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01 PCB 신공법
1.1P²EV(Photoresist&Polishing epxy for Via) 공법 = 3
1.1.1. 개념 = 3
1.2.2. Process = 3
1.2 Photo Via Process = 5
1.2.1. 개념 = 5
1.2.2. Process 는 다음과 같다 = 5
1.2.3...
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01 PCB 신공법
1.1P²EV(Photoresist&Polishing epxy for Via) 공법 = 3
1.1.1. 개념 = 3
1.2.2. Process = 3
1.2 Photo Via Process = 5
1.2.1. 개념 = 5
1.2.2. Process 는 다음과 같다 = 5
1.2.3. 세부 Process 내용 = 6
1.3 Fine Line 제조 공법 = 9
1.3.1. 개념 = 9
1.3.2. Semi-additive 공법1의 중요 Factor = 10
1.3.3. Fine Line 달성을 위한 조건 = 12
1.4 Laser Direct Drill 용 UTC을 이용한 HDI PCB 제조 기술 = 13
1.4.1. 개요 = 13
1.4.2. Laser Direct Drill을 위한 방법 = 14
1.4.3. LDD(Laser Direct Drill) = 14
1.4.4. 적용 예 = 22
1.5 PWB 제조에 있어서 Image Transfer = 23
1.5.1. Contact Printing 의 대체 = 23
1.5.2. Ink Jet 기술 = 24
1.5.3. Embedded Passive Components = 27
1.5.4. Opitical Waveguides를 가진 PWBS = 33
1.6 High Density Flex Ciruit 용 micro Via 형성 기술 = 35
1.6.1. 기술 개발 배경 = 35
1.6.2. Micro Via 의 형성 = 36
1.6.3. Micro Via 제조 공정 = 38
1.6.4. 요약 = 40
1.7 PCB 내 광 도파로의 개발 기술 = 44
1.7.1. 광 PCB의 등장 = 44
1.7.2. PCB 내에 Microvias를 사용해야 하는 이유 = 44
1.7.3. 광 전자와 도파로 = 45
1.7.4. 광 도파로의 재료 = 46
1.7.5. 3D 제조 기술들 = 48
1.7.6. 새로운 성분들 = 51
1.8 PCB의 신공법 = 53
1.8.1. Build up 공법 = 53
1.8.2. Stack Via의 개념 = 53
1.8.3. Stack Via 형성 기수리들 = 54
1.9 Impedance Control PCB = 56
1.9.1. 개념 = 56
1.9.2. 기판 설계와 관련된 전자특성 = 56
1.9.3. 신호 감쇠(Signal Loss : attenuation) = 58
1.9.4. 전송 지연(Time delay : propagation delay) = 58
1.9.5. 혼선(Cross talk) = 58
1.9.6. 표피 효과(Skin effect) = 58
1.9.7. Impedance = 58
1.9.8. 설계 = 60
1.9.9. 원자재 선정 = 61
1.9.10. PCB 제조시 관리 항목 = 62
02 PCB 품질/제조기술
2.1 Bonding력에 영향을 미치는 Cu foil&resin = 67
2.1.1. 개요 = 67
2.1.2. 개념 = 67
2.1.3. 실험 = 67
2.2 P. T. H의 outgassing 연구 = 70
2.2.1. outgassing 문제의 개념 = 70
2.2.2. outgassing의 factor 별 영향 = 72
2.3 hole wall 품질 향상을 위한 기술 = 77
2.3.1. small via hole의 품질 = 77
2.4 금형 Press 타발 기술 = 80
2.4.1. 개요 = 80
2.4.2. 금형 Clearance에 따른 영향 = 80
2.4.3. Shear drop 이란 = 81
2.4.4. 타발 결함과 현상 = 81
2.4.5. 타발 가공성과 재료물성 = 82
2.4.6. 타발 가공성에 영향을 주는 요인의 관계도 = 83
2.4.7. 목형 = 88
2.4.8. 목형과 금형 비고 = 89
2.5 CNC 드릴(air bearing Spindle) = 89
2.5.1. bearing = 89
2.5.2. 공기 베어링 스핀들(air bearing spindle) = 90
2.5.3. air bearing = 91
2.5.4. air bearing spindle = 91
