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Characteristics of InGaN/GaN multi-quantum-well light-emitting diodes with various growth emperatures of p-GaN layers: / 김C.S. 윤H.S. 최R.J. 배S.J. 조H.K. 이B.K. 강D.S. 서E.-K. 한Y.B. 이H.J. 홍C.-H. / 한국물리학회 / Journal of the Korean Physical Society / 2003 /