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검색어[전방일치/ 기사저자명:우용득]

총 8건 중 8건 출력

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검색간략리스트

Service Form

1.

기사제목: InP에서의 Zn₃P₂ 박막 및 RTA법에 의한 Zn 확산의 특성:
기사저자명: 우용득
출판사: 한국진공학회
발행년: 2004
자료유형: 저널기사

2.

기사제목: Zn 확산법에 의한 p-InP 의 오믹 접촉 특성 향상:
기사저자명: 우용득 홍종성
출판사: 한국물리학회
발행년: 2004
자료유형: 저널기사

3.

기사제목: SimGen 단원자층 변형 초격자의 특성
기사저자명: 우용득 이해익 강태원
출판사: 한국물리학회
발행년: 1995
자료유형: 저널기사

4.

기사제목: MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과:
기사저자명: 우용득 김문덕
출판사: 한국진공학회
발행년: 2003
자료유형: 저널기사

5.

기사제목: MBE로 성장한 SN/GAAS(100)층의 초기성장과 ANNEALING 효과
기사저자명: 우용득
출판사: 동국대학교 대학원
발행년: 1991
자료유형: 저널기사

6.

기사제목: 분자선 에피탁스 (MBE) 법으로 InP 기판 위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 As4 압력의 효과:
기사저자명: 우용득 김문덕
출판사: 한국물리학회
발행년: 2003
자료유형: 저널기사

7.

기사제목: MBE로 성장한 대칭적으로 변형된 Si/Ge 단원자층 초격자의 특성
기사저자명: 우용득 김문덕 한명수
출판사: 한국물리학회
발행년: 1992
자료유형: 저널기사

8.

기사제목: MBE 방법으로 성장된 (110)CoGa/GaAs의 구조적 특성
기사저자명: 우용득 강태원 이정용
출판사: 한국물리학회
발행년: 1992
자료유형: 저널기사

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