙트럼 ... 33
  a. 반도체의 상태 밀도 ... 33
2. 반도체의 격자 진동
 2.1 1차원 격자 진동 ... 39
 2.2 3차원 결정의 격자 진동 ... 42
 2.3 다이아몬드형 및 섬아연형 결정의 분산 관계 ... 44
 2.4 포논(phonon) ... 47
 2.5 분산 관계의 측정 ... 50
  a. 중성자의 비탄성 산란 ... 50
  b. Raman 산란 ... 51
3. 전기 전도와 Hall 효과
 3.1 유효 해밀토니안 ... 55
 3.2 일정한 자기장 내의 전자의 운동 ... 59
  a. 속도, 가속도, 유효질량, 상태밀도 ... 59
 3.3 正孔 ... 63
 3.4 眞性 半導體와 不純物 半導體 ... 65
 3.5 전하 운반체에 열평형 분포 ... 68
  a. 진성 반도체 ... 68
  b. 불순물 반도체 ... 72
  c. 보상이 있을 경우 ... 75
  d. 축퇴 반도체 ... 78
 3.6 Boltazmann 방정식 ... 79
  a. 직류, 자기장이 0인 경우 ... 82
  b. 자기장이 있을 경우 ... 84
  c. 싸이클로트론 공명 ... 90
 3.7 Ge 단결정에 대한 측정 ... 91
 3.8 易動度 ... 95
  b. 이온화 불순물에 의한 산란 ... 96
  c. 중성 불순물에 의한 산란 ... 97
4. 에너지면
 4.1 k, p 섭동법 ... 99
  a. 축퇴된 경우 ... 101
  b. 좁은 갭(Narrow Gap)의 경우 ... 102
 4.2 Si, Ge 의 전도대 에너지면 ... 104
 4.3 Si, Ge 의 가전자대의 에너지면 ... 110
 4.4 싸이클로트론 공명의 양자 효과 ... 118
 4.5 화합물 반도체의 싸이클로트론 공명 ... 123
5. 반도체의 광학적 성질
 5.1 밴드 사이의 광학 전이 ... 129
 5.2 간접 전이 ... 137
 5.3 엑시톤 흡수 ... 141
 5.4 變調分光 ... 143
 5.5 자기광 흡수 ... 144
 5.6 폴라리톤(polariton) ... 152
  a. 자유 캐리어에 의한 광 흡수 ... 152
  b. 포논 폴라리톤 ... 156
  c. 포논 플라즈마 폴라리톤 ... 160
6. 불순물 상태
 6.1 Si, Ge의 얕은 도너(donner) ... 167
 6.2 화합물 반도체의 얕은 도너 ... 176
 6.3 Si와 Ge의 얕은 억셉터 ... 180
 6.4 화합물 반도체의 얕은 억셉터 ... 188
 6.5 깊은 불순물 준위(이론) ... 189
 6.6 깊은 불순물 준위(실험) ... 197
 6.7 Isoelectronic trap ... 201
7. 전자 - 격자 상호 작용
 7.1 변형 퍼텐셜 형태의 상호작용 ... 207
 7.2 광학적 포논의 극성 상호 작용 ... 213
 7.3 압전형 상호 작용 ... 218
 7.4 Si와 Ge의 이동도 ... 223
 7.5 III - V 화합물의 이동도 ... 225
 7.6 폴라론 ... 229
8. 소수 캐리어의 주입
 8.1 반도체와 금속과의 접촉(Schottky 접합) ... 237
 8.2 p - n 접합 ... 241
 8.3 p - n 접합의 정류 특성 ... 246
 8.4 p - n 접합의 정전 용량 ... 251
 8.5 소수 캐리어의 주입 ... 252
9. 반도체 소자
 9.1 트랜지스터 ... 255
 9.2 전기장효과 트랜지스터(FET) ... 258
 9.3 포토 다이오드와 발광소자(LED) ... 260
 9.4 반도체 레이저 ... 263
찾아 보기 ... 273