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검색어[전방일치/ 기사제목:SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Surface Morphology of 6H-SiC after Thermal Diffusion]
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1.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Foreword //:  미리보기
기사저자명
Capano, Michael ;Dupuis, Russ ;Redwing, Joan ;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
2.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Magnetism in SiC Implanted with High Doses of Fe and Mn:  미리보기
기사저자명
Pearton, S J ;Lee, K P ;Overberg, M E ;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
3.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Ohmic Contact Formation on Inductively Coupled Plasma Etched 4H-Silicon Carbide:  미리보기
기사저자명
Lee, S-K ;Koo, S-M ;Zetterling, C-M ;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
4.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - A Technique to Reduce the Contact Resistance to 4H-Silicon Carbide Using Germanium Implantation:  미리보기
기사저자명
Katulka, G ;Roe, K J ;Kolodzey, J ;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
5.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Interactions between Intrinsic Defects and Nitrogen/Boron Impurities in High-Resistivity 4H SiC: Electron Paramagnetic Resonance Study:  미리보기
기사저자명
Konovalov, V V ;Zvanut, M E ;Subj.:Electrical Engineering;(
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
6.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Comparative Hall Measurements on Wet- and Dry-Oxidized 4H-SiC MOSFETs:  미리보기
기사저자명
Chatty, K ;Chow, T P ;Gutmann, R J ;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
7.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Growth and Doping of SiC-Thin Films on Low-Stress, Amorphous Si3N4/Si Substrate for Robust Microelectromechanical Systems Applications:  미리보기
기사저자명
Cheng, L ;Pan, M ;Scofield, J ;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
8.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Grown by the Seeded-Sublimation Method:  미리보기
기사저자명
Jenny, J R ;Muller, St G ;Powell, A ;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
9.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Stacking-Fault Formation and Propagation in 4H-SiC PiN Diodes:  미리보기
기사저자명
Stahlbush, R E ;Fatemi, M ;Fedison, J B ;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
10.
기사제목
SPECIAL ISSUE PAPERS ON III-V NITRIDES AND SILICON CARBIDE - Surface Morphology of 6H-SiC after Thermal Diffusion:  미리보기
기사저자명
Gao, Ying ;Soloviev, S I ;Sudarshan, T S ;Subj.:
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2002
자료유형
NotFound 저널기사
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