제1장 이미지 센서 개요
   1.1 이미지 센서의 분류 ... 12
   1.2 이미지 센서의 개발 과정 ... 16
   1.3 이미지 센서의 특성 ... 18
      1.3.1 감도 ... 18
      1.3.2 동작범위 ... 18
      1.3.3 해상도 ... 19
      1.3.4 광학계 ... 20
      1.3.5 읽어내는 방식 ... 21
      1.3.6 전자 shutter ... 23
      1.3.7 이미지 센서의 요소 기술 ... 24
   1.4 이미지 센서의 칼라화 ... 28
   1.5 화상 왜곡 ... 32
제2장 이미지 센서 기초
   2.1 빛의 세계 ... 39
      2.1.1 광속 ... 40
      2.1.2 입체각과 광도 ... 40
      2.1.3 휘도와 조도 ... 41
      2.1.4 색온도 ... 42
   2.2 반도체와 pn 접합 ... 43
      2.2.1 전자의 종류와 생성 ... 43
      2.2.2 photodiode의 공핍과 전하 용량 ... 45
      2.2.3 pn 접합 capacitance의 전압 의존성과 출력 포화 특성 ... 49
      2.2.4 miller capacitance ... 52
   2.3 MOS physics ... 55
      2.3.1 MOS 구조와 surface potential ... 55
      2.3.2 MOS transistor의 전압-전류 특성과 source follower ... 63
   2.4 광전 변환 ... 70
      2.4.1 실리콘에서의 빛의 흡수 ... 70
      2.4.2 이미지 센서 광전 변환의 기본 원리 ... 71
      2.4.3 pn 접합과 양자 효율 ... 72
      2.4.4 수광 소자의 종류 ... 75
      2.4.5 color filter와 실리콘 photodiode의 관계 ... 77
제3장 <B><FONT color ... #0000
   3.1 <B><FONT color ... #0000
   3.2 수광부(광전 변환부) ... 87
      3.2.1 수광부의 동작 ... 87
      3.2.2 <B><FONT color ... #0000
      3.2.3 OFD와 전자 shutter 동작 ... 91
   3.3 전하 전송부 ... 94
      3.3.1 <B><FONT color ... #0000
      3.3.2 S<B><FONT color ... #0000
      3.3.3 4상 <B><FONT color ... #0000
      3.3.4 fringing field와 전송 효율 ... 100
      3.3.5 스미어 잡음의 발생과 억제 ... 102
   3.4 신호 출력부 ... 106
      3.4.1 출력부의 동작 원리 ... 106
      3.4.2 CDS 동작 ... 108
      3.4.3 출력부의 전압 분포에 따른 출력 특성 ... 111
      3.4.4 <B><FONT color ... #0000
   3.5 <B><FONT color ... #0000
   3.6 다른 방식의 <B><FONT color ... #0000
      3.6.1 Frame Transfer <B><FONT color ... #0000
      3.6.2 Frame Interline Transfer <B><FONT color ... #0000
제4장 CMOS 이미지 센서
   4.1 CMOS 이미지 센서의 구성과 동작 원리 ... 131
      4.1.1 수동형 CMOS 이미지 센서 ... 131
      4.1.2 3-Tr 구조 ... 133
      4.1.3 4-Tr 구조 ... 136
      4.1.4 5-Tr 구조 ... 140
   4.2 CMOS 이미지 센서의 화질 제한 요소 ... 143
      4.2.1 암 신호 발생 ... 143
      4.2.2 혼색 현상 ... 144
      4.2.3 잡음 ... 145
   4.3 CMOS 이미지 센서의 동작 제한 ... 146
      4.3.1 전하 용량의 제한 ... 146
      4.3.2 source follower에 의한 제한 ... 147
   4.4 CMOS 이미지 센서 화소의 전압 분포와 simulation ... 149
      4.4.1 전압 분포의 요구 조건 ... 149
      4.4.2 화소의 simulation ... 151
   4.5 CMOS 이미지 센서의 화소 측정 ... 153
      4.5.1 photodiode pinch-off 전압 측정용 TEG와 측정 방법 ... 153
      4.5.2 floating diffusion capacitance 측정용 TEG와 측정 방법 ... 154
      4.5.3 화소 구조의 최적화의 확인 ... 155
   4.6 <B><FONT color ... #0000
제5장 이미지 센서의 화질과 개선
   5.1 이미지 센서의 화질에 영향을 주는 요소 ... 165
      5.1.1 신호의 구성 ... 167
      5.1.2 화상 왜곡 ... 170
      5.1.3 이미지 센서의 평가 항목 및 수율 ... 180
   5.2 잡음과 동작 범위의 개선 ... 182
      5.2.1 잡음의 개선 ... 182
      5.2.2 동작 범위의 개선 ... 186
   5.3 새로운 구조 ... 200
      5.3.1 광 도전막 구조 ... 200
      5.3.2 적층형 photodiode 구조 ... 201
      5.3.3 소자의 공유 ... 202
      5.3.4 전원 구동 구조 ... 203
      5.3.5 floating well 변조 방식 ... 204
      5.3.6 기타 화소 구조 ... 205
약어 색인