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Export to Refworks부가기능
Gate-Induced Drain Leakage를 줄인 새로운 구조의 고성능 Elevated Source Drain MOSFET에 관한 분석
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| No. | 소장처 | 소장사항 | 청구기호 | 구독 | 최근입수호 | 권호·제본정보 보기 |
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| 1 | 삼성캠퍼스/종합자료실/ | 569.05 전자공구 | 구독중 | 2012년 08월 제49권 8호 |
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| 2 | 삼성캠퍼스/연속간행물실(2층)/ | 569.05 전자공구 |
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