01 PCB 신공법 
  1.1P²EV(Photoresist＆Polishing epxy for Via) 공법 = 3
    1.1.1. 개념 = 3
    1.2.2. Process = 3
  1.2 Photo Via Process = 5
    1.2.1. 개념 = 5
    1.2.2. Process 는 다음과 같다 = 5
    1.2.3. 세부 Process 내용 = 6
  1.3 Fine Line 제조 공법 = 9
    1.3.1. 개념 = 9
    1.3.2. Semi-additive 공법1의 중요 Factor = 10
    1.3.3. Fine Line 달성을 위한 조건 = 12
  1.4 Laser Direct Drill 용 UTC을 이용한 HDI PCB 제조 기술 = 13
    1.4.1. 개요 = 13
    1.4.2. Laser Direct Drill을 위한 방법 = 14
    1.4.3. LDD(Laser Direct Drill) = 14
    1.4.4. 적용 예 = 22
  1.5 PWB 제조에 있어서 Image Transfer = 23
    1.5.1. Contact Printing 의 대체 = 23
    1.5.2. Ink Jet 기술 = 24
    1.5.3. Embedded Passive Components = 27
    1.5.4. Opitical Waveguides를 가진 PWBS = 33
  1.6 High Density Flex Ciruit 용 micro Via 형성 기술 = 35
    1.6.1. 기술 개발 배경 = 35
    1.6.2. Micro Via 의 형성 = 36
    1.6.3. Micro Via 제조 공정 = 38
    1.6.4. 요약 = 40
  1.7 PCB 내 광 도파로의 개발 기술 = 44
    1.7.1. 광 PCB의 등장 = 44
    1.7.2. PCB 내에 Microvias를 사용해야 하는 이유 = 44
    1.7.3. 광 전자와 도파로 = 45
    1.7.4. 광 도파로의 재료 = 46
    1.7.5. 3D 제조 기술들 = 48
    1.7.6. 새로운 성분들 = 51
  1.8 PCB의 신공법 = 53
    1.8.1. Build up 공법 = 53
    1.8.2. Stack Via의 개념 = 53
    1.8.3. Stack Via 형성 기수리들 = 54
  1.9 Impedance Control PCB = 56
    1.9.1. 개념 = 56
    1.9.2. 기판 설계와 관련된 전자특성 = 56
    1.9.3. 신호 감쇠(Signal Loss : attenuation) = 58
    1.9.4. 전송 지연(Time delay : propagation delay) = 58
    1.9.5. 혼선(Cross talk) = 58
    1.9.6. 표피 효과(Skin effect) = 58
    1.9.7. Impedance = 58
    1.9.8. 설계 = 60
    1.9.9. 원자재 선정 = 61
    1.9.10. PCB 제조시 관리 항목 = 62
02 PCB 품질／제조기술 
  2.1 Bonding력에 영향을 미치는 Cu foil＆resin = 67
    2.1.1. 개요 = 67
    2.1.2. 개념 = 67
    2.1.3. 실험 = 67
  2.2 P. T. H의 outgassing 연구 = 70
    2.2.1. outgassing 문제의 개념 = 70
    2.2.2. outgassing의 factor 별 영향 = 72
  2.3 hole wall 품질 향상을 위한 기술 = 77
    2.3.1. small via hole의 품질 = 77
  2.4 금형 Press 타발 기술 = 80
    2.4.1. 개요 = 80
    2.4.2. 금형 Clearance에 따른 영향 = 80
    2.4.3. Shear drop 이란 = 81
    2.4.4. 타발 결함과 현상 = 81
    2.4.5. 타발 가공성과 재료물성 = 82
    2.4.6. 타발 가공성에 영향을 주는 요인의 관계도 = 83
    2.4.7. 목형 = 88
    2.4.8. 목형과 금형 비고 = 89
  2.5 CNC 드릴(air bearing Spindle) = 89
    2.5.1. bearing = 89
    2.5.2. 공기 베어링 스핀들(air bearing spindle) = 90
    2.5.3. air bearing = 91
    2.5.4. air bearing spindle = 91
    2.5.5. air - bearing spindle의 주요구성품 = 92
    2.5.6. air bearing spindle의 관리 = 92
  2.6 Hole Plugging 재료 및 기술 = 93
    2.6.1. Hole Plugging ink = 93
    2.6.2. 영구 Hole Plugging ink의 종류 = 94
