목차 일부
第1章 金屬의 結晶構造
1-1 原子의 種類 ... 11
1-2 簡單한 原子의 構造 ... 15
1-3 電子의 波動性과 量子力學 ... 16
1-4 電子構造와 化學的 性質 ... 20
1-5 原子間의 結合力 ... 22
1-6 結晶의 分類 ... 37
1-7 空間格子와 結晶系 ... 38
1-8 重要한 金屬의 結晶構造...
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목차 전체
第1章 金屬의 結晶構造
1-1 原子의 種類 ... 11
1-2 簡單한 原子의 構造 ... 15
1-3 電子의 波動性과 量子力學 ... 16
1-4 電子構造와 化學的 性質 ... 20
1-5 原子間의 結合力 ... 22
1-6 結晶의 分類 ... 37
1-7 空間格子와 結晶系 ... 38
1-8 重要한 金屬의 結晶構造 ... 44
1-9 Miller 指數 ... 53
1-10 實在의 金屬構造 ... 56
第2章 金屬의 電子論
2-1 金屬理論의 發達過程 ... 61
2-2 金屬固體論의 發達 ... 62
2-3 獨立原子 ... 63
2-4 核外電子 ... 66
2-5 energy 帶域論 ... 67
2-6 energy 帶의 計算過程 ... 70
2-7 energy 帶의 性質 ... 72
2-8 energy 帶域論으로 본 固體의 性質 ... 74
2-9 自由電子 模型 ... 78
2-10 電子의 狀態密度 ... 82
2-11 自由電子의 進行波 ... 84
2-12 周期場內의 電子 ... 87
2-13 Brillouin 帶 ... 89
2-14 Fermi 面 ... 95
2-15 金屬의 磁性 ... 97
2-16 超傳導 ... 111
第3場 合金의 構造
3-1 槪論 ... 121
3-2 固溶體 ... 121
3-3 規則格子 ... 126
3-4 金屬間化合物 ... 138
3-5 金屬間化合物의 構造 ... 140
3-6 金屬間化合物의 超傳導 ... 143
第4章 結晶의 格子缺陷
4-1 點缺陷의 種類 ... 145
4-2 原子空孔과 濃度 ... 147
4-3 濃度式의 修正 ... 150
4-4 空孔形成의 活性化 energy ... 152
4-5 空孔의 電氣抵抗에 대한 영향 ... 155
4-6 空孔의 體積에 대한 영향 ... 155
4-7 空孔의 比熱에 대한 영향 ... 157
4-8 燒入된 空孔의 擧動 ... 157
4-9 理論的 剪斷應力 ... 159
4-10 轉位에 있어서의 原子配列 ... 164
4-11 轉位의 一般的 定義 ... 169
4-12 Burgers vector의 保存 ... 174
4-13 轉位를 움직이는데 必要한 剪斷應力 ... 175
4-14 轉位周圍의 應力場 ... 179
4-15 轉位의 自己 energy ... 183
4-16 두 개의 轉位間에 作用하는 힘 ... 185
4-17 轉位와 溶質原子間에 作用하는 힘 Cottrell 效果 ... 188
4-18 轉位의 運動 ... 192
4-19 轉位의 Jog ... 195
4-20 轉位와 點缺陷 ... 197
4-21 轉位網 ... 201
4-22 轉位의 增殖 ... 202
4-23 完全轉位와 部分轉位 ... 209
4-24 面心立方格子에 있어서의 轉位 ... 211
4-25 稠密六方格子에 있어서 轉位 ... 221
4-26 體心立方格子에 있어서의 轉位 ... 222
4-27 轉位의 起源 ... 224
4-28 轉位의 slip 運動速度 ... 225
4-29 轉位의 直接觀察法 ... 226
第5章 塑性變形
5-1 單結晶의 製造 ... 231
5-2 單結晶의 方位를 決定하는 方法 ... 232
5-3 單結晶의 塑性變形 ... 238
5-4 slip 變形의 結晶學 ... 241
5-5 臨界剪斷應力에 미치는 여러 가지 因子 ... 246
5-6 slip 線의 形態 ... 249
第6章 金屬의 凝固
6-1 液體金屬의 構造 ... 253
6-2 金屬의 凝固 ... 254
6-3 核發生機構 ... 256
6-4 核成長機構 ... 259
6-5 凝固界面, chill 層, 柱狀結晶, 粒狀結晶 ... 260
6-6 結晶粒界, 亞境界 ... 263
6-7 結晶粒界의 性質 ... 266
6-8 結晶粒界의 轉位 ... 267
6-9 凝固偏析 ... 268
6-10 金屬材料의 偏析精製 ... 270
第7章 擴散
7-1 Fick의 法則 ... 273
7-2 Fick의 法則의 修正 ... 278
7-3 擴散係數의 物理的 意味 ... 281
7-4 振動數 因子의 物理的 意味 ... 285
7-5 自己擴散 ... 288
7-6 擴散의 機構 ... 289
7-7 Kirkendall 效果 ... 295
7-8 粒界擴散 ... 297
第8章 結晶粒界
8-1 물방울 모양 ... 301
8-2 界面의 種類 ... 305
8-3 小傾角境界 ... 308
8-4 비틀림境界 ... 312
8-5 大傾角境界 ... 314
8-6 境界 energy ... 315
8-7 粒界에서의 平衡偏析 ... 317
8-8 塑性變形에 미치는 粒界의 影響 ... 318
第9章 析出現象 時效現象
9-1 析出의 驅動力 ... 323
9-2 析出核의 發生과 成長 ... 327
9-3 析出機構의 分類와 格子缺陷 ... 332
9-4 連續析出 ... 334
9-5 不連續析出 ... 338
9-6 spinodall分解 ... 344
9-7 時效析出 ... 347
9-8 復元 ... 356
第10章 回復과 再結晶
10-1 回復과 再結晶의 槪論 ... 359
10-2 金屬의 加工 및 燒鈍에 의한 性質變化 ... 361
10-3 熱力學的 考察 ... 366
10-4 變形集合組織 ... 369
10-5 回復 ... 370
10-6 回復의 速度論 ... 374
10-7 再結晶 ... 375
10-8 再結晶의 成長 ... 383
10-9 一次再結晶의 速度論 ... 385
10-10 結晶粒 成長의 速度論 ... 386
10-11 二次再結晶 ... 388
10-12 再結晶集合組織 ... 389
10-13 集合組織과 機械的 性質의 異方性 ... 390
第11章 半導體理論
11-1 半導體의 槪念 ... 393
11-2 眞性 半導體 ... 394
11-3 不純物形 半導體 ... 398
11-4 導電에 관한 基礎量 Carrier 濃度, 易動度, Hall 係數 ... 401
11-5 不純物에 의한 電氣的 性質의 變化 ... 404
11-6 正孔의 注入 ... 407
11-7 p-n junction ... 408
11-8 Hetero-junction ... 411
11-9 Zener 電壓 ... 412
11-10 Diode ... 413
11-11 Transister ... 414
11-12 高純度 半導體原料의 製造法 ... 415
11-13 半導體材料의 精製法 ... 420
11-14 Si의 純度檢定 ... 433
11-15 半導體의 單結晶 및 p-n junction의 製作 ... 441
11-16 半導體의 Epitaxial 成長 ... 444
11-17 半導體의 結晶缺陷 ... 449
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