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검색어[전방일치/ 기사저자명:Ping A. T.]

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1.

기사제목: Chemically assisted ion beam etching of gallium nitride
기사저자명: Ping, A. T. ; outsey, C. ; Adesida, I. ; Khan, M. Asif ; Kuz
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1995
자료유형: 저널기사

2.

기사제목: Ohmic Contacts to n-Type GaN Using Pd/Al Metallization:
기사저자명: Ping, A. T.;Asif Khan, M.;Adesida, I.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1996
자료유형: 저널기사

3.

기사제목: Dry Etching of GaN Using Chemically Assisted Ion Beam Etching with HCl and H~2/Cl~2:
기사저자명: Ping, A. T.;Schmitz, A. C.;Asif Khan, M.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1996
자료유형: 저널기사

4.

기사제목: The Effects of Reactive Ion Etching-Induced Damage on the Characteristics of Ohmic Contacts to n-Type GaN:
기사저자명: Ping, A. T.;Chen, Q.;Yang, J. W.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1998
자료유형: 저널기사

5.

기사제목: Characterization of Reactive Ion Etching-Induced Damage to n-GaN Surfaces Using Schottky Diodes:
기사저자명: Ping, A. T.;Schmitz, A. C.;Adesida, I.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1997
자료유형: 저널기사

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