머리말 ... ⅲ
1장 서론
   1.1 실리콘 반도체와 집적회로의 역사 ... 2
   1.2 집적회로의 미래와 전망 ... 7
   1.3 MOS 트랜지스터 ... 9
2장 CMOS 공정기술과 설계규칙
   2.1 기본 CMOS 공정기술 ... 11
      2.1.1. p-well 공정 ... 12
      2.1.2. n-well 공정 ... 14
   2.2 최근의 CMOS 공정기술 ... 15
      2.2.1. well 형성 ... 15
      2.2.2. 소자구조 ... 19
      2.2.3. 다층 메탈 배선 ... 23
   2.3 레이아웃 설계규칙 ... 24
      2.3.1. 람다(λ) 규칙 ... 24
      2.3.2. twin-well CMOS 설계규칙 ... 25
   2.4 CMOS 회로 설계시 기타 고려사항 ... 27
      2.4.1. latch-up 현상 ... 27
      2.4.2. ESD(electro static discharge) 보호회로 ... 29
3장 CMOS 소자의 I-V 특성
   3.1 MOS 커패시터 ... 35
      3.1.1. 표면상태 ... 35
      3.1.2. 문턱전압 ... 38
      3.1.3. C-V 모델 ... 40
   3.2 MOS의 I-V 특성 ... 42
      3.2.1. MOS의 동작원리 ... 43
      3.2.2. 긴 채널 MOS의 I-V 특성 ... 45
      3.2.3. 짧은 채널 MOS의 I-V 특성 ... 50
   3.3 MOS의 소신호 등가회로와 정전용량 ... 54
      3.3.1. 소신호 등가회로 ... 54
      3.3.2. MOS의 정전용량 ... 55
4장 MOS 논리회로
   4.1 서론 ... 59
   4.2 CMOS 및 nMOS 인버터 ... 60
      4.2.1. 기본개념 및 용어정의 ... 60
      4.2.2. CMOS 인버터 ... 63
      4.2.3. nMOS 인버터 ... 73
      4.2.4. pseudo nMOS 인버터 ... 78
      4.2.5. 시뮬레이션 및 레이아웃 ... 80
   4.3 MOS 스위치 및 CMOS 전달 게이트 ... 87
      4.3.1. nMOS 및 pMOS 스위치 ... 87
      4.3.2. CMOS 전달 게이트 ... 90
      4.3.3. 시뮬레이션 및 레이아웃 ... 92
   4.4 정적(static) 논리회로 ... 96
      4.4.1. CMOS 복합논리회로 ... 96
      4.4.2. 정적 CMOS 복합논리회로의 스위칭 특성 ... 103
      4.4.3. pseudo nMOS 논리회로 ... 110
      4.4.4. 공핍형 부하 nMOS 논리회로 ... 114
      4.4.5. 시뮬레이션 및 레이아웃 ... 116
   4.5 동적(dynamic) 논리회로 ... 123
      4.5.1. 동적 논리회로의 기본개념 ... 123
      4.5.2. 동적 논리회로의 잡음특성 ... 126
      4.5.3. domino 논리회로 ... 129
      4.5.4. np-CMOS 논리회로 ... 131
      4.5.5. clocked CMOS(C²MOS) 논리회로 ... 132
      4.5.6. 시뮬레이션 및 레이아웃 ... 133
   4.6 순차논리(sequential logic)회로 ... 135
      4.6.1. 단일위상 클록방식 ... 136
      4.6.2. 2-위상 클록방식 ... 141
      4.6.3. clocked CMOS(C²MOS) 레지스터 ... 143
      4.6.4. 파이프라인 회로 ... 145
      4.6.5. true single-phase clock(TSPC) 레지스터 ... 148
      4.6.6. 시뮬레이션 및 레이아웃 ... 149
   SPICE Parameter ... 150
5장 기본 증폭기
   5.1 기본 증폭기 설계 ... 151
      5.1.1. 공통 소스 증폭기 ... 151
      5.1.2. 공통 게이트 증폭기 ... 155
      5.1.3. 공통 드레인 증폭기 ... 157
   5.2 차동증폭기 설계 ... 159
   5.3 전류미러 회로 설계 ... 163
      5.3.1. 기본 전류미러 ... 163
      5.3.2. 캐스코드 전류미러 ... 165
      5.3.3. 와이드 스윙 캐스코드 전류미러 ... 166
   5.4 연산증폭기 설계 ... 167
6장 기능 블록 및 시스템 설계
   6.1 서론 ... 177
   6.2 가산기 회로 ... 179
      6.2.1. 전가산기 회로 ... 179
      6.2.2. 리플 캐리 가산기(ripple carry adder) ... 183
      6.2.3. 캐리 예측 가산기(carry-lookahead adder) ... 188
      6.2.4. 캐리 선택 가산기(carry-select adder) ... 191
   6.3 시프터 및 비교기 회로 ... 193
      6.3.1. 배럴 시프터(barrel shifter) ... 195
      6.3.2. 비교기 ... 202
   6.4 승산기 회로 ... 205
      6.4.1. 병렬 승산기 ... 208
      6.4.2. 직렬 승산기 회로 ... 214
      6.4.3. Booth 승산기 ... 217
      6.4.4. 승산기 설계 예 : SPK610 프로세서 내장 정수 승산기 ... 230
   6.5 시스템 설계 예 ... 236
      6.5.1. 4-bit 마이크로컨트롤러 설계 ... 236
7장 반도체 메모리 소자 및 설계
   7.1 메모리 개요 ... 247
      7.1.1. 서론 ... 247
      7.1.2. 정보 매개체의 종류 ... 248
      7.1.3. 메모리의 기본개념 및 용어 ... 252
   7.2 RAM devices ... 264
      7.2.1. DRAM(dynamic random access memory) ... 264
      7.2.2. SRAM(static random access memory) ... 285
   7.3 ROM(read only memory) devices ... 298
      7.3.1. ROM 개요 ... 298
      7.3.2. MROM(masked read only memory) ... 300
      7.3.3. PROM(Programmable read only memory) ... 306
      7.3.4. 비휘발성 메모리의 고집적화 과제 ... 334
   7.4 향후 메모리 방향 ... 336
      7.4.1. 향후 메모리 제품의 응용 방향 ... 336
      7.4.2. 향후 메모리 시장 동향 ... 337
      7.4.3. 메모리 시스템 ... 337
      7.4.4. 메모리 제품 ... 337
      7.4.5. 메모리 공정기술 ... 338
      7.4.6. 메모리 제조기술 ... 339
참고문헌 ... 341
찾아보기 ... 343