목차 일부

제1장 半導體의 基本物性  ... 11
  1-1 結成構造  ... 11
  1-2 固體의 價電子結合모델  ... 15
  1-3 有效質量과 에너지 밴드의 槪念  ... 16
  1-4 半導體에서의 自由캐리어濃度  ... 22
    1-4-1 에너지와 狀態密度  ... 22
    1-4-2 分布函數  ... 24
    1-4-3 平衡캐리어密度  ......

더보기

목차 전체

제1장 半導體의 基本物性  ... 11
  1-1 結成構造  ... 11
  1-2 固體의 價電子結合모델  ... 15
  1-3 有效質量과 에너지 밴드의 槪念  ... 16
  1-4 半導體에서의 自由캐리어濃度  ... 22
    1-4-1 에너지와 狀態密度  ... 22
    1-4-2 分布函數  ... 24
    1-4-3 平衡캐리어密度  ... 25
  1-5 眞性半導體와 不純物半導體  ... 28
  1-6 電子 및 正孔의 散亂과 드리프트  ... 33
  1-7 半導體에서의 傳導電流와 擴散電流  ... 39
    1-7-1 電氣傳導  ... 39
    1-7-2 擴散  ... 41
제2장 半導體의 非平衡狀態特性  ... 46
  2-1 캐리어의 發生,再結合 및 注入  ... 46
  2-2 캐리어의 注入레벨  ... 48
  2.3 再結合메카니즘  ... 49
    2-3-1 直接再結合  ... 49
    2-3-2 間接再結合  ... 51
  2-4 過渡期 再結合應答  ... 55
  2-5 表面再結合  ... 56
  2-6 靜電界와 電位  ... 58
  2-7 非均質性 半導體와 對入電界  ... 60
  2-8 準페르미準位  ... 61
  2-9 半導體를 지배하는 기본적인 式  ... 63
제3장 素子의 製造技術  ... 69
  3-1 基板의 準備와 接合形式  ... 70
  3-2 플래나技術  ... 73
  3-3 固體不純物擴散  ... 74
    3-3-1 前附着  ... 78
    3-3-2 內部擴散  ... 81
    3-3-3 金鑛散  ... 82
  3-4 에피택셜成長  ... 83
  3-5 熱醇化  ... 87
  3-6 醇化膜과 窒化膜매스크  ... 92
  3-7 이온注入法  ... 95
  3-8 不純物도우핑層의 特性  ... 100
    3-8-1 시이트抵抗  ... 101
제4장 p-n接合  ... 107
  4-1 平衡狀態의 p-n接合  ... 108
  4-2 空乏近似法  ... 112
  4-3 p-n接合의 바이어스  ... 114
  4-4 少數캐리어의 注入과 輸送  ... 117
    4-4-1 接合境界에 있어서 少數캐리어濃度  ... 118
    4-4-2 空間電荷效果와 擴散近似法  ... 119
  4-5 直流電流-電壓特性  ... 120
  4-6 空間電荷領域 내에서의 再結合과 發生電流  ... 125
  4-7 터널電流  ... 127
  4-8 V-I特性의 溫度依存性  ... 131
  4-9 小信號交流解析  ... 132
  4-10 遷移容量,不純物分布形成 및 바랙터  ... 134
  4-11 電荷蓄積과 逆過渡現象 : 段階回復다이오우드  ... 139
  4-12 p-n接合에서 電子沙汰隆伏現象  ... 144
제5장 金屬-半導體接合  ... 154
  5-1 쇼트키障壁의 에너지 밴드 다이어그램  ... 155
  5-2 電流-電壓特性  ... 160
  5-3 影像力에 의한 障壁높이의 低下  ... 165
  5-4 金屬-絶緣體-半導體쇼트키 다이오우드  ... 166
  5-5 쇼트키障壁과 p-n接合다이오우드의 比較  ... 167
  5-6 오믹接觸 : 非整流性 M-S接合  ... 169
  5-7 쇼트키障壁다이오우드의 構造  ... 171
  5-8 쇼트키障壁다이오우드의 應用  ... 172
    5-8-1 쇼트키障壁 檢波器 또는 믹서  ... 172
    5-8-2 쇼트키障壁 클램프型 트랜지스터  ... 174
  5-9 異種接合  ... 174
6장 太陽電池와 發光다이오우드  ... 181
  6-1 半導體에 있어서 光吸收現象  ... 181
  6-2 光起電力效果와 太陽電池의 效率  ... 184
  6-3 光電流와 蒐集效率  ... 188
  6-4 材料의 選擇과 設計上의 고려사항  ... 191
    6-4-1 太陽의 스펙트럼  ... 191
    6-4-2 最大電力  ... 193
    6-4-3 直列抵抗  ... 194
    6-4-4 表面反射  ... 195
    6-4-5 價格  ... 195
  6-5 쇼트키障壁과 MIS太陽電池  ... 196
  6-6 p-n接合에 의한 빛의 發生 : 發光다이오우드(LED)  ... 198
  6-7 少數캐리어注入과 注入效率  ... 199
  6-8 內部光電效果  ... 201
  6-9 外部量子效果  ... 203
  6-10 눈의 感度와 輝度  ... 207
  6-11 材料  ... 208
    6-11-1 GaAs다이오우드  ... 208
    6-11-2 GaP LED  ... 210
    6-11-3 GaA s1 -x $$P_xLED  ... 212
제7장 接合形電界效果트랜지스터  ... 220
  7-1 槪要  ... 20
  7-2 JEET의 理論  ... 222
  7-3 靜特性  ... 225
    7-3-1 線型領域  ... 226
