대구한의대학교 향산도서관

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70 nm T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성: / 김성찬 임병옥 백태종 고백석 신동훈 이진구 / 대한전자공학회 / 전자공학회논문지 - SD / 2004 /