목차 일부

제1장 반도체의 기초
   1.1 결정 구조 ... 1
   1.2 BOHR의 원자 모델 ... 6
   1.3 고체의 공유 결합 모델 ... 8
   1.4 고체의 에너지 - 대역 모델 ... 9
   1.5 유효 질량의 개념 ... 11
   1.6 진성 및 불순물 반도체 ... 12
   1.7 반도체내에서의 자유 캐리어 밀도 ... 15
   1.8...

더보기

목차 전체

제1장 반도체의 기초
   1.1 결정 구조 ... 1
   1.2 BOHR의 원자 모델 ... 6
   1.3 고체의 공유 결합 모델 ... 8
   1.4 고체의 에너지 - 대역 모델 ... 9
   1.5 유효 질량의 개념 ... 11
   1.6 진성 및 불순물 반도체 ... 12
   1.7 반도체내에서의 자유 캐리어 밀도 ... 15
   1.8 캐리어 농도와 Fermi 준위 ... 18
      참고 문헌 ... 24
      연습 문제 ... 24
제2장 캐리어의 전송과 재결합
   2.1 전자와 정공의 산란과 드리프트 ... 27
   2.2 드리프트 전류 ... 32
   2.3 캐리어의 확산 ... 34
   2.4 Hall 효과 ... 36
   2.5 캐리어의 생성, 재결합 및 주입 ... 37
   2.6 캐리어의 재결합 ... 39
   2.7 과도 응답과 광도전성 ... 42
   2.8 표면 재결합 ... 43
   2.9 전계와 전위 ... 44
   2.10 불균일 반도체와 내부 전계 ... 46
   2.11 의사 Fermi 준위 ... 48
   2.12 반도체에서의 기초방정식 ... 49
      참고 문헌 ... 51
      연습 문제 ... 52
제3장 pn 접합
   3.1 접합 생성 ... 56
   3.2 pn 접합의 물성 ... 63
   3.3 열평형 상태의 계단형 pn 접합 ... 64
   3.4 공핍 근사 ... 67
   3.5 pn 접합의 바이어스 ... 71
   3.6 천이 커패시턴스와 VARACTOR ... 73
   3.7 pn 접합의 항복 ... 76
      참고 문헌 ... 79
      연습 문제 ... 80
제4장 순바이어스 상태의 pn 접합
   4.1 소수 캐리어 주입 ... 83
   4.2 공간 전하 효과와 확산 근사 ... 85
   4.3 DC 전류 - 전압 특성 ... 87
   4.4 I-V 특성의 온도 의존성 ... 92
   4.5 공간 전하 영역의 재결합 전류와 생성 전류 ... 93
   4.6 터널링 전류 ... 95
   4.7 소신호 AC 해석 ... 98
   4.8 전하 축적과 역방향 회복 과도 상태 : Step Recovery 다이오드 ... 99
      참고 문헌 ... 103
      연습 문제 ... 103
제5장 양극성 트랜지스터의 기초
   5.1 트랜지스터 동작 ... 105
   5.2 전류 이득과 I - V 특성 ... 108
   5.3 전류 성분과 이득 표현식의 유도 ... 110
   5.4 Ebers - Moll 모델 ... 115
   5.5 Hybrid - Pi 등가 회로 ... 118
   5.6 베이스 확산 저항 ... 121
   5.7 트랜지스터의 주파수 특성 ... 122
   5.8 트랜지스터 스위치 ... 125
   5.9 항복 전압 ... 128
   5.10 pnpn 다이오드 ... 130
   5.11 실리콘 - 제어 정류기 ... 132
      연습 문제 ... 134
제6장 양극성 트랜지스터의 제조 기술과 미세화
   6.1 양극성 집적 소자의 분리 기술 ... 139
   6.2 경사형 불순물 분포와 전류 이득 ... 142
   6.3 베이스폭 확산 ... 145
   6.4 집적 양극성 트랜지스터 ... 146
   6.5 횡형 pnp 트랜지스터 ... 150
   6.6 집적 주입 논리 ... 151
   6.7 양극성 트랜지스터의 스케일링 ... 152
   6.8 자기 정렬 구조 ... 154
   6.9 다결정 Si 이미터 접촉 ... 156
      참고 문헌 ... 161
      연습 문제 ... 161
제7장 금속 - 반도체 접합
   7.1 이상적인 Schottky 장벽 ... 163
   7.2 I - V 특성 ... 166
   7.3 장벽 높이의 영상력 강하 ... 170
   7.4 금속 - 절연체 - 반도체 Schottky 다이오드 ... 172
   7.5 Schottky 장벽과 pn 접합 다이오드의 비교 ... 172
   7.6 저항성 접촉 ... 174
   7.7 실리사이드 접촉과 상호 배선[8] ... 175
   7.8 Schottky 장벽의 제조 ... 177
   7.9 접촉의 신뢰도 ... 180
   7.10 Schottky 장벽 다이오드의 응용 ... 181
   7.11 이종 접합 ... 183
      참고 문헌 ... 186
      연습 문제 ... 187
제8장 JFET와 MESFET
   8.1 JFET의 물리적 설명 ... 189
   8.2 JEFT의 이론 ... 191
   8.3 정특성 ... 194
   8.4 소신호 파라미터와 등가 회로 ... 196
   8.5 차단 주파수 ... 198
   8.6 MESFET ... 199
   8.7 증가형 JFET와 MESFET ... 200
