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기사제목
GaN 전력반도체 글로벌 연구개발 현황 및 미래 발전방향
기사저자명
문재경 배성범 이형석 정동윤
출판사
한국전자통신연구소
발행년
2016
자료유형
저널기사
2.
기사제목
Design of Parasitic Inductance Reduction in GaN Cascode FET for High-Efficiency Operation
기사저자명
장우진 박영락 문재경 고상춘
출판사
Electronics and Telecommunications Research Institute
발행년
2016
자료유형
저널기사
3.
기사제목
극한 환경용 반도체 기술 동향
기사저자명
장우진 문재경 이형석 임종원 백용순
출판사
한국전자통신연구소
발행년
2018
자료유형
저널기사
4.
기사제목
레일리 페이딩 채널에서 MPSK와 MQAM을 이용한 적응적 시스템의 성능 분석
기사저자명
문재경 김재원 최송인 하영호 김수중
출판사
韓國通信學會
발행년
1999
자료유형
저널기사
5.
기사제목
시변 다중경로 페이딩 체널에서 COFDM 시스템의 채널 추정
기사저자명
문재경 박순용 김민택
출판사
韓國通信學會
발행년
2000
자료유형
저널기사
6.
기사제목
주파수 비선택성 채널에서 16QAM 시스템의 심볼 타이밍 복원 성능
기사저자명
문재경 오길남 박재홍 하영호 김수중
출판사
韓國通信學會
발행년
1999
자료유형
저널기사
7.
기사제목
자기 누설 신호의 측정을 이용한 배관의 결함 깊이 추정:
기사저자명
문재경 이승현 이인원 박관수 이민호
출판사
한국센서학회
발행년
2006
자료유형
저널기사
8.
기사제목
SPDT 단일고주파집적회로 스위치용 pHEMT 채널구조 설계:
기사저자명
문재경 임종원 장우진 지홍구 안호균 김해천 박종욱
출판사
한국진공학회
발행년
2005
자료유형
저널기사
9.
기사제목
전기도금법에 의한 T-형 게이트 GaAs MESFET의 제작 및 특성
기사저자명
문재경 임종원 김해천
출판사
한국물리학회
발행년
2001
자료유형
저널기사
10.
기사제목
GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향 :
기사저자명
문재경 배성범 장우진 임종원 남은수
출판사
한국전자통신연구소
발행년
2012
자료유형
저널기사
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