    2.6.3. Hole Plugging ink의 요구사항 = 94
    2.6.4. PHT의 plugging 성능 향상 원리 = 95
    2.6.5. Hole plugging process = 96
    2.6.6. New hole plugging process = 97
    2.6.7. Hole plugging 인쇄 작업 조건 = 99
03 옥사이드(oxide) 
  3.1 옥사이드(oxide) = 103
    3.1.1. 옥사이드의 개념 = 103
    3.1.2. Black oxide 공정 = 104
    3.1.3. multi bond 공정 = 106
  3.2 고신뢰성 Multi Bonding system = 108
    3.2.1. 개요 = 108
    3.2.2. 실험 및 결과 = 109
    3.2.3. 요약 = 114
04 Desmaer(디스미어) 
  4.1 Desmear(디스미어) = 117
    4.1.1. 개념 = 117
    4.1.2. 공정별 Key Point = 117
    4.1.3. 설비적 측면 = 119
    4.1.4. Desmear 방식 종류별 차이점 = 120
    4.1.5. 기타 = 120
  4.2 Desmear 공정(Sweller 종류별) = 120
    4.2.1. 개념 = 120
    4.2.2. 재질별 Desmear 처리 Test = 121
    4.2.3. Test 결과 = 123
    4.2.4. 결과 = 139
05 P.T.H(electorlessCuplating) : 무전해동도금 
  5.1 P.T.H(electroless Cu plating) : 무전해동도금 = 143
    5.1.1. 개념 = 143
    5.1.2. Loading factor = 144
    5.1.3. 처리 공정별 mechanism = 144
  5.2 Build up process 적용을 위한 Electroless Cu plating = 150
    5.2.1. 개념 = 150
    5.2.2. Build up process = 151
    5.2.3. 절연층과 electroless Cu의 접착력 증강제 = 152
  5.3 No formaldehyde 무전해 화학동도금 = 159
    5.3.1. 개요 = 159
    5.3.2. 공정 = 159
    5.3.3. Technical data = 160
06 전기동도금(electrolytic Cu Plating) 
  6.1 전기동도금(electrolytic Cu Plating) = 165
    6.1.1. 개념 = 165
    6.1.2. 전기동도금(유산동 도금) 용액 = 165
    6.1.3. 전기동도금용액 관리 요건 = 168
    6.1.4. 전기동도금 설비 관리 = 169
    6.1.5. 전기동도금의 오염물 제거 방법 = 169
    6.1.6. 전기동도금 불량 대처 = 170
  6.2 유산동도금의 기술동향 및 미래 = 170
    6.2.1. 산업동향 = 170
    6.2.2. 기술 동향 = 170
    6.2.3. 미래 요구 조건들 = 171
  6.3 유산동도금 Line 설비 요건 = 172
    6.3.1. Tank = 172
    6.3.2. Heater＆Cooling = 172
    6.3.3. Anode = 172
    6.3.4. anode - Cathode = 173
    6.3.5. agitation(교반) = 173
    6.3.6. filter＆Pump = 174
  6.4 전기동도금 신율＆광택제 = 174
    6.4.1. 개요 = 174
    6.4.2. 연신율 실험 = 175
    6.4.3. Test 결과 = 176
    6.4.4. 요약 = 181
  6.5 수직형 reverse pulse 도금 = 181
    6.5.1. 개요 = 181
    6.5.2. Technical data = 181
    6.5.3. 요약 = 185
  6.6 High density PWB 적용용 전기 Tin 도금 = 189
    6.6.1. 개요 = 189
    6.6.2. Technical data = 189
07 Cu Via fill 도금 
  7.1 Cu Via fill 도금 
    7.1.1. 개념 = 195
    7.1.2. Via fill Cu도금업체 = 195
    7.1.3. Via fill Cu도금설비 = 195
    7.1.4. Via fill Cu 도금의 일반적인 특징 = 196
    7.1.5. Via fill의 원리 = 196
    7.1.6. Via fill Cu도금 조건 = 196
  7.2 Filled micro Via 원리 및 적용 = 197
    7.2.1. 개념 = 197
    7.2.2. 적용 = 197
    7.2.3. Through Via의 filling = 198
