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검색어[전방일치/ 기사저자명:Seaford M. L.]
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1.
기사제목
Strain Relief by Surface Undulations of Dislocation Free MBE Grown Antimonides on Compliant Universal GaAs Sub:  미리보기
기사저자명
Seaford, M. L.;Hesse, P. J.;Tomich, D. H.;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
1999
자료유형
NotFound 저널기사
2.
기사제목
The Use of Computer Controlled Group V Valved Sources for Interface Type Control in InGaSb/InAs Strained Layer Superlattices:  미리보기
기사저자명
Seaford, M. L.;Solomon, J. S.;Tomich, D. H.;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
1999
자료유형
NotFound 저널기사
3.
기사제목
Comparison of GaAs Grown on Standard Si (511) and Compliant SOI (511):  미리보기
기사저자명
Seaford, M. L.;Tomich, D. H.;Eyink, K. G.;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
2000
자료유형
NotFound 저널기사
4.
기사제목
Optimization of the Spacer Layer Thickness in AlInAs/InGaAs/InP MODFETs:  미리보기
기사저자명
Seaford, M. L.;Martin, G.;Eastman, L. F.;
출판사
Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년
1996
자료유형
NotFound 저널기사
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