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기사제목
MgO 보호막의 결함 전위 레벨이 AC-PDP 방전 특성에 미치는 효과:
기사저자명
권상직 김용재 조의식
출판사
대한전자공학회
발행년
2007
자료유형
저널기사
2.
기사제목
증착된 비정질 실리콘층을 통한 As-Preamorphization 방법으로 형성된 소오스/드레인을 갖는 deep submicron PMOSFET의 제작
기사저자명
권상직 김여환 신영화
출판사
대한전자공학회
발행년
1995
자료유형
저널기사
3.
기사제목
실리사이드화된 극저층 p+-n 접합형성 기술의 개발
기사저자명
권상직
출판사
경원대학교
발행년
1993
자료유형
저널기사
4.
기사제목
아르곤 이온에 의해 표면처리된 CNT 에미터의 전계방출 특성:
기사저자명
권상직
출판사
대한전자공학회
발행년
2007
자료유형
저널기사
5.
기사제목
고효율 PDP 제작을 위한 지농 인라인 실장에서의 초기 진공도에 따른 방전특성 분석:
기사저자명
권상직 장찬규 김용재
출판사
한국진공학회
발행년
2006
자료유형
저널기사
6.
기사제목
고효율 PDP를 위한 진공 인라인 실장에서의 MgO 보호막 영향분석:
기사저자명
권상직 장찬규
출판사
한국전기전자재료학회
발행년
2005
자료유형
저널기사
7.
기사제목
스크린 프린팅 방법에 의해 게이트-에미터간 자체정렬된 3극 구조의 CNT FEA 제조:
기사저자명
권상직
출판사
한국전기전자재료학회
발행년
2006
자료유형
저널기사
8.
기사제목
Operational PDP fabrication by using a fully vacuum in-line sealing technology
기사저자명
권상직 홍건조 성정호
출판사
한국물리학회
발행년
2000
자료유형
저널기사
9.
기사제목
Variation in the properties of ZnO:Al films grown by using atomic layer deposition with the precursor-pulse ratio:
기사저자명
권상직 이현재 서용원 정흔섭
출판사
한국물리학회
발행년
2003
자료유형
저널기사
10.
기사제목
비소 비정질화 방법에 의한 얕은 p'-n 접합의 형성과 특성분석
기사저자명
권상직
출판사
대한전자공학회
발행년
1993
자료유형
저널기사
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