    7-3-2 飽和領域  ... 226
    7-3-3 게이트漏搜電流  ... 227
    7-3-4 隆伏電壓  ... 228
    7-3-5 直列抵抗  ... 228
  7-4 小信號파라미터와 等價回路  ... 229
  7-5 遮斷周波數  ... 231
  7-6 쇼트키障壁 FET  ... 232
  7-7 핀치오프點 이상에서 JEET의 動作  ... 233
제8장 金屬-酸化膜-半導體(MOS)트랜지스터  ... 237
  8-1 理想的인 MOS構造에 있어서 表面空間電荷領域  ... 238
    8-1-1 캐리어蓄積  ... 240
    8-1-2 캐리어空乏  ... 241
    8-1-3 캐리어反轉  ... 242
  8-2 MOS콘덴서  ... 244
  8-3 채널 콘덕턴스  ... 246
  8-4 플랫-밴드電壓과 드레시호울드電壓  ... 248
  8-5 表面準位와 酸化膜에서의 電荷  ... 253
  8-6 MOS트랜지스터의 靜特性  ... 255
    8-6-1 動作의 線型領域  ... 256
    8-6-2 飽和領域  ... 258
    8-6-3 遮斷領域  ... 259
  8-7 小信號파라미터等價回路  ... 260
    8-7-1 遮斷周波數  ... 261
  8-8 基板바이어스의 效果  ... 262
  8-9 製作技術  ... 263
    8-9-1 p-채널工程  ... 264
    8-9-2 실리콘-게이트技術  ... 265
    8-9-3 이온注入工程  ... 267
    8-9-4 n-채널工程  ... 268
  8-10 기타FET  ... 268
제9장 바이폴라接合트랜지스터  ... 273
  9-1 트랜지스터作用  ... 274
  9-2 電流利得과 電流-電壓特性  ... 277
  9-3 電流成分과 利得式의 誘導  ... 280
  9-4 에버스-몰式  ... 285
  9-5 傾斜狀 베이스 트랜지스터  ... 288
  9-6 베이스擴散抵抗과 電流集中效果  ... 290
  9-7 트랜지스터의 周波數應答  ... 292
    9-7-1 베이스走行時間  ... 294
    9-7-2 에미터遷移容量充電時間  ... 295
    9-7-3 콜렉터空乏層走行時間  ... 295
    9-7-4 콜렉터容量充電時間  ... 296
  9-8 하이브리드-π型 等價回路  ... 297
  9-9 스위치로서의 트랜지스터  ... 299
    9-9-1 遲延時間  ... 301
    9-9-2 上昇時間과 下降時間  ... 302
    9-9-3 蓄積時間  ... 302
  9-10 降伏電壓  ... 304
    9-10-1 베이스共通形式  ... 305
    9-10-2 에미터共通形式  ... 305
    9-10-3 펀치-드루우降伏  ... 306
  9-11 p-n-p-n다이오우드  ... 307
  9-12 실리콘 制御整流器  ... 311
  9-13 雙方向p-n-p-n스위치  ... 313
제10장 集積回路  ... 320
  10-1 바이폴라集積素子의 分離技術  ... 321
    10-1-1 接合分離  ... 321
    10-1-2 絶緣物分離方法  ... 324
    10-1-3 接合-絶緣物分離  ... 325
  10-2 集積바이폴라 트랜지스터  ... 327
  10-3 複合트랜지스터構造  ... 330
  10-4 橫型 p-n-p트랜지스터  ... 332
  10-5 I2 L  ... 334
  10-6 MOS인버어터  ... 337
    10-6-1 線型抵抗負荷  ... 337
    10-6-2 飽和 MOS負荷  ... 338
    10-6-3 非飽和 MOS負荷  ... 339
    10-6-4 디플리이션 MOS負荷  ... 341
  10-7 相補型 MOS(CMOS) 인버어터  ... 342
  10-8 D-MOS와 V-MOS트랜지스터  ... 343
  10-9 不揮發性 MIS메모리素子 : MNOS와 FAMOS構造  ... 347
    10-9-1 MNOS트랜지스터  ... 348
    10-9-2 FAMOS트랜지스터  ... 351
제11장 電荷輸送素子  ... 357
  11-1 電荷輸送의 槪念  ... 357
  11-2 MOS콘덴서의 過渡特性  ... 360
  11-3 電極配列과 製造技術  ... 364
    11-3-1 3相 CCD  ... 364
    11-3-2 2相 CCD  ... 368
  11-4 傳送效率  ... 370
  11-5 電荷注入,檢出 및 再發生  ... 374
  11-6 벌크(埋入) 채널電荷結合素子  ... 378
  11-7 集積 BBD  ... 380
  11-8 電荷結合이미저  ... 382
  11-9 信號處理 및 메모리에의 應用  ... 385
    11-9-1 아날로그信號處理  ... 385
    11-9-2 디지탈 메모리 시스템  ... 388
附錄 A 原字, 電子, 에너지 밴드  ... 393
  A-1 보어原字  ... 393
  A-2 物質의 波動性 : 쉬뢰딩거方程式  ... 396
  A-3 狀態密度  ... 399
  A-4 元素의 電子構造  ... 400
  A-5 結晶의 에너지 밴드理論  ... 404
附錄 B 熱電子放出電流의 誘導  ... 409
附錄 C 誤差函數  ... 411
찾아보기  ... 413

더보기 닫기