목차 일부
著者에 대하여 ... ⅲ
머리말 ... xⅲ
序章 ... 1
제Ⅰ부 半導體 디바이스
1 半導體
1-1 힘, 전기장 및 에너지 ... 18
1-2 금속에서의 傳因 ... 22
1-3 眞性半導體 ... 25
1-4 外因性 半導體 ... 29
1-5 실리콘 성질의 변화 ... 33
1-6 擴散...
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목차 전체
著者에 대하여 ... ⅲ
머리말 ... xⅲ
序章 ... 1
제Ⅰ부 半導體 디바이스
1 半導體
1-1 힘, 전기장 및 에너지 ... 18
1-2 금속에서의 傳因 ... 22
1-3 眞性半導體 ... 25
1-4 外因性 半導體 ... 29
1-5 실리콘 성질의 변화 ... 33
1-6 擴散 ... 34
1-7 傾射 半導體 ... 35
2 pn接合 다이오드
2-1 開放回路接合 ... 39
2-2 바이어스된 pn接合 ... 42
2-3 電壓 - 電流特性 ... 44
2-4 V - Ⅰ特性의 溫度依存性 ... 46
2-5 게르마늄 다이오드 ... 47
2-6 回路要素로서의 다이오드 ... 47
2-7 大信號다이오드 모델 ... 49
2-8 初步的 다이오드 응용 ... 53
2-9 小信號 다이오드 모델 ... 59
2-10 接合다이오드 스위칭時間 ... 63
2-11 Zener다이오드 ... 65
2-12 Schottky障壁다이오드 ... 68
2-13 階段接合다이오드 ... 69
3 바이폴라 接合 트랜지스터
3-1 이상적 電流制御源 ... 76
3-2 接合트랜지스터 ... 79
3-3 BJT의 Ebers - Moll表現 ... 83
3-4 공통베이스(CB) 特性 ... 89
3-5 공통이미터(CE) 構成 ... 92
3-6 遮斷 및 飽和모드 ... 96
3-7 DC 모델 ... 101
3-8 스위치로서의 BJT ... 107
3-9 增幅器로서의 BJT ... 110
3-10 BJT 小信號모델 ... 114
3-11 다이오드로서의 BJT ... 119
3-12 이미터結合雙 ... 121
3-13 트랜지스터定格 ... 124
4 電界效果 트랜지스터
4-1 이상적 電壓制御 電流源 ... 129
4-2 接合型 電界效果트랜지스터 ... 131
4-3 JFET 電壓 - 電流特性 ... 133
4-4 JFET의 傳達特性 ... 137
4-5 MESFET ... 138
4-6 증가형 MOSFET ... 138
4-7 증가형 MOSFET의 전압 - 전류특성 ... 140
4-8 空乏型 MOSFET ... 145
4-9 MOSFET 회로기호 ... 146
4-10 FET의 DC解析 ... 147
4-11 저항으로서의 MOSFET ... 149
4-12 스위치로서의 FET ... 152
4-13 增幅器로서의 FET ... 156
4-14 小信號 FET 모델 ... 158
4-15 CMOS 디바이스 ... 162
5 集積回路製造
5-1 모놀리식 集積回路 ... 167
5-2 플레이너工程 ... 171
5-3 바이폴라 트랜지스터 제조 ... 176
5-4 FET의 제조 ... 182
5-5 COMS 기술 ... 185
5-6 모놀리식 다이오드 ... 186
5-7 金屬 - 半導體 접촉 ... 188
5-8 集積回路抵抗 ... 188
5-9 集積回路커패시터 ... 193
5-10 集積回路 패키징 ... 194
5-11 集積回路 구성부분의 특징 ... 195
5-12 마이크로電子回路 배치 ... 196
제Ⅱ부 디지탈回路 및 시스템
6 基本的인 論理回路(디지탈 回路)
6-1 2進法 ... 202
6-2 불代數 ... 204
6-3 排他的 OR, NAND, NOR 게이트 ... 209
6-4 論理 게이트의 특성 ... 215
6-5 NMOS인버터 ... 221
6-6 NMOS인버터의 傳播遲延 ... 227
6-7 NMOS論理 게이트 ... 230
