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Export to Refworks부가기능
게이트 구조가 다른 LDD MOSFET에서 게이트전압 변조에 의한 유효채널길이 및 n- 지역의 저항변화
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소장정보
- 소장정보
| No. | 소장처 | 소장사항 | 청구기호 | 구독 | 최근입수호 | 권호·제본정보 보기 |
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| 1 | 삼성캠퍼스/연속간행물실(2층)/ | 420 응용물 | 구독중단 | 2000년부터 새물리로 통합 |
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| No. | 소장처 | 소장사항 | 청구기호 | 구독 | 최근입수호 | 권호·제본정보 보기 |
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| 1 | 삼성캠퍼스/연속간행물실(2층)/ | 420 응용물 | 구독중단 | 2000년부터 새물리로 통합 |
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