목차
제1장 半導體의 基本物性 ... 11
1-1 結成構造 ... 11
1-2 固體의 價電子結合모델 ... 15
1-3 有效質量과 에너지 밴드의 槪念 ... 16
1-4 半導體에서의 自由캐리어濃度 ... 22
1-4-1 에너지와 狀態密度 ... 22
1-4-2 分布函數 ... 24
1-4-3 平衡캐리어密度 ... 25
1-5 眞性半導體와 不純物半導體 ... 28
1-6 電子 및 正孔의 散亂과 드리프트 ... 33
1-7 半導體에서의 傳導電流와 擴散電流 ... 39
1-7-1 電氣傳導 ... 39
1-7-2 擴散 ... 41
제2장 半導體의 非平衡狀態特性 ... 46
2-1 캐리어의 發生,再結合 및 注入 ... 46
2-2 캐리어의 注入레벨 ... 48
2.3 再結合메카니즘 ... 49
2-3-1 直接再結合 ... 49
2-3-2 間接再結合 ... 51
2-4 過渡期 再結合應答 ... 55
2-5 表面再結合 ... 56
2-6 靜電界와 電位 ... 58
2-7 非均質性 半導體와 對入電界 ... 60
2-8 準페르미準位 ... 61
2-9 半導體를 지배하는 기본적인 式 ... 63
제3장 素子의 製造技術 ... 69
3-1 基板의 準備와 接合形式 ... 70
3-2 플래나技術 ... 73
3-3 固體不純物擴散 ... 74
3-3-1 前附着 ... 78
3-3-2 內部擴散 ... 81
3-3-3 金鑛散 ... 82
3-4 에피택셜成長 ... 83
3-5 熱醇化 ... 87
3-6 醇化膜과 窒化膜매스크 ... 92
3-7 이온注入法 ... 95
3-8 不純物도우핑層의 特性 ... 100
3-8-1 시이트抵抗 ... 101
제4장 p-n接合 ... 107
4-1 平衡狀態의 p-n接合 ... 108
4-2 空乏近似法 ... 112
4-3 p-n接合의 바이어스 ... 114
4-4 少數캐리어의 注入과 輸送 ... 117
4-4-1 接合境界에 있어서 少數캐리어濃度 ... 118
4-4-2 空間電荷效果와 擴散近似法 ... 119
4-5 直流電流-電壓特性 ... 120
4-6 空間電荷領域 내에서의 再結合과 發生電流 ... 125
4-7 터널電流 ... 127
4-8 V-I特性의 溫度依存性 ... 131
4-9 小信號交流解析 ... 132
4-10 遷移容量,不純物分布形成 및 바랙터 ... 134
4-11 電荷蓄積과 逆過渡現象 : 段階回復다이오우드 ... 139
4-12 p-n接合에서 電子沙汰隆伏現象 ... 144
제5장 金屬-半導體接合 ... 154
5-1 쇼트키障壁의 에너지 밴드 다이어그램 ... 155
5-2 電流-電壓特性 ... 160
5-3 影像力에 의한 障壁높이의 低下 ... 165
5-4 金屬-絶緣體-半導體쇼트키 다이오우드 ... 166
5-5 쇼트키障壁과 p-n接合다이오우드의 比較 ... 167
5-6 오믹接觸 : 非整流性 M-S接合 ... 169
5-7 쇼트키障壁다이오우드의 構造 ... 171
5-8 쇼트키障壁다이오우드의 應用 ... 172
5-8-1 쇼트키障壁 檢波器 또는 믹서 ... 172
5-8-2 쇼트키障壁 클램프型 트랜지스터 ... 174
5-9 異種接合 ... 174
6장 太陽電池와 發光다이오우드 ... 181
6-1 半導體에 있어서 光吸收現象 ... 181
6-2 光起電力效果와 太陽電池의 效率 ... 184
6-3 光電流와 蒐集效率 ... 188
6-4 材料의 選擇과 設計上의 고려사항 ... 191
6-4-1 太陽의 스펙트럼 ... 191
6-4-2 最大電力 ... 193
6-4-3 直列抵抗 ... 194
6-4-4 表面反射 ... 195
6-4-5 價格 ... 195
6-5 쇼트키障壁과 MIS太陽電池 ... 196
6-6 p-n接合에 의한 빛의 發生 : 發光다이오우드(LED) ... 198
6-7 少數캐리어注入과 注入效率 ... 199
6-8 內部光電效果 ... 201
6-9 外部量子效果 ... 203
6-10 눈의 感度와 輝度 ... 207
6-11 材料 ... 208
6-11-1 GaAs다이오우드 ... 208
6-11-2 GaP LED ... 210
6-11-3 GaA s1 -x $$P_xLED ... 212
제7장 接合形電界效果트랜지스터 ... 220
7-1 槪要 ... 20
7-2 JEET의 理論 ... 222
7-3 靜特性 ... 225
7-3-1 線型領域 ... 226
7-3-2 飽和領域 ... 226
7-3-3 게이트漏搜電流 ... 227
7-3-4 隆伏電壓 ... 228
7-3-5 直列抵抗 ... 228
7-4 小信號파라미터와 等價回路 ... 229