6-8 CMOS 인버터 ... 232
6-9 COMS 論理 인버터 ... 233
6-10 BJT 인버터 ... 237
6-11 TTL NAND 게이트 ... 239
6-12 TTL 出力段 ... 243
6-13 TTL 論理 패밀리 ... 246
6-14 이미터結合論理(ECL) 回路 ... 248
6-15 論理 패밀리의 比較 ... 257
7 組合 디지탈回路
7-1 標準 게이트 어셈블리 ... 260
7-2 2進加算器 ... 264
7-3 算術演算 ... 270
7-4 디지탈 比較器 ... 272
7-5 패리티檢査器 / 發生器 ... 274
7-6 디코더 / 디멀티플렉서 ... 275
7-7 데이터選擇回路 / 멀티플렉서 ... 280
7-8 인코더 ... 283
7-9 固定記憶裝置 ... 288
7-10 ROM의 2次元 番地指定方式 ... 293
7-11 ROM의 응용 ... 295
7-12 프로그램可能 ROM ... 298
7-13 消去可能한 PROM ... 300
7-14 프로그램可能 排列論理 ... 301
7-15 프로그램可能 論理排列 ... 303
8 順序回路 및 시스템
8-1 1비트 메모리 ... 309
8-2 雙安定 대치回路의 성질 ... 312
8-3 클럭 SR 플립 - 플롭 ... 314
8-4 J - KFF, T型FF, D型FF ... 316
8-5 시프트 레지스터 ... 321
8-6 리플(非同期) 計數器 ... 327
8-7 同期計數器 ... 331
8-8 計數器의 應用 ... 334
9 超大規模集積 시스템
9-1 다이나믹 MOS시프트 레지스터 ... 340
9-2 無比率 시프트 레지스터段 ... 344
9-3 CMOS 도미노 論理 ... 347
9-4 랜덤 액세스 메모리 ... 349
9-5 리드 / 라이트 메모리 셀 ... 353
9-6 바이폴라 RAM셀 ... 362
9-7 電荷結合 디바이스(CCD) ... 364
9-8 CCD의 구조 ... 367
9-9 集積注入論理 ... 372
9-10 마이크로프로세서와 마이크로컴퓨터 ... 377
제Ⅲ부 增幅器回路 및 시스템
10 低周波領域의 基本增幅段
10-1 사인波入力의 波形 ... 387
10-2 BJT의 動作點 ... 391
10-3 集積回路를 위한 BJT바이어스 ... 393
10-4 위들러 電流源 ... 397
10-5 세 개의 트랜지스터를 갖는 電流源 ... 399
10-6 BJT의 바이어스解析 ... 401
10-7 트랜지스터의 바이어스 設計 ... 406
10-8 FET바이어스 ... 409
10-9 트랜지스터回路의 線型解析 ... 414
10-10 공통이미터 增幅器 ... 415
10-11 이미터 폴로워 ... 420
10-12 공통베이스 增幅器 ... 422
10-13 BJT 增幅器의 특성비교 ... 422
10-14 이미터抵抗을 가진 共通이미터 增幅回路 ... 424
10-15 FET增幅段 ... 426
10-16 BJT增幅器의 縱續接續 ... 431
10-17 複合트랜지스터 增幅器 ... 435
10-18 差動增幅器 ... 437
10-19 差動增幅器의 解析 ... 439
10-20 FET差動增幅器 ... 444
10-21 演算增幅器 ... 445
10-22 Op - Amp의 기본적인 응용 ... 447
11 增幅器의 周波數 應答
11-1 周波數應答特性 ... 457
11-2 增幅器의 階段應答 ... 463
11-3 共通 이미터 短絡回路 電流利得 ... 466
11-4 一般化된 利得函數 ... 469
11-5 共通 이미터 增幅段의 高周波應答 ... 472
11-6 利得帶域幅積 ... 475
11-7 高周波 共通소스 增幅段 ... 476
11-8 高周波에서의 이미터 및 소스 폴로워 ... 478
11-9 응답을 얻기 위한 時常數法 ... 484
11-10 縱續段의 周波數應答 ... 492
