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Design Consideration of Gate Shape in SOI MOSFETs for RF Applications

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자료유형기사
기사명Design Consideration of Gate Shape in SOI MOSFETs for RF Applications :
저자명이혁재 나현철 박영준
발행/형태사항: 한국물리학회, 2002
수록잡지명Journal of the Korean Physical Society : 2002년 04월 Vol.40 No.4
페이지658-662

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