대구한의대학교 향산도서관

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검색어[전방일치/ 기사저자명:엄금용 오환술]
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1.
기사제목
STI를 이용한 서브 0.1um VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구  미리보기
기사저자명
엄금용 오환술
출판사
한국전기전자재료학회
발행년
2000
자료유형
NotFound 저널기사
2.
기사제목
개선된 티타늄실리사이드 형성방법을 이용한 서브 0.1㎛게이트 산화막의 특성개선에 관한 연구  미리보기
기사저자명
엄금용 오환술
출판사
한국물리학회
발행년
2000
자료유형
NotFound 저널기사
3.
기사제목
새로운 TiSi2 형성방법과 STI를 이용한 초박막 게이트 산화막의 특성 개선 연구  미리보기
기사저자명
엄금용 오환술
출판사
대한전자공학회
발행년
2000
자료유형
NotFound 저널기사
1 
Serial Form