부가기능
Ni/4H-SiC field plate schottky 다이오드 제작 시 과도 식각에 의해 형성된 nickel_titanium 이중 금속 schottky 접합 특성과 공정 개선 연구:
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삼성캠퍼스/연속간행물실(2층)/
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530.405 |
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2011년 02월 제21권 2호 |
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