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Effect of Composition on Deep Levels in Heteroepitaxial Ge~xSi~1~-~x Layers and Evidence for Dominant Intrinsic Recombination-Generation in Relaxed Ge Layers on Si: / Grillot, P. N.;Ringel, S. A.;Fitzgerald, E. A.; / Institute of Electrical and Electronics Engineers / Journal of Electronic Materials / 1996 /
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