머리말 ... 3
제0장 서론 ... 13
   0-1 트랜지스터의 출현 ... 14
   0-2 집적 회로의 출현 ... 15
   0-3 집적 회로 기술 ... 16
   0-4 VLSI 시대 ... 19
   참고 문헌 ... 28
제1장 반도체 기초 성질 ... 31
   1-1 반도체의 결정 구조 ... 33
   1-2 반도체 내에서의 전자 에너지(에너지 밴드) ... 43
   1-3 전자와 홀 ... 58
   1-4 불순물과 캐리어 농도 ... 70
   연습 문제 ... 80
   참고 문헌 ... 84
제2장 비평형 상태에서의 반도체 응답과 반도체 방정식 ... 87
   2-1 외부 힘에 의한 캐리어 움직임(비평형 상태) ... 88
   2-2 이동도와 캐리어 에너지 ... 89
   2-3 외부 캐리어의 주입에 의한 반도체의 응답(소수 캐리어 수명) ... 99
   2-4 확산 ... 104
   2-5 재결합 메커니즘 ... 107
   2-6 트랩의 정체 ... 115
   2-7 반도체 방정식 ... 118
   2-8 비평형 상태의 통계(유사 페르미 준위) ... 126
   연습 문제 ... 128
   참고 문헌 ... 130
제3장 NANOCAD와 MyMOS ... 133
   3-1 반도체 방정식과 경계 조건 ... 134
   3-2 MyMOS 소자 ... 139
   3-3 NANOCAD의 입력과 출력 ... 141
   연습 문제 ... 161
   참고 문헌 ... 162
제4장 P-N 접합 ... 165
   4-1 P-N 접합의 의미 ... 167
   4-2 평형 상태 ... 171
   4-3 정전 용량과 전압과의 관계 ... 179
   4-4 순방향 전압의 전류 ... 187
   4-5 역방향 전압의 전류 ... 200
   4-6 누설 전류의 다른 성분들 ... 208
   4-7 역바이어스 항복 전압(breakdown voltage) ... 216
   4-8 짧은 접합 효과(금속 접촉점이 중요해 짐) ... 221
   4-9 P-N 다이오드의 속도 특성 ... 223
   4-10 <TEN>$$N^{+}$$< / TEN>P 다이오드의 설계 요점 ... 230
   NANOCAD 실습 ... 234
   연습 문제 ... 235
   참고 문헌 ... 241
제5장 바이폴라 트랜지스터 ... 245
   5-1 바이폴라 소자 동작의 일반 원리 ... 247
   5-2 전류 성분 ... 253
   5-3 중요 소자 파라미터 α,β ... 261
   5-4 VLSI 소자에 중요한 세 가지 효과들(Kirk 효과, 고농도 효과, 베이스 이미터 저항효과) ... 264
   5-5 바이폴라 소자의 속도 특성 ... 277
   5-6 바이폴라 소자의 항복 전압 ... 283
   5-7 바이폴라 스케일링과 소자 설계 ... 287
   NANOCAD 실습 ... 294
   연습 문제 ... 295
   참고 문헌 ... 298
제6장 MOS 표면 이론 ... 301
   6-1 평형 상태의 MOS 구조 ... 303
   6-2 MOS 방정식 ... 308
   6-3 MOS C-V 이론 ... 317
   6-4 MOS C-V 이론(이상적인 아닌 경우) ... 324
   6-5 비평형 상태에서의 MOS 커패시터의 동작 ... 339
   NANOCAD 실습 ... 350
   연습 문제 ... 353
   부록 ... 356
   참고 문헌 ... 361
제7장 MOS소자 이론과 실제 ... 363
   7-1 MOSFET 소자의 동작 원리 ... 365
   7-2 긴 채널 MOSFET소자의 특성 ... 369
   7-3 MOS 트랜지스터의 커패시턴스와 속도 특성 ... 384
   7-4 짧은 채널 MOS 트랜지스터의 특성 ... 389
   7-5 PMOSFET ... 406
   7-6 고온 캐리어(hot carrier) 효과와 신뢰성 문제 ... 408
   NANOCAD 실습 ... 420
   연습 문제 ... 423
   참고 문헌 ... 426
제8장 MOS 스케일링과 새로운 MOS구조 ... 431
   8-1 MOS 소자 스케일링 이론 ... 432
   8-2 SOI 소자 ... 443
   8-3 이중 게이트를 갖는 소자 ... 474
   8-4 다중 게이트 및 양자선 소자 ... 481
   NANOCAD 실습 ... 484
   연습 문제 ... 490
   참고 문헌 ... 494
제9장 반도체 소자 잡음 ... 501
   9-1 잡음 연구방법론 ... 502
   9-2 잡음의 수학적 표현 ... 506
   9-3 잡음원의 수학적 표현 ... 515
   9-4 NANOCAD를 이용한 반도체 잡음 해석 ... 523
   9-5 반도체 소자의 잡음 ... 529
   NANOCAD 실습 ... 546
   연습 문제 ... 547
   참고 문헌 ... 548
부록 ... 551
용어대조표 ... 553
찾아보기 ... 563