저자 및 역자 소개 ... 4
역자 머리말 ... 5
저자 머리말 ... 8
기본 단위 ... 10
학습 로드맵 ... 11
강의 계획 ... 12
강의 보조 자료 및 참고 자료 ... 13
Chapter 01 반도체 내의 전자와 정공
   01 실리콘 결정 구조 ... 22
   02 전자와 정공의 결합 모델 ... 25
   03 에너지 밴드 모델 ... 29
   04 반도체, 절연체, 도체 ... 33
   05 전자 및 정공 ... 35
   06 상태 밀도 ... 38
   07 열적 평형상태와 페르미 함수 ... 39
   08 전자와 정공의 농도 ... 43
   09 n과 p의 일반적 이론 ... 49
   10 극고온과 극저온에서의 캐리어 농도 ... 53
   11 장 요약 ... 55
   연습문제 ... 56
   참고문헌 ... 61
Chapter 02 전자 및 정공의 운동과 재결합
   01 열 운동 ... 64
   02 드리프트 ... 67
   03 확산 전류 ... 75
   04 에너지 다이어그램과 V, ●간의 관계 ... 77
   05 D와 μ 간의 아인슈타인 관계식 ... 78
   06 전자-정공 재결합 ... 80
   07 열 생성 ... 83
   08 유사 평형상태와 의사 페르미 준위 ... 83
   09 장 요약 ... 86
   연습문제 ... 88
   참고문헌 ... 91
Chapter 03 소자 제조 기술
   01 소자 제조에 대한 서론 ... 94
   02 실리콘의 산화 ... 96
   03 리소그래피 ... 99
   04 패턴 전사 - 에칭 ... 104
   05 도핑 ... 106
   06 도펀트 확산 ... 110
   07 박막 증착 ... 112
   08 상호 연결 - 후미 공정 ... 117
   09 테스팅, 조립, 그리고 검정 ... 121
   10 장 요약 - 소자 제조 예 ... 122
   연습문제 ... 124
   참고문헌 ... 128
Chapter 04 PN 접합과 금속-반도체 접합
   Part 1 PN 접합
      01 PN 접합 이론의 기초적 요소 ... 131
      02 공핍층 모델 ... 135
      03 역 바이어스된 PN 접합 ... 139
      04 커패시턴스 - 전압 특성 ... 141
      05 접합 항복 ... 143
      06 정 바이어스 상태에서 캐리어 주입 - 유사평형 경계 조건 ... 148
      07 전류 연속 방정식 ... 151
      08 정 바이어스된 PN 접합에서 과잉 캐리어 ... 153
      09 PN 다이오드 IV 특성 ... 156
      10 전하 축적 ... 161
      11 다이오드의 소신호 모델 ... 161
   Part 2 광전 소자에의 응용
      12 태양전지 ... 162
      13 발광 다이오드와 고체 조명 ... 171
      14 다이오드 레이저 ... 176
      15 광 다이오드 ... 181
   Part 3 금속-반도체 접합
      16 쇼트키 장벽 ... 182
      17 열전자 방출 이론 ... 187
      18 쇼트키 다이오드 ... 188
      19 쇼트키 다이오드의 응용 ... 190
      20 양자 역학적 터널링 ... 192
      21 옴성 접촉 ... 193
      22 장 요약 ... 197
   연습문제 ... 202
   참고문헌 ... 213
Chapter 05 MOS 커패시터
   01 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압 ... 217
   02 표면 축적 ... 219
   03 표면 공핍 ... 221
   04 문턱 조건 및 문턱 전압 ... 222
   05 문턱 조건 이후의 강반전 ... 225
   06 MOS 커패시터의 C-V 특성 ... 229
   07 산화막 전하 - Vfb와 Vt의 변경 ... 234
   08 폴리실리콘 게이트 공핍 - 유효 Tox ... 236
   09 반전 및 축적 전하층 두께와 양자역학적 효과 ... 239
   10 CCD 및 CMOS 화상기 ... 242
   11 장 요약 ... 249
   연습문제 ... 252
   참고문헌 ... 261
Chapter 06 MOS 트랜지스터
   01 MOSFET의 소개 ... 264
   02 상보형 MOS(CMOS) 기술 ... 266
   03 표면 이동도와 고이동도 FET ... 270
   04 MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑 ... 277
   05 MOSFET의 Qinv ... 281
   06 기본적인 MOSFET IV 모델 ... 282
   07 CMOS 인버터 - 회로의 예 ... 285
   08 속도 포화 ... 291
   09 속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델 ... 293
   10 기생 소오스 - 드레인 저항 ... 298
   11 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출 ... 299
   12 속도 오버슛과 소오스 속도 한계 ... 302
   13 출력 컨덕턴스 ... 303
   14 고주파 성능 ... 305
   15 MOSFET 잡음 ... 307
   16 SRAM, DRAM, 비휘발성(플래시) 메모리 소자들 ... 313
   17 장 요약 ... 322
   연습문제 ... 326
   참고문헌 ... 338
Chapter 07 집적회로에서의 MOSFET - 축소화, 누설전류 및 다른 토픽
   01 소자 축소화 - 가격, 속도 및 전력 소모 ... 342
   02 문턱전압 이하 전류 - "OFF"는 완전한 "OFF"가 아니다 ... 346
   03 Vt 감소(롤 오프) - 단채널 MOSFET이 심한 누설전류를 갖는다 ... 350
   04 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설전류 ... 354
   05 Wdep을 줄이는 방법 ... 357
   06 얕은 접합과 금속 소오스／드레인 MOSFET ... 360
   07 Ion과 Ioff의 절충 및 제조를 위한 설계 ... 362
   08 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET ... 364
   09 출력 컨덕턴스 ... 370
   10 소자 및 공정 시뮬레이션 ... 372
   11 회로 시뮬레이션을 위한 MOSFET 콤팩트 모델 ... 372
   12 장 요약 ... 375
   연습문제 ... 376
   참고문헌 ... 379
Chapter 08 바이폴라 트랜지스터
   01 BJT 입문 ... 382
   02 컬렉터 전류 ... 384
   03 베이스 전류 ... 388
   04 전류 이득 ... 390
   05 컬렉터 전압에 의한 베이스 폭 변조 ... 395
   06 에버스-몰 모델 ... 398
   07 천이 시간과 전하 저장 ... 400
   08 소신호 모델 ... 405
   09 컷오프 주파수 ... 408
   10 전하 제어 모델 ... 410
   11 대신호 회로 시뮬레이션을 위한 모델 ... 412
   12 장 요약 ... 415
   연습문제 ... 418
   참고문헌 ... 424
부록
   부록 Ⅰ 상태 밀도의 유도 ... 425
   부록 Ⅱ 페르미-디락 분포함수의 유도 ... 429
   부록 Ⅲ 소수 캐리어 가정의 일관성 ... 435
찾아보기 ... 439