11-11 캐스코드(CE - CB) 增幅器 ... 498
11-12 高周波에서의 演算增幅器 ... 500
11-13 結合 및 바이패스 커패시터의 영향 ... 502
12 歸還增幅器
12-1 增幅器의 분류 및 표현 ... 510
12-2 歸還의 개념 ... 513
12-3 이상적 歸還增幅器 ... 516
12-4 陰歸還增幅器의 성질 ... 519
12-5 歸還增幅器의 임피던스 ... 525
12-6 귀환증폭기 결선의 성질 ... 529
12-7 歸還增幅器의 近似解 ... 532
12-8 歸還增幅器의 일반적 해석 ... 537
12-9 歸還增幅器의 임피던스의 再論 ... 543
12-10 竝列歸還 트리플 ... 546
12-11 竝列 - 直列 쌍 ... 551
12-12 直列 - 竝列 쌍 ... 552
12-13 直列트리플 ... 555
12-14 多段歸還增幅器의 일반적 해석 ... 557
12-15 多重루프 歸還增幅器 ... 560
13 歸還增幅器의 安定性과 應答
13-1 歸還이 帶域幅에 미치는 영향 ... 567
13-2 安定性 ... 570
13-3 安定性 시험 ... 572
13-4 補償 ... 578
13-5 歸還增幅器의 周波數應答 - 2重極点 傳達函數 ... 582
13-6 2極点 歸還增幅器의 位相餘裕 ... 588
13-7 3極点 歸還增幅器 應答 ... 592
13-8 多極点 歸還增幅器의 近似解析 ... 592
13-9 開루프極点의 근사결정 ... 595
13-10 補償 再論 ... 604
14 演算增幅器 特性
14-1 演算增幅器 구조 ... 611
14-2 能動負荷를 갖는 利得段 ... 613
14-3 差動段 ... 618
14-4 直流레벨 시프팅 ... 625
14-5 出力段 ... 627
14-6 오프셋電壓 및 電流 ... 630
14-7 演算增幅器 파라미터의 測定 ... 633
14-8 周波數應答 및 補數 ... 637
14-9 슬루率 ... 644
14-10 BIFET 및 BIMOS回路 ... 646
14-11 3段演算增幅器 ... 647
14-12 다른 型의 演算增幅器 ... 648
14-13 MOS演算增幅器 ... 653
제Ⅳ부 信號處理 및 데이터獲得
15 波形의 發生과 整形
15-1 사인波發振器 ... 660
15-2 移相發振器 ... 662
15-3 Wien 브리지 發振器 ... 664
15-4 發振器 回路構成의 一般形 ... 666
15-5 水晶發振器 ... 668
15-6 멀티바이브레이터 ... 669
15-7 比較器 ... 676
15-8 사인波를 이용한 矩形波發生 ... 679
15-9 再生比較器(Schmitt트리거) ... 680
15-10 矩形波發生器 및 三角波發生器 ... 684
15-11 펄스發生器 ... 689
15-12 555 IC 타이머 ... 692
15-13 電壓時間軸發生器 ... 694
15-14 階段發生器 ... 699
15-15 矩形波의 變調 ... 701
16 信號調節 및 데이타變換
16-1 信號 및 信號處理 ... 709
16-2 샘플 - 홀드 시스템 ... 714
16-3 아날로그 멀티플렉서 및 디멀티플렉서 ... 716
16-4 디지탈 - 아날로그(D / A) 變換機 ... 718
16-5 아날로그 - 디지탈(A / D) 變換機 ... 722
16-6 積分回路와 微分回路 ... 728
16-7 아날로그 電子計算 ... 731
16-8 能動 - RC 필터 ... 733
16-9 버터워스 및 체비셰프의 필터함수 ... 736
16-10 單一增幅器로 되는 雙2次 섹션 ... 742
16-11 複數 Op - Amp로 되는 雙2次 ... 753
16-12 스위치드 - 커패시터 필터 ... 756
16-13 對數增幅器 및 指數增幅器 ... 760
16-14 아날로그 곱셈기 ... 765
16-15 精密 AC / DC 變換機 ... 768