   8.8 핀치오프를 지난 JFET의 특성 ... 203
   8.9 퍼미어블 베이스 트랜지스터 ... 205
      참고 문헌 ... 206
      연습 문제 ... 206
제9장 MOS 트랜지스터의 기초
   9.1 이상적인 MOS 구조의 표면 공간 전하 영역 ... 209
   9.2 MOS 커패시터 ... 214
   9.3 평탄 밴드와 문턱 전압 ... 217
   9.4 MOS 트랜지스터의 정특성 ... 221
   9.5 소신호 파라미터와 등가 회로 ... 224
   9.6 MOS 트랜지스터의 차단 주파수 ... 225
   9.7 기판 바이어스의 효과 ... 226
   9.8 MOS 소자의 제조 공정 ... 227
      참고 문헌 ... 229
      연습 문제 ... 229
제10장 장채널 MOS 트랜지스터
   10.1 Charge - Sheet 모델 ... 233
   10.2 반전층 전하에 미치는 게이트 바이어스의 영향 ... 235
   10.3 트랜지스터의 I - V 특성 ... 239
   10.4 강반전과 중반전 ... 241
   10.5 약반전과 문턱 전압 이하의 전류 ... 242
   10.6 이온 주입된 MOS 트랜지스터 ... 243
   10.7 반전층에서의 실효 이용도 ... 247
      참고 문헌 ... 249
      연습 문제 ... 249
제11장 소규모 MOS 트랜지스터
   11.1 소형화와 회로의 속도 ... 251
   11.2 단채널의 실험적 특성 ... 252
   11.3 공핍층내의 공간 전하 ... 254
   11.4 기하학적 구조가 문턱 전압에 미치는 영향 ... 257
   11.5 핫 캐리어 효과 ... 258
   11.6 트랜지스터의 스케일링 법칙 ... 260
   11.7 속도의 포화 ... 263
   11.8 드레인 영역이 적게 도핑된 트랜지스터 ... 265
      참고 문헌 ... 267
      연습 문제 ... 267
제12장 MOS 집적 회로와 제조 기술
   12.1 MOS 인버터 ... 270
   12.2 n 채널(NMOS)제조 기술 ... 274
   12.3 CMOS 기술[2, 3] ... 276
   12.4 문턱치의 제어와 정합 ... 278
   12.5 CMOS 래치업 ... 281
   12.6 래치업의 방지[4] ... 283
   12.7 Schottky MOS 트랜지스터 ... 286
   12.8 트랜치 분리법 ... 287
      참고 문헌 ... 288
      연습 문제 ... 288
제13장 전하 결합과 영속성 기억 소자
   13.1 전하 전달 개념 ... 292
   13.2 MOS 커패시터의 과도응답 ... 293
   13.3 전하 결합 소자의 구조 ... 297
   13.4 전달 효율 ... 301
   13.5 전하 주입, 감지와 재생성 ... 304
   13.6 벌크형(매립형) 채널 CCD[10] ... 307
   13.7 전하 결합형 영상기[12] ... 307
   13.8 영속성 MIS 기억 소자 ... 310
   13.9 MNOS 트랜지스터 ... 311
   13.10 EPROM 트랜지스터 ... 314
   13.11 FLOTOX 트랜지스터[15, 18] ... 316
   13.12 프로그래밍과 삭제하는 동안의 전하 결합 ... 319
      참고 문헌 ... 321
      연습 문제 ... 322
제14장 태양 전지와 광 검출기
   14.1 반도체에서의 광 흡수 ... 325
   14.2 광 기전력 효과와 태양 전지 효율 ... 327
   14.3 광 생성 전류와 집속 효율 ... 330
   14.4 재료 선택과 설계 고려 ... 333
   14.5 Schottky 장벽과 MIS 태양 전지 ... 339
   14.6 비정질 실리콘 태양 전지[9, 10] ... 340
   14.7 광파 통신[11] ... 342
   14.8 광 전도체 ... 344
   14.9 pin 다이오드 ... 346
   14.10 애벌랜치 광 다이오드 ... 348
      참고 문헌 ... 350
      연습 문제 ... 351
제15장 발광 다이오드와 레이저 다이오드
   15.1 pn 접합에 의한 빛 생성 : LED ... 353
   15.2 소수 캐리어 주입과 주입 효율 ... 354
   15.3 내부 양자 효율 ... 355
   15.4 외부 양자 효율 ... 357
   15.5 눈의 감도와 광도 ... 359
   15.6 디스플레이 응용을 위한 LED ... 361
   15.7 광 통신을 위한 적외선 LED ... 366
   15.8 반도체 레이저 다이오드 ... 368
   15.9 광 공동과 이득 ... 370
   15.10 이중 이종 구조 ... 374
부록 A 원자, 전자 및 에너지 대역
   A.1 Bohr의 원자 모델 ... 379
   A.2 물질의 파동성 ... 382
   A.3 상태 밀도 ... 384
   A.4 원소에서의 전자 구조 ... 385
   A.5 결정의 에너지 대역 이론 ... 388
부록 B 간접 재결합의 확률 ... 392
부록 C 열이온 방출 전류의 유도 ... 395
부록 D 에러 함수의 몇 가지 특성 ... 397
찾아보기 ... 399

더보기 닫기