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Fluorine Effects on NMOS Characteristics and DRAM Refresh:

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자료유형기사
기사명Fluorine Effects on NMOS Characteristics and DRAM Refresh :
저자명최덕성
발행/형태사항: Institute of Electronics Engineers of Korea, 2012
수록잡지명Journal of Semiconductor Technology and Science : 2012년 03월 Vol.12 No.1
페이지41~45

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