제1장 트랜지스터의 기초지식 ... 9
   반도체 ... 9
      전기가 잘 흐르는 것과 흐르지 않는 것 ... 10
      전기가 쉽게 흐르는 탄소와 쉽게 흐르지 않는 탄소 ... 11
        다이아몬드 ... 12
      실리콘과 게르마늄 ... 12
        불순물을 혼합한다 ... 14
        전자를 남긴다 ... 15
        정공을 남긴다 ... 15
      PN 접합의 성질 ... 16
        다이오드 ... 18
   트랜지스터의 구조 ... 19
        PNP형과 NPN형의 차이 ... 21
   FET ... 21
        접합형 FET의 구조 ... 22
        MOS형 FET의 구조 ... 23
   트랜지스터를 만드는 방법 ... 24
        성장형 ... 24
        합금형 ... 24
        확산형 ... 25
제2장 트랜지스터의 특성 ... 29
   트랜지스터의 규격 ... 29
      트랜지스터의 종류 ... 29
   최대 정격 ... 30
      최대 콜렉터 전압 ... 31
        콜렉터와 베이스간의 전압 ... 31
        콜렉터와 에미터간의 전압 ... 32
      최대 콜렉터 전류 ... 33
      최대 콜렉터 손실 ... 33
      그 외의 최대 정격 ... 34
   전기적 특성 ... 35
      콜렉터 차단 전류 ... 35
      에미터 차단 전류 ... 36
      전류 증폭율 ... 36
      차단 주파수 ... 37
      트랜지션 주파수 ... 38
      잡음지수 ... 38
      콜렉터 용량 ... 39
제3장 트랜지스터의 동작 ... 43
   트랜지스터 내에서 무엇이 발생하는가 ... 43
      신호원과 부하 ... 43
      기본 동작 회로 ... 44
        에미터 접지 ... 44
        콜렉터 접지 ... 45
        베이스 접지 ... 45
      에미터 접지 회로의 동작 ... 46
      전류 증폭의 원리 ... 47
   바이어스 전압 ... 49
      바이어스 전압도 필요 ... 49
        콜렉터 전류 ... 50
      바이어스를 거는 방법 ... 52
      안정된 바이어스 회로 ... 53
        온도 특성에도 강하다 ... 54
        R_E의 결정 방법 ... 55
        R₁과 R₂의 결정 방법 ... 57
        자기 바이어스 회로 ... 57
   트랜지스터의 동작 ... 58
      저항 용량 결합형의 회로 ... 59
        증폭 회로 동작 ... 60
        증폭도 계산 ... 62
        부하 저항과 증폭도 ... 62
        부하 저항 값의 한계 ... 63
        저항 용량 결합 회로의 변형 ... 64
   임피던스 정합 ... 66
제4장 트랜지스터 전력 증폭 회로 ... 75
   전력 증폭의 원리 ... 75
      변압기 결합 증폭 회로의 동작 ... 75
      전력 증폭 회로 ... 79
      무 신호시 콜렉터 전류를 흘리는 방법 ... 80
      A급 푸시플 전력 증폭 회로 ... 80
        출력과 능률 ... 83
      B급 푸시플 회로의 원리 ... 85
        B급 푸시플 전력 증폭회로의 동작 ... 85
        B급 푸시플 회로의 효율 ... 88
      크로스 오버 변형을 막는 방법 ... 90
      온도 보상 ... 92