1 전자재료의 발전 ... 1
   연습문제 ... 4
2 실리콘의 정제 ... 5
   2.1 정제 ... 5
      2.1.1 증류 ... 6
      2.1.2 융해 ... 6
      2.1.3 용해 ... 6
      2.1.4 응고 ... 7
      2.1.5 전기분해 ... 7
      2.1.6 이온교환 ... 7
      2.1.7 흡착 ... 8
      2.1.8 확산 ... 8
   2.2 대용융 ... 8
      2.2.1 편석계수 ... 9
      2.2.2 일방향 고화 ... 10
      2.2.3 대용융정제 ... 15
      2.2.4 존 레벨링 ... 18
      2.2.5 부유대용융법 ... 20
      2.2.6 화합물의 대용융 ... 21
   2.3 재료정제의 구체적인 예 ... 21
      2.3.1 실리콘 ... 21
   연습문제 ... 24
3 실리콘 다결정의 분석 ... 29
   3.1 습식화학분석 ... 30
   3.2 발광 분광분석 ... 32
      3.2.1 정성분석 ... 35
      3.2.2 정량분석 ... 36
   3.3 광흡수 분석 ... 38
      3.3.1 Lambert-Beer의 법칙 ... 39
      3.3.2 원자 흡광 분광분석 ... 39
   3.4 발광 X선 분광분석 ... 41
   3.5 전자조사 X선 마이크로 분석 ... 42
   3.6 Auger 전자 분광법에 의한 분석 ... 47
   3.7 광전자 분광법에 의한 분석 ... 49
   3.8 질량분석법(mass spectrometry) ... 51
   3.9 방사화 분석(radio-activation analysis) ... 55
   연습문제 ... 59
4 실리콘 단결정의 성장 및 평가 ... 63
   4.1 단결정 성장 ... 64
   4.2 단결정의 성장기구 ... 65
      4.2.1 Kossel 기구 ... 66
      4.2.2 결정핵의 형성 ... 67
      4.2.3 Frank 기구 - 나선전위(screw dislocation)를 갖는 준완전 결정의 성장 ... 68
   4.3 여러 종류의 단결정 성장법 ... 69
      4.3.1 기상으로부터의 성장 ... 69
      4.3.2 액상에서의 성장(융액에서의 성장) ... 72
      4.3.3 액상으로부터의 성장(용액으로부터의 성장) ... 76
   4.4 단결정 성장의 실제 ... 79
      4.4.1 인상법(Czochralski법 : CZ법)에 의한 Si 단결정 제작 ... 79
      4.4.2 부유대용융법(floating zone : FZ법)에 의한 Si 단결정의 제작 ... 83
      4.4.3 Si 리본결정 ... 84
      4.4.4 GaP의 인상 ... 86
      4.4.5 GaAs의 용액성장 ... 87
      4.4.6 분자선 에피택시 ... 89
   4.5 결정의 평가 ... 91
      4.5.1 격자결함 ... 93
      4.5.2 격자결함의 관찰방법 ... 101
      4.5.3 X선 topography ... 103
   연습문제 ... 109
5 확산에 의한 도핑 ... 111
   5.1 결정 성장시 불순물의 도입 ... 111
      5.1.1 상태도와 고용도 ... 112
      5.1.2 단결정이 될 수 있는 불순물 첨가한도 ... 114
   5.2 확산 ... 114
      5.2.1 확산현상 ... 114
      5.2.2 확산의 기초 미분 방정식 ... 115
      5.2.3 확산 기초 방정식의 풀이 ... 117
      5.2.4 확산계수의 온도 의존성 ... 119
      5.2.5 확산계수의 농도 의존성 ... 120
      5.2.6 확산계수의 측정 ... 122
      5.2.7 확산 기술 ... 126
   연습문제 ... 129
6 이온주입에 의한 도핑 ... 131
   6.1 이온주입 ... 131
      6.1.1 이온주입법 ... 131
      6.1.2 이온주입의 기초현상 ... 132
      6.1.3 반도체의 이온주입 ... 140
      6.1.4 공정 기술로서의 이온주입 ... 149
   6.2 불순물 첨가층의 평가 ... 156
      6.2.1 표면으로부터의 측정 ... 156
      6.2.2 층마다의 측정 ... 158
      6.2.3 면 내의 균일성 ... 160
   연습문제 ... 162
7 실리콘 산화막의 형성 ... 165
   7.1 전자 디바이스에 있어서의 절연막의 이용 ... 166
   7.2 물질의 산화현상 ... 168
   7.3 Si의 산화 ... 171
      7.3.1 Si표면의 고온산화 ... 171
      7.3.2 Si의 산화 기구 ... 174
      7.3.3 산화에 있어서 불순물의 존재 및 결정축의 효과 ... 176
      7.3.4 특수한 산화법 ... 179
   연습문제 ... 182
8 절연박막의 제작 및 평가 ... 185
   8.1 박막의 제작 및 평가법 ... 185
      8.1.1 기상 화학반응법 ... 186
      8.1.2 물리적 방법에 의한 퇴적법 ... 193
   8.2 절연막의 특성과 평가 ... 198
      8.2.1 막의 두께 측정 ... 198
      8.2.2 막의 구조적 성질의 평가 ... 203
   연습문제 ... 211
9 에칭 ... 213
   9.1 에칭의 기본적 사항 ... 214
      9.1.1 에칭 속도 ... 214
      9.1.2 에칭의 선택성 ... 214
      9.1.3 에칭 후의 현상 ... 215
      9.1.4 에칭 후처리 ... 216
   9.2 습식(화학)에칭 ... 217
      9.2.1 기계가공에 의한 변형층의 제거법 ... 217
      9.2.2 에치피트 관찰용 에칭 ... 218
      9.2.3 결정면 선택 에칭 ... 221
      9.2.4 접합구조의 관찰에 사용되는 에칭 ... 221
   9.3 광에칭 ... 222
      9.3.1 개요 ... 222
      9.3.2 에칭의 정밀도와 형태의 제어 ... 225
   9.4 건식에칭 ... 227
      9.4.1 건식에칭의 종류 ... 227
      9.4.2 건식에칭의 특징 ... 230
   연습문제 ... 236
10 전자소자의 제조공정 ... 239
   10.1 노광기술 ... 239
      10.1.1 일괄처리 공정 ... 239
      10.1.2 노광공정 ... 241
      10.1.3 새로운 노광기술 ... 250
   10.2 접합 형성법 ... 252
      10.2.1 접합의 설계 ... 252
      10.2.2 집합형성상 유의해야할 사항 ... 255
   10.3 전극과 배선 ... 258
      10.3.1 금속과 반도체의 접촉 ... 258
      10.3.2 전극의 형성 ... 260
      10.3.3 전극의 신뢰성 ... 265
      10.3.4 조립 ... 265
   10.4 집적화 기술 ... 268
      10.4.1 수율(Yield)과 최적 집적도 ... 268
      10.4.2 설계기술 ... 270
      10.4.3 집적화의 구조 ... 272
      10.4.4 집적화 가공공정의 예 ... 276
   10.5 공정 환경 ... 279
      10.5.1 결함과 먼지 ... 279
      10.5.2 무진실 ... 280
      10.5.3 청정도의 측정 ... 282
      10.5.4 증류수 ... 283
      10.5.5 약품, 가스의 순도 ... 284
   연습문제 ... 284
부록 ... 287
   부록1 ... 287
   부록2 ... 290
   부록3 ... 291
   부록4 ... 295
   부록5 ... 297
   부록6 ... 301
   부록7 ... 307
찾아보기 ... 309