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검색어[전방일치/ 기사저자명:Sengupta D. K. ]

총 5건 중 5건 출력

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1.

기사제목: Growth and Characterization of n-Type InP/InGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors for Response at 8.93 ?:
기사저자명: Sengupta, D. K.;Jackson, S. L.;Curtis, A. P.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1997
자료유형: 저널기사

2.

기사제목: Effects of Rapid Thermal Annealing on the Device Characteristics of Quantum Well Infrared Photodetectors:
기사저자명: Sengupta, D. K.;Fang, W.;Malin, J. I.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1996
자료유형: 저널기사

3.

기사제목: Growth and characterization of InGaAs/InP p-quantum-well infrared photodetectors with extremely thin quantum wells:
기사저자명: Sengupta, D. K.;Jackson, S. L.;Curtis, A. P.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1997
자료유형: 저널기사

4.

기사제목: Growth and characterization of n-Type GaAs/AlGaAs Quantum Well infrared photodetector on GaAs-on-Si Substrate:
기사저자명: Sengupta, D. K. ;Weisman, M. B. ;Feng, M. ;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1998
자료유형: 저널기사

5.

기사제목: Effects of Rapid Thermal Annealing on the Device Characteristics of Quantum Well Infrared Photodetectors:
기사저자명: Sengupta, D. K.;Fang, W.;Malin, J. I.;
출판사: Institute of Electrical and Electronics Engineers
발행년: 1996
자료유형: 저널기사

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