제Ⅴ부 大信號 電子工學
17 電力電子回路 및 시스템
17-1 交流-直流變換 ... 776
17-2 整流回路 ... 777
17-3 다른 全波整流回路 ... 783
17-4 커패시터 필터 ... 784
17-5 定電壓 電源裝置 ... 788
17-6 모놀리식 電壓安定器 ... 790
17-7 스위칭 電壓安定器 ... 793
17-8 스위칭 電壓安定器의 추가적 構成 ... 796
17-9 大信號 增幅器 ... 801
17-10 高調波歪曲 ... 802
17-11 增幅器의 分類 ... 805
17-12 A급 增幅器의 效率 ... 806
17-13 B급 푸시 풀 增幅器 ... 807
17-14 AB급 動作 ... 810
17-15 集積回路 電力增幅器 ... 812
17-16 熱的 考慮 ... 813
17-17 電力電界效果트랜지스터(VMOS) ... 816
부록
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著者에 대하여 ... ⅲ
머리말 ... xⅲ
序章 ... 1
제Ⅰ부 半導體 디바이스
1 半導體
1-1 힘, 전기장 및 에너지 ... 18
1-2 금속에서의 傳因 ... 22
1-3 眞性半導體 ... 25
1-4 外因性 半導體 ... 29
1-5 실리콘 성질의 변화 ... 33
1-6 擴散 ... 34
1-7 傾射 半導體 ... 35
2 pn接合 다이오드
2-1 開放回路接合 ... 39
2-2 바이어스된 pn接合 ... 42
2-3 電壓 - 電流特性 ... 44
2-4 V - Ⅰ特性의 溫度依存性 ... 46
2-5 게르마늄 다이오드 ... 47
2-6 回路要素로서의 다이오드 ... 47
2-7 大信號다이오드 모델 ... 49
2-8 初步的 다이오드 응용 ... 53
2-9 小信號 다이오드 모델 ... 59
2-10 接合다이오드 스위칭時間 ... 63
2-11 Zener다이오드 ... 65
2-12 Schottky障壁다이오드 ... 68
2-13 階段接合다이오드 ... 69
3 바이폴라 接合 트랜지스터
3-1 이상적 電流制御源 ... 76
3-2 接合트랜지스터 ... 79
3-3 BJT의 Ebers - Moll表現 ... 83
3-4 공통베이스(CB) 特性 ... 89
3-5 공통이미터(CE) 構成 ... 92
3-6 遮斷 및 飽和모드 ... 96
3-7 DC 모델 ... 101
3-8 스위치로서의 BJT ... 107
3-9 增幅器로서의 BJT ... 110
3-10 BJT 小信號모델 ... 114
3-11 다이오드로서의 BJT ... 119
3-12 이미터結合雙 ... 121
3-13 트랜지스터定格 ... 124
4 電界效果 트랜지스터
4-1 이상적 電壓制御 電流源 ... 129
4-2 接合型 電界效果트랜지스터 ... 131
4-3 JFET 電壓 - 電流特性 ... 133
4-4 JFET의 傳達特性 ... 137
4-5 MESFET ... 138
4-6 증가형 MOSFET ... 138
4-7 증가형 MOSFET의 전압 - 전류특성 ... 140
4-8 空乏型 MOSFET ... 145
4-9 MOSFET 회로기호 ... 146
4-10 FET의 DC解析 ... 147
4-11 저항으로서의 MOSFET ... 149
4-12 스위치로서의 FET ... 152
4-13 增幅器로서의 FET ... 156
4-14 小信號 FET 모델 ... 158
4-15 CMOS 디바이스 ... 162
5 集積回路製造
5-1 모놀리식 集積回路 ... 167
5-2 플레이너工程 ... 171
5-3 바이폴라 트랜지스터 제조 ... 176
5-4 FET의 제조 ... 182
5-5 COMS 기술 ... 185
5-6 모놀리식 다이오드 ... 186
5-7 金屬 - 半導體 접촉 ... 188
5-8 集積回路抵抗 ... 188
5-9 集積回路커패시터 ... 193
5-10 集積回路 패키징 ... 194
