1장 4단자 전자 소자 ... 1
   1.1 컴퓨터 하드웨어에 지적인 기능부여 ... 2
      1.1.1 인간 대 수퍼컴퓨터 ... 2
      1.1.2 뉴 하드웨어 ... 4
   1.2 4단자 소자의 기초 ... 5
      1.2.1 4단자 소자 ... 5
      1.2 2 3단자 소자 대 4단자 소자 ... 6
      1.2.3 3단자 소자와 진공 전자공학의 발전 ... 8
      1.2.4 반도체 전자공학, 그리고 집적회로로 ... 10
      1.2.5 뉴런 MOS 트랜지스터 ... 12
   1.3 4단자 소자로 실현한 '유연한' 정보처리 전자회로 ... 14
      1.3.1 유연한(flexware) 하드웨어 논리 회로 ... 14
      1.3.2 위너테크올 회로와 연산 메모리 ... 19
      1.3.3 저소비전력·자기학습기능장비의 νMOS 뉴럴 네트워크 ... 21
      1.3.4 인공지능 시스템 실현의 길 ... 24
   1.4 앤티퓨즈 기술과 유연한 전자 시스템 ... 24
      1.4.1 효율 좋은 LSI 개발을 가능케 하는 유연한 하드웨어 ... 24
      1.4.2 설계 회로를 순간 LSI화 할 수 있는 앤터퓨즈 기술 ... 25
      1.4.3 LSI의 새로운 유연한 전자 시스템 ... 28
   1.5 지적 전자 시스템이 요구하는 초고정밀도 공정기술 ... 29
   1.6 21세기의 과제 ... 33
2장 고정밀도 저온화 전공정 ... 35
   2.1 저에너지 이온 조사 공정 ... 35
      2.1.1 플라즈마 공정기술의 현황과 개발방향 ... 36
      2.1.2 이온 조사 에너지의 제어방법 ... 39
      2.1.3 RF-DC 결합 플라즈마 공정 장치 ... 43
      2.1.4 2주파 여기 플라즈마 공정 장치 ... 45
      2.1.5 직류자장의 도입 ... 49
   2.2 프로우브를 사용한 플라즈마의 고정밀도 계측기술 ... 56
      2.2.1 싱글 프로우브법의 원리 ... 56
      2.2.2 싱글 프로우브에 의한 고주파방전 플라즈마의 계측기술 ... 59
   2.3 고밀도 플라즈마를 사용한 셀프 챔버 클리닝 기술 ... 63
      2.3.1 반응 부생성물의 부착이 미치는 영향 ... 63
      2.3.2 셀프 챔버 클리닝에 적합한 가스 종류·챔버 내벽제 ... 64
      2.3.3 셀프 챔버 클리닝 ... 69
   2.4 초저온에서의 Si 에피택셜 성장 ... 73
      2.4.1 저 에너지 이온 조사 공정을 사용한 저온 결정성장 ... 73
      2.4.2 이온 조사 에너지와 조사량 ... 75
      2.4.3 초청정 공정 분위기와 웨이퍼 표면 ... 81
      2.4.4 무겁고 큰 이온(Xe)조사 ... 82
   2.5 금속배선 ... 85
      2.5.1 배선 재료의 변천 ... 85
      2.5.2 저에너지 이온 조사 공정에 의한 금속박막의 형성 ... 85
      2.5.3 대전류 스트레스 전자 전이의 가속약화 시험방법과 각종 배선재료의 전자 전이의 내성 ... 88
      2.5.4 미래의 배선기술 ... 93
      2.5.5 초저저항 금속 / 반도체 콘텍트 형성기술 ... 95
   2.6 초저온 게이트 산화막 형성기술 ... 100
      2.6.1 종래의 산화막 형성기술 ... 100
      2.6.2 이온 어시스트 저온 산화법 ... 100
   2.7 저온 어닐을 가능케 하는 초청정 이온 주입기술 ... 106
      2.7.1 이온 주입층의 저온 어닐 ... 106
      2.7.2 산화막 스루 이론주입은 사용할 수 없다 ... 109
