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검색어[전방일치/ 기사저자명:노태문 ]

총 6건 중 6건 출력

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Service Form

1.

기사제목: 휴대용 TRS 단말기를 위한 고효율 3W급 전력 증폭기 개발
기사저자명: 노태문 김범만 박위상
출판사: 한국이동통신
발행년: 1996
자료유형: 저널기사

2.

기사제목: 센서 ROIC 기술 동향:
기사저자명: 노태문 전영득 여준기 조민형 김이경
출판사: 한국전자통신연구소
발행년: 2013
자료유형: 저널기사

3.

기사제목: Breakdown voltage improvement of p-LDMOSFET with an uneven racetrack source for PDP driver IC applications
기사저자명: 노태문 이대우 양일석
출판사: Electronics and Telecommunications Research Institute
발행년: 2002
자료유형: 저널기사

4.

기사제목: 산화막 및 재산화질화산화막의 MOS 캐패시터와 MOSFET의 신뢰성
기사저자명: 노태문 이경수 유병곤
출판사: 대한전자공학회
발행년: 1993
자료유형: 저널기사

5.

기사제목: High-Voltage SOI poewer IC technology with non-RESURF n-LDMOSFET and RESURF p-LDMOSFET for PDP scan-driver applications
기사저자명: 노태문 이대우 김종대
출판사: 한국물리학회
발행년: 2000
자료유형: 저널기사

6.

기사제목: Fixed Homography-Based Real-Time SW/HW Image Stitching Engine for Motor Vehicles
기사저자명: 석정희 류천기 윤상훈 노태문
출판사: Electronics and Telecommunications Research Institute
발행년: 2015
자료유형: 저널기사

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