  7.3 BMV(Blind Micro Via) Filling＆T.H(Through hole) 도금 기술 = 200
    7.3.1. 개요 = 201
    7.3.2. Technical data = 201
08 Direct metalization = 202
  8.1 Direct metalization 
    8.1.1. 개념 = 209
    8.1.2. 방식 = 209
  8.2 Direct plating(Conductive Polymer) = 209
    8.2.1. 개요 = 216
    8.2.2. Direct plating의 비교분석 = 216
  8.3 Direct metalization(Graphite 분산 안전성, 도포, 도금 원리) = 216
    8.3.1. 개요 = 220
    8.3.2. Technical data = 220
09 etching(부식) = 220
  9.1 etching(부식) 종류별 개념 
    9.1.1. 염화동 부식(Cucl₂) = 22
    9.1.2. 염화철 부식(Fecl₃) = 227
    9.1.3. 알칼리 부식(NH₄Cl) = 228
    9.1.4. Soft etching = 229
    9.1.5. etching(부식)의 물리적 Factor = 230
    9.1.6. etching(부식)의 technical data = 231
  9.2 Fine Line etching 기술 = 232
    9.2.1. 개념 = 235
    9.2.2. 결과 = 235
    9.2.3. 요약 = 238
  9.3 New etch Technology = 238
    9.3.1. 개요 = 239
    9.3.2. New etch process의 필요성 = 239
10 Strip(박리)
  10.1 Strip(박리)의 종류별 개념 = 243
    10.1.1. 개념 = 243
    10.1.2. D／F 박리 = 243
    10.1.3. Sn／Pb 박리 = 248
    10.1.4. Ink 박리 = 249
    10.1.5. 랙크 박리 = 250
11 Finish 처리랙크 박리 
  11.1 Finish 처리 종류별 개념 = 253
    11.1.1. HASL(Hot Air Salder Levelling) = 253
    11.1.2. ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold) = 255
    11.1.3. ENIG의 P(인)의 영향 = 257
    11.1.4. 치환 Tin(석) 도금 = 260
    11.1.5. 치환 Ag(은) 도금 = 261
    11.1.6. OSP(Organic Solderabilltly perservertive) = 262
    11.1.7. 고성능 인(P)을 함유한 ENIG 공정 평가 = 266
    11.1.8. 차세대 OSP 및 복합 금속처리 PWB／BGA = 271
12 표면 전처리 = 281
  12.1 S／M 및 Ultra Fine Line D／F 전처리용 표면처리 = 281
    12.1.1. 개요 = 281
    12.1.2. Cu 표면처리 Process = 281
    12.1.3. 새로운 초 요철 형상의 Cu표면 처리 Process = 282
    12.1.4. immersion Tin이 필요한 이유 = 282
    12.1.5. 초 요철 형상의 S／M 전처리의 특징 = 283
    12.1.6. 반응 원리 = 288
    12.1.7. ULTRA FINE Line D／F 전처리 = 288
    12.1.8. Cu 표면 처리 선택 요령 = 289
  12.2 S／M의 기계적／화학적 전처리 공정의 품질 평가 = 289
    12.2.1. 개요 = 289
    12.2.2. 배경 = 290
    12.2.3. Test = 295
13 D／F photoresist
  13.1 D／F photoresist = 303
    13.1.1. D／F photoresist의 적용 = 303
  13.2 D／F 회로형성의 5가지 공정 = 304
    13.2.1. 정면 = 304
    13.2.2. 정면 방식 = 304
    13.2.3. 표면 확인 방법 = 306
    13.2.4. 내ㆍ외층 표면 관점 = 306
  13.3 D／F Lamination = 306
    13.3.1. 표면 상태 = 307
    13.3.2. 라미네이터 상태 = 307
    13.3.3. 공정 조건 = 308
    13.3.4. 내ㆍ외층의 수율 항상 조건 = 309
  13.4 D／F 노광 = 309
    13.4.1. Film = 309
    13.4.2. 노광 = 310
    13.4.3. 노광 공정 추천 조건 = 311
    13.4.4. 평행광과 산란광 = 312
    13.4.5. 환경 = 312
    13.4.6. 내ㆍ외층 수율 항상 조건 = 312
  13.5 D／F 현상 = 313
    13.5.1. 현상 공정 조건 = 313