      2.7.3 초청정 이온주입 ... 111
      2.7.4 투입 전면부에 남는 손상과 기판의 도핑 농도 ... 114
   2.8 초미세 패턴 가공을 실현한 리소그래피 기술 ... 116
      2.8.1 노광(露光)기술 ... 117
      2.8.2 리지스트 재료기술 ... 120
      2.8.3 현상기술 ... 122
      2.8.4 탈 가스 프리 리지스트 공정 ... 126
      2.8.5 리지스트 박리기술 ... 127
3장 표면·계면의 초청정화 기술 ... 130
   3.1 초청정 표면 ... 131
      3.1.1 실리콘 초청정 표면 ... 131
      3.1.2 입자오염과 제거기술 ... 133
      3.1.3 금속오염과 그 제거 ... 163
      3.1.4 유기물오염과 그 제거 ... 179
      3.1.5 고체표면에의 수분흡착 ... 188
      3.1.6 자연산화막과 화학산화막 ... 194
      3.1.7 미세조도(micro roughness)제어 ... 204
      3.1.8 실리콘 표면을 불활성화한다(수소종단표면) ... 212
   3.2 F₂·HF 공정 ... 223
      3.2.1 불소·불화수소와 실리콘 화합물반응의 특징 ... 224
      3.2.2 에칭 공정에 나타난 제반현상 ... 234
      3.2.3 불소의 회수 - 환경보호의 화학기술 - ... 244
   3.3 고신뢰성 산화막의 초박막 형성기술 ... 256
      3.3.1 표면정밀제어산화 ... 256
      3.3.2 산화막 특성의 기판면 방위 의존성 ... 262
      3.3.3 고신뢰성 산화막의 초박막 형성 ... 266
   3.4 화학반응기구의 전자물리 ... 268
      3.4.1 전기 음성도의 전자물리 ... 269
      3.4.2 산화환원전위의 전자물리 ... 277
      3.4.3 제타 전위의 전자물리 ... 281
   3.5 정전기장해와 그 방지 ... 285
      3.5.1 초 LSI 제조환경에서의 정전기 ... 285
      3.5.2 정전기 발생 ... 286
      3.5.3 정전기 장해 ... 289
      3.5.4 대전방지기술 ... 293
4장 청정표면과 가스 분자의 상호작용 ... 311
   4.1 스테인레스 표면의 새로운 부동태화 처리 ... 311
      4.1.1 스테인레스 표면의 Cr₂O₃부동태막 형성방법 ... 313
      4.1.2 페라이트계 스테인레스강의 부동태처리 ... 316
      4.1.3 오스테나이트계 스테인레스강의 부동태처리 ... 319
      4.1.4 Cr₂O₃부동태막 형성 메카니즘 ... 326
   4.2 부식표면의 전기화학반응 ... 329
      4.2.2. 금속표면성상의 영향 ... 330
      4.2.3. 용접부의 부식 ... 337
   4.3 청정표면과 가스 분자의 상호작용 ... 345
      4.3.1 평가 시스템의 초청정화 ... 345
      4.3.2 초청정의 필요성 ... 347
      4.3.3 고체표면과 SiH4 분자의 상호작용 ... 350
   4.4 새로운 가스 공급 시스템 ... 353
5장 반도체 ... 356
   5.1 반도체기술의 발전 ... 356
   5.2 반도체 표면의 전자화학 ... 356
      5.2.1 수소원자 모형과 분자결합 ... 359
      5.2.2 Si 표면흡착분자의 거동 : SiH4계 분자의 예 ... 364
      5.2.3 전기 음성도와 에너지 준위~종단원자에 의한 표면전자 상태의 변화 ... 371
      5.2.4 산화환원전위와 에너지 준위 ... 386
참고문헌 ... 393
찾아보기 ... 421