지은이 소개 = 2
추천사 = 3
지은이 머리말 = 4
미리보기 = 6
PART 01 반도체와 마케팅
  01. 20세기 최고의 발명품, 점 접촉 트랜지스터 = 13
  02. 자유전자의 탄생 = 18
  03. 전자와 에너지 = 24
  04. 반도체의 정의 = 30
  05. 디램과 낸드 플래시 = 37
  06. 넷다이, 반도체 테크놀로지가 결정하다 = 50
  07. 메모리의 성장과 제품의 세대교체 = 59
  08. 용량과 원가, 그리고 시장지배력 = 71
PART 02 층 쌓기, 반도체를 짓다
  09. 웨이퍼의 종류와 특성 = 81
  10. 초순수 위에 극초순수를 쌓다, 에피텍시 기술 = 92
  11. 이상적인 절연 기능, 산화막 = 100
    [반도체 탐구 영역] 산화막 편 = 111
  12. 게이트 옥사이드의 기능과 신뢰성 = 114
    [반도체 탐구 영역] 게이트 옥사이드 편 = 121
  13. ALD, 분자막 쌓기 = 123
    [반도체 탐구 영역] ALD 편 = 135
  14. 가스로 필름을 만드는 CVD = 138
    [반도체 탐구 영역] 화학기상증착(CVD) 편 = 150
  15. MOS, 수직축으로 본 전계의 전달 = 152
  16. 게이트 단자의 변신 = 160
    [반도체 탐구 영역] 게이트 단자 편 = 171
  17. 팹 프로세스 1. 게이트 ＋ 게이트 옥사이드 = 174
PART 03 패턴을 조각하다
  18. 빛과 돌로 만드는 반도체, 포토-리소그래피 = 187
    [반도체 탐구 영역] 포토-리소그래피 편 = 200
  19. 포토 공정 : 감광액(PR) 도포하기 = 203
  20. 포토 공정 : 노광과 현상 = 211
    [반도체 탐구 영역] 포토 공정 편 = 225
  21. 프로세스의 카운셀러, 플라즈마 = 229
    [반도체 탐구 영역] 플라즈마 편 = 241
  22. 식각 : 패턴을 시작하다 = 244
  23. 식각 : 패턴을 완성하다 = 251
    [반도체 탐구 영역] 식각 편 = 261
  24. 반도체를 세탁하다, 세정 공정 = 263
    [반도체 탐구 영역] 세정 공정 편 = 275
  25. 팹 프로세스 2. 소자분리막(STI) 구축하기 = 277
PART 04 트랜지스터, 농도의 화신
  26. 확산, 모두를 포용하다 = 291
    [반도체 탐구 영역] 확산 편 = 304
  27. 이온주입, 건설적 파괴 = 306
    [반도체 탐구 영역] 이온주입 편 = 317
  28. 웨이퍼를 담금질하다, 파괴를 복원하는 어닐링 = 319
    [반도체 탐구 영역] 어닐링 편 = 327
  29. 다수 캐리어와 소수 캐리어 = 329
  30. 캐리어의 사막지대, 결핍 영역 = 341
  31. FET, 수평축으로 본 전자의 이동 = 353
PART 05 MOSFET 특성과 CMOS 스위칭
  32. 문턱전압, 트랜지스터 동작의 첫걸음 = 363
    [반도체 탐구 영역] 문턱전압 편 = 376
  33. 채널, 전자의 이동통로 = 378
  34. 단채널 부작용과 누설전류 = 389
    [반도체 탐구 영역] 단채널 부작용과 누설전류 편 = 403
  35. 팹 프로세스 3. 스페이서 ＋ LDD = 405
  36. MOSFET 동작특성, 드레인 전류의 변화 = 415
  37. CMOS, 반도체 르네상스를 이끈 디바이스의 최강자 = 432
  38. 이상적인 스위칭, CMOS 동작특성 = 446
    [반도체 탐구 영역] CMOS 동작특성 편 = 463
참고문헌 = 466
출처 = 468
찾아보기 = 471