2.5.5. air - bearing spindle의 주요구성품 = 92
2.5.6. air bearing spindle의 관리 = 92
2.6 Hole Plugging 재료 및 기술 = 93
2.6.1. Hole Plugging ink = 93
2.6.2. 영구 Hole Plugging ink의 종류 = 94
2.6.3. Hole Plugging ink의 요구사항 = 94
2.6.4. PHT의 plugging 성능 향상 원리 = 95
2.6.5. Hole plugging process = 96
2.6.6. New hole plugging process = 97
2.6.7. Hole plugging 인쇄 작업 조건 = 99
03 옥사이드(oxide)
3.1 옥사이드(oxide) = 103
3.1.1. 옥사이드의 개념 = 103
3.1.2. Black oxide 공정 = 104
3.1.3. multi bond 공정 = 106
3.2 고신뢰성 Multi Bonding system = 108
3.2.1. 개요 = 108
3.2.2. 실험 및 결과 = 109
3.2.3. 요약 = 114
04 Desmaer(디스미어)
4.1 Desmear(디스미어) = 117
4.1.1. 개념 = 117
4.1.2. 공정별 Key Point = 117
4.1.3. 설비적 측면 = 119
4.1.4. Desmear 방식 종류별 차이점 = 120
4.1.5. 기타 = 120
4.2 Desmear 공정(Sweller 종류별) = 120
4.2.1. 개념 = 120
4.2.2. 재질별 Desmear 처리 Test = 121
4.2.3. Test 결과 = 123
4.2.4. 결과 = 139
05 P.T.H(electorlessCuplating) : 무전해동도금
5.1 P.T.H(electroless Cu plating) : 무전해동도금 = 143
5.1.1. 개념 = 143
5.1.2. Loading factor = 144
5.1.3. 처리 공정별 mechanism = 144
5.2 Build up process 적용을 위한 Electroless Cu plating = 150
5.2.1. 개념 = 150
5.2.2. Build up process = 151
5.2.3. 절연층과 electroless Cu의 접착력 증강제 = 152
5.3 No formaldehyde 무전해 화학동도금 = 159
5.3.1. 개요 = 159
5.3.2. 공정 = 159
5.3.3. Technical data = 160
06 전기동도금(electrolytic Cu Plating)
6.1 전기동도금(electrolytic Cu Plating) = 165
6.1.1. 개념 = 165
6.1.2. 전기동도금(유산동 도금) 용액 = 165
6.1.3. 전기동도금용액 관리 요건 = 168
6.1.4. 전기동도금 설비 관리 = 169
6.1.5. 전기동도금의 오염물 제거 방법 = 169
6.1.6. 전기동도금 불량 대처 = 170
6.2 유산동도금의 기술동향 및 미래 = 170
6.2.1. 산업동향 = 170
6.2.2. 기술 동향 = 170
6.2.3. 미래 요구 조건들 = 171
6.3 유산동도금 Line 설비 요건 = 172
6.3.1. Tank = 172
6.3.2. Heater&Cooling = 172
6.3.3. Anode = 172
6.3.4. anode - Cathode = 173
6.3.5. agitation(교반) = 173
6.3.6. filter&Pump = 174
6.4 전기동도금 신율&광택제 = 174
6.4.1. 개요 = 174
6.4.2. 연신율 실험 = 175
6.4.3. Test 결과 = 176
6.4.4. 요약 = 181
6.5 수직형 reverse pulse 도금 = 181
6.5.1. 개요 = 181
6.5.2. Technical data = 181
6.5.3. 요약 = 185
6.6 High density PWB 적용용 전기 Tin 도금 = 189
6.6.1. 개요 = 189
6.6.2. Technical data = 189
07 Cu Via fill 도금
7.1 Cu Via fill 도금
7.1.1. 개념 = 195
7.1.2. Via fill Cu도금업체 = 195
7.1.3. Via fill Cu도금설비 = 195
7.1.4. Via fill Cu 도금의 일반적인 특징 = 196
7.1.5. Via fill의 원리 = 196
7.1.6. Via fill Cu도금 조건 = 196
7.2 Filled micro Via 원리 및 적용 = 197
7.2.1. 개념 = 197
7.2.2. 적용 = 197
