제1장 전하의 운동
   1.1 전하(電荷, electronic charge) ... 10
   1.2 전하(電荷)와 전계(電界) ... 11
   1.3 균등전계(均等電界) 내의 전자 운동(電子運動) ... 14
   1.4 자계(磁界) 내의 전자 운동 ... 21
   1.5 전자 광학(電子光學) ... 25
   1.6 양자론(量子論) ... 26
   1.7 입자(粒子)의 파동성(波動性) ... 33
   1.8 불확정성(不確定性)의 원리(原理) ... 40
   1.9 Sch<FONT face ... serif
   연습문제 ... 48
제2장 원자
   2.1 원자(原子)의 구조(構造) ... 50
   2.2 수소 원자에 관한 Bohr 모형 ... 52
   2.3 Sommerfeld의 원자모형(原子模型) ... 57
   2.4 Pauli의 배타율(排他律)과 원소(元素)의 전자배열(電子配列) ... 59
   연습문제 ... 62
제3장 고체 중의 전자
   3.1 고체(固體)의 구조(構造) ... 64
   3.2 금속(金屬) 내의 전자(電子) ... 70
   3.3 분포함수 ... 76
   3.4 전자(電子) 에너지 준위(準位) ... 81
   3.5 금속(金屬)의 도전 현상(導電現像) ... 87
   연습문제 ... 94
제4장 반도체의 전기적 성질
   4.1 반도체(반도체) ... 96
   4.2 진성 반도체(intrinsic semiconductor) ... 100
   4.3 불순물 반도체(extrinsic semiconductor) ... 113
   4.4 실효 질량(effective mass) ... 120
   4.5 전계 내에서 캐리어의 드리프트(drift) 운동 ... 122
   4.6 반도체의 도전성 ... 126
   4.7 확산(擴散)에 의한 캐리어 운동(運動) ... 128
   4.8 이동도(이동도)와 확산정수(확산정수)의 관계 ... 133
   4.9 Hall 효과(效果) ... 134
   4.10 소수 캐리어를 주입했을 경우의 현상론 ... 137
   4.11 화합물 반도체(化合物 半導體) ... 140
   4.12 직접 및 간접형 반도체 ... 143
   연습문제 ... 146
제5장 p-n 접합
   5.1 p-n 접합(接合) ... 150
   5.2 열평형 상태(熱平衡 狀態)의 p-n 접합(接合) ... 152
   5.3 접합(接合)의 법칙(法則) ... 162
   5.4 접합 용량(junction capacitance) ... 165
   5.5 p-n 접합에서 바이어스 전압의 효과 ... 169
   5.6 비대칭(非對稱) p-n 접합(接合) ... 171
   연습문제 ... 175
제6장 다이오드
   6.1 접합(接合) 다이오드의 특성(特性) ... 178
   6.2 해석적인 모델의 전개 ... 179
   6.3 이상적 다이오드의 동작에 대한 정성적 해석 ... 179
   6.4 이상적 다이오드의 정량적 해석 ... 182
   6.5 p-n 접합의 역방향 파괴 ... 194
   6.6 p-n 접합 다이오드의 정특성 ... 195
   6.7 다이오드 특성의 온도 변화 ... 198
   6.8 다이오드 저항(抵抗) ... 200
   6.9 확산 용량 ... 202
   6.10 애버런치 항복과 제너 항복 ... 205
   6.11 제너 다이오드(Zener diode) ... 207
   6.12 터널 다이오드(Tunnel diode) ... 209
   6.13 버랙터 다이오드 ... 211
   연습문제 ... 213
제7장 접합 트랜지스터
   7.1 트랜지스터의 구조 ... 216
   7.2 트랜지스터의 동작 ... 218
   7.3 트랜지스터의 전류 성분 ... 225
   7.4 비대칭 콜렉터 접합 ... 227
   7.5 트랜지스터 동작의 정성적 기술 ... 229
   7.6 진성 트랜지스터 모델(intrinsic transistor model)의 전개와 해석 ... 238
   7.7 진성 트랜지스터 동작 설명 ... 245
   7.8 Ebers-Moll의 회로 모델 ... 253
   7.9 베이스 공통 접지 회로 특성 ... 256
   7.10 에미터 공통 접지 회로 특성 ... 258
   7.11 콜렉터 누설 전류와 온도 변화에 의한 효과 ... 260
   7.12 트랜지스터 하이브리드(hybrid) 모델 ... 262
   연습문제 ... 265
제8장 전계효과 트랜지스터
   8.1 접합 전계효과 트랜지스터(JFET) ... 268
   8.2 JFET의 전압-전류 특성 ... 272
   8.3 JFET의 소신호 모델 ... 277
   8.4 절연 게이트 FET(MOS FET) ... 281
   8.5 상보(相補) MOS(CMOS) ... 288
   8.6 쇼트키 장벽 FET ... 289
   연습문제 ... 291
제9장 집적회로
   9.1 집적회로의 분류와 특징 ... 294
   9.2 웨이퍼의 제조 ... 294
   9.3 단결정(單結晶) 집적회로 ... 295
   9.4 마스킹(masking)과 식각(etching) ... 300
   9.5 고체 불순물 확산 ... 301
   9.6 쌍극성 집적 소자의 분리 기술 ... 304
   9.7 쌍극성 집적 트랜지스터 310
   9.8 집적회로의 구성 소자 ... 313
   연습문제 ... 317
제10장 도체 및 반도체의 계면현상
   10.1 전자의 방출 ... 320
   10.2 접촉 전위차 ... 329
   10.3 금속과 반도체의 접촉 ... 331
   10.4 MIS 쇼트키 다이오드 ... 334
   10.5 방전관(Discharge tube) ... 336
   연습문제 ... 344
제11장 마이크로파 반도체소자와 반도체 레이저
   11.1 마이크로파 소자 ... 346
   11.2 레이저 ... 351
   연습문제 ... 357
제12장 각종 소자
   12.1 다이리스터(Thyristor) ... 360
   12.2 광전소자(光電素子) ... 368
   12.3 열효과 소자 ... 373
   연습문제 ... 381
부록
   1. 중요한 물리상수 ... 384
   2. 단위의 환산과 배수 ... 384
   3. 각 원소의 전자배치 ... 385
   4. 반도체 재료의 성질 ... 388
   찾아보기 ... 389