7-5 遮斷周波數 ... 231
7-6 쇼트키障壁 FET ... 232
7-7 핀치오프點 이상에서 JEET의 動作 ... 233
제8장 金屬-酸化膜-半導體(MOS)트랜지스터 ... 237
8-1 理想的인 MOS構造에 있어서 表面空間電荷領域 ... 238
8-1-1 캐리어蓄積 ... 240
8-1-2 캐리어空乏 ... 241
8-1-3 캐리어反轉 ... 242
8-2 MOS콘덴서 ... 244
8-3 채널 콘덕턴스 ... 246
8-4 플랫-밴드電壓과 드레시호울드電壓 ... 248
8-5 表面準位와 酸化膜에서의 電荷 ... 253
8-6 MOS트랜지스터의 靜特性 ... 255
8-6-1 動作의 線型領域 ... 256
8-6-2 飽和領域 ... 258
8-6-3 遮斷領域 ... 259
8-7 小信號파라미터等價回路 ... 260
8-7-1 遮斷周波數 ... 261
8-8 基板바이어스의 效果 ... 262
8-9 製作技術 ... 263
8-9-1 p-채널工程 ... 264
8-9-2 실리콘-게이트技術 ... 265
8-9-3 이온注入工程 ... 267
8-9-4 n-채널工程 ... 268
8-10 기타FET ... 268
제9장 바이폴라接合트랜지스터 ... 273
9-1 트랜지스터作用 ... 274
9-2 電流利得과 電流-電壓特性 ... 277
9-3 電流成分과 利得式의 誘導 ... 280
9-4 에버스-몰式 ... 285
9-5 傾斜狀 베이스 트랜지스터 ... 288
9-6 베이스擴散抵抗과 電流集中效果 ... 290
9-7 트랜지스터의 周波數應答 ... 292
9-7-1 베이스走行時間 ... 294
9-7-2 에미터遷移容量充電時間 ... 295
9-7-3 콜렉터空乏層走行時間 ... 295
9-7-4 콜렉터容量充電時間 ... 296
9-8 하이브리드-π型 等價回路 ... 297
9-9 스위치로서의 트랜지스터 ... 299
9-9-1 遲延時間 ... 301
9-9-2 上昇時間과 下降時間 ... 302
9-9-3 蓄積時間 ... 302
9-10 降伏電壓 ... 304
9-10-1 베이스共通形式 ... 305
9-10-2 에미터共通形式 ... 305
9-10-3 펀치-드루우降伏 ... 306
9-11 p-n-p-n다이오우드 ... 307
9-12 실리콘 制御整流器 ... 311
9-13 雙方向p-n-p-n스위치 ... 313
제10장 集積回路 ... 320
10-1 바이폴라集積素子의 分離技術 ... 321
10-1-1 接合分離 ... 321
10-1-2 絶緣物分離方法 ... 324
10-1-3 接合-絶緣物分離 ... 325
10-2 集積바이폴라 트랜지스터 ... 327
10-3 複合트랜지스터構造 ... 330
10-4 橫型 p-n-p트랜지스터 ... 332
10-5 I2 L ... 334
10-6 MOS인버어터 ... 337
10-6-1 線型抵抗負荷 ... 337
10-6-2 飽和 MOS負荷 ... 338
10-6-3 非飽和 MOS負荷 ... 339
10-6-4 디플리이션 MOS負荷 ... 341
10-7 相補型 MOS(CMOS) 인버어터 ... 342
10-8 D-MOS와 V-MOS트랜지스터 ... 343
10-9 不揮發性 MIS메모리素子 : MNOS와 FAMOS構造 ... 347
10-9-1 MNOS트랜지스터 ... 348
10-9-2 FAMOS트랜지스터 ... 351
제11장 電荷輸送素子 ... 357
11-1 電荷輸送의 槪念 ... 357
11-2 MOS콘덴서의 過渡特性 ... 360
11-3 電極配列과 製造技術 ... 364
11-3-1 3相 CCD ... 364
11-3-2 2相 CCD ... 368
11-4 傳送效率 ... 370
11-5 電荷注入,檢出 및 再發生 ... 374
11-6 벌크(埋入) 채널電荷結合素子 ... 378
11-7 集積 BBD ... 380
11-8 電荷結合이미저 ... 382
11-9 信號處理 및 메모리에의 應用 ... 385
11-9-1 아날로그信號處理 ... 385
11-9-2 디지탈 메모리 시스템 ... 388
附錄 A 原字, 電子, 에너지 밴드 ... 393
A-1 보어原字 ... 393
A-2 物質의 波動性 : 쉬뢰딩거方程式 ... 396
A-3 狀態密度 ... 399
A-4 元素의 電子構造 ... 400
A-5 結晶의 에너지 밴드理論 ... 404
附錄 B 熱電子放出電流의 誘導 ... 409
附錄 C 誤差函數 ... 411
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