7.2.3. Through Via의 filling = 198
7.3 BMV(Blind Micro Via) Filling&T.H(Through hole) 도금 기술 = 200
7.3.1. 개요 = 201
7.3.2. Technical data = 201
08 Direct metalization = 202
8.1 Direct metalization
8.1.1. 개념 = 209
8.1.2. 방식 = 209
8.2 Direct plating(Conductive Polymer) = 209
8.2.1. 개요 = 216
8.2.2. Direct plating의 비교분석 = 216
8.3 Direct metalization(Graphite 분산 안전성, 도포, 도금 원리) = 216
8.3.1. 개요 = 220
8.3.2. Technical data = 220
09 etching(부식) = 220
9.1 etching(부식) 종류별 개념
9.1.1. 염화동 부식(Cucl₂) = 22
9.1.2. 염화철 부식(Fecl₃) = 227
9.1.3. 알칼리 부식(NH₄Cl) = 228
9.1.4. Soft etching = 229
9.1.5. etching(부식)의 물리적 Factor = 230
9.1.6. etching(부식)의 technical data = 231
9.2 Fine Line etching 기술 = 232
9.2.1. 개념 = 235
9.2.2. 결과 = 235
9.2.3. 요약 = 238
9.3 New etch Technology = 238
9.3.1. 개요 = 239
9.3.2. New etch process의 필요성 = 239
10 Strip(박리)
10.1 Strip(박리)의 종류별 개념 = 243
10.1.1. 개념 = 243
10.1.2. D/F 박리 = 243
10.1.3. Sn/Pb 박리 = 248
10.1.4. Ink 박리 = 249
10.1.5. 랙크 박리 = 250
11 Finish 처리랙크 박리
11.1 Finish 처리 종류별 개념 = 253
11.1.1. HASL(Hot Air Salder Levelling) = 253
11.1.2. ENIG(Electroless Nickel Immersion Gold) = 255
11.1.3. ENIG의 P(인)의 영향 = 257
11.1.4. 치환 Tin(석) 도금 = 260
11.1.5. 치환 Ag(은) 도금 = 261
11.1.6. OSP(Organic Solderabilltly perservertive) = 262
11.1.7. 고성능 인(P)을 함유한 ENIG 공정 평가 = 266
11.1.8. 차세대 OSP 및 복합 금속처리 PWB/BGA = 271
12 표면 전처리 = 281
12.1 S/M 및 Ultra Fine Line D/F 전처리용 표면처리 = 281
12.1.1. 개요 = 281
12.1.2. Cu 표면처리 Process = 281
12.1.3. 새로운 초 요철 형상의 Cu표면 처리 Process = 282
12.1.4. immersion Tin이 필요한 이유 = 282
12.1.5. 초 요철 형상의 S/M 전처리의 특징 = 283
12.1.6. 반응 원리 = 288
12.1.7. ULTRA FINE Line D/F 전처리 = 288
12.1.8. Cu 표면 처리 선택 요령 = 289
12.2 S/M의 기계적/화학적 전처리 공정의 품질 평가 = 289
12.2.1. 개요 = 289
12.2.2. 배경 = 290
12.2.3. Test = 295
13 D/F photoresist
13.1 D/F photoresist = 303
13.1.1. D/F photoresist의 적용 = 303
13.2 D/F 회로형성의 5가지 공정 = 304
13.2.1. 정면 = 304
13.2.2. 정면 방식 = 304
13.2.3. 표면 확인 방법 = 306
13.2.4. 내ㆍ외층 표면 관점 = 306
13.3 D/F Lamination = 306
13.3.1. 표면 상태 = 307
13.3.2. 라미네이터 상태 = 307
13.3.3. 공정 조건 = 308
13.3.4. 내ㆍ외층의 수율 항상 조건 = 309
13.4 D/F 노광 = 309
13.4.1. Film = 309
13.4.2. 노광 = 310
13.4.3. 노광 공정 추천 조건 = 311
13.4.4. 평행광과 산란광 = 312
13.4.5. 환경 = 312
13.4.6. 내ㆍ외층 수율 항상 조건 = 312
13.5 D/F 현상 = 313
13.5.1. 현상 공정 조건 = 313
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