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Remoto PECVD로 저온성장된 SiO₂/Insb의 전기적 특성

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자료유형기사
기사명Remoto PECVD로 저온성장된 SiO₂/Insb의 전기적 특성 :
저자명이재곤 박상준 최시영
발행/형태사항: 한국진공학회, 1996
수록잡지명韓國眞空學會誌 : 1996년 09월 제5권 3호
페이지223-228

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