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검색어[전방일치/ 기사저자명:Fang Z.-Q.]

총 7건 중 7건 출력

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1.

기사제목: Electron and Hole Traps in GaN p-i-n Photodetectors Grown by Reactive Molecular Beam Epitaxy:
기사저자명: Fang, Z.-Q.;Look, D. C.;Lu, C.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 2000
자료유형: 저널기사

2.

기사제목: Identification of Cu-Related Thermally Stimulated Current Trap in Undoped Semi-Insulating GaAs:
기사저자명: Fang, Z.-Q.;Look, D. C.;Jones, R. L.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1997
자료유형: 저널기사

3.

기사제목: Characterization of Deep Centers in Undoped Semi-Insulating GaAs Substrates by Normalized Thermally Stimulated Current Spectroscopy: Comparison of 100 and 150 mm Wafers:
기사저자명: Fang, Z.-Q.;Look, D. C.;Mier, M. G.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1998
자료유형: 저널기사

4.

기사제목: Thermally Stimulated Current Spectroscopy of High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Substrates:
기사저자명: Fang, Z-Q,Claflin, B,Look, D C,Polenta, L,Mitchel, W C
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 2005
자료유형: 저널기사

5.

기사제목: Changes in Electrical Characteristics Associated with Degradation of InGaN Blue Light-Emitting Diodes:
기사저자명: Fang, Z. Q.;Reynolds, D. C.;Look, D. C.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 2000
자료유형: 저널기사

6.

기사제목: Electrical Characterization of Self-Assembled In~0~.~5 Ga~0~.~5As/GaAs Quantum Dots by Deep Level Transient Spectroscopy:
기사저자명: Fang, Z.-Q.;Xie, Q. H.;Look, D. C.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1999
자료유형: 저널기사

7.

기사제목: SPECIAL ISSUE PAPERS - Electrical Characteristics of a 6H-SiC Epitaxial Layer Grown by Chemical Vapor Deposition on Porous SiC Substrate:
기사저자명: Fang, Z-Q,Look, D C,Chandrasekaran, R,Rao, S,Saddow, S E
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 2004
자료유형: 저널기사

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