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검색어[전방일치/ 기사제목:Growth and characterization of InGaAs/InP p-quantum-well infrared photodetectors with extremely thin quantum wells]
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1.
기사제목
Growth and Characterization of InGaN/GaN MQWs on Two Different Types of Substrate:  미리보기
기사저자명
김택승 박재영 Cuong,TranViet 홍창희
출판사
Institute of Electronics Engineers of Korea
발행년
2006
자료유형
NotFound 저널기사
2.
기사제목
Growth and characterization of InGaAs/InP p-quantum-well infrared photodetectors with extremely thin quantum wells:  미리보기
기사저자명
Sengupta, D. K.;Jackson, S. L.;Curtis, A. P.;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
1997
자료유형
NotFound 저널기사
3.
기사제목
Growth and Characterization of InGaAs/InGaP Quantum Dots for Mid-infrared Photodetectors  미리보기
기사저자명
이명훈 강영규
출판사
한국물리학회
발행년
1999
자료유형
NotFound 저널기사
1 
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