5-11 集積回路 구성부분의 특징 ... 195
5-12 마이크로電子回路 배치 ... 196
제Ⅱ부 디지탈回路 및 시스템
6 基本的인 論理回路(디지탈 回路)
6-1 2進法 ... 202
6-2 불代數 ... 204
6-3 排他的 OR, NAND, NOR 게이트 ... 209
6-4 論理 게이트의 특성 ... 215
6-5 NMOS인버터 ... 221
6-6 NMOS인버터의 傳播遲延 ... 227
6-7 NMOS論理 게이트 ... 230
6-8 CMOS 인버터 ... 232
6-9 COMS 論理 인버터 ... 233
6-10 BJT 인버터 ... 237
6-11 TTL NAND 게이트 ... 239
6-12 TTL 出力段 ... 243
6-13 TTL 論理 패밀리 ... 246
6-14 이미터結合論理(ECL) 回路 ... 248
6-15 論理 패밀리의 比較 ... 257
7 組合 디지탈回路
7-1 標準 게이트 어셈블리 ... 260
7-2 2進加算器 ... 264
7-3 算術演算 ... 270
7-4 디지탈 比較器 ... 272
7-5 패리티檢査器 / 發生器 ... 274
7-6 디코더 / 디멀티플렉서 ... 275
7-7 데이터選擇回路 / 멀티플렉서 ... 280
7-8 인코더 ... 283
7-9 固定記憶裝置 ... 288
7-10 ROM의 2次元 番地指定方式 ... 293
7-11 ROM의 응용 ... 295
7-12 프로그램可能 ROM ... 298
7-13 消去可能한 PROM ... 300
7-14 프로그램可能 排列論理 ... 301
7-15 프로그램可能 論理排列 ... 303
8 順序回路 및 시스템
8-1 1비트 메모리 ... 309
8-2 雙安定 대치回路의 성질 ... 312
8-3 클럭 SR 플립 - 플롭 ... 314
8-4 J - KFF, T型FF, D型FF ... 316
8-5 시프트 레지스터 ... 321
8-6 리플(非同期) 計數器 ... 327
8-7 同期計數器 ... 331
8-8 計數器의 應用 ... 334
9 超大規模集積 시스템
9-1 다이나믹 MOS시프트 레지스터 ... 340
9-2 無比率 시프트 레지스터段 ... 344
9-3 CMOS 도미노 論理 ... 347
9-4 랜덤 액세스 메모리 ... 349
9-5 리드 / 라이트 메모리 셀 ... 353
9-6 바이폴라 RAM셀 ... 362
9-7 電荷結合 디바이스(CCD) ... 364
9-8 CCD의 구조 ... 367
9-9 集積注入論理 ... 372
9-10 마이크로프로세서와 마이크로컴퓨터 ... 377
제Ⅲ부 增幅器回路 및 시스템
10 低周波領域의 基本增幅段
10-1 사인波入力의 波形 ... 387
10-2 BJT의 動作點 ... 391
10-3 集積回路를 위한 BJT바이어스 ... 393
10-4 위들러 電流源 ... 397
10-5 세 개의 트랜지스터를 갖는 電流源 ... 399
10-6 BJT의 바이어스解析 ... 401
10-7 트랜지스터의 바이어스 設計 ... 406
10-8 FET바이어스 ... 409
10-9 트랜지스터回路의 線型解析 ... 414
10-10 공통이미터 增幅器 ... 415
10-11 이미터 폴로워 ... 420
10-12 공통베이스 增幅器 ... 422
10-13 BJT 增幅器의 특성비교 ... 422
10-14 이미터抵抗을 가진 共通이미터 增幅回路 ... 424
10-15 FET增幅段 ... 426
10-16 BJT增幅器의 縱續接續 ... 431
10-17 複合트랜지스터 增幅器 ... 435
10-18 差動增幅器 ... 437
10-19 差動增幅器의 解析 ... 439
10-20 FET差動增幅器 ... 444
10-21 演算增幅器 ... 445
10-22 Op - Amp의 기본적인 응용 ... 447
11 增幅器의 周波數 應答
11-1 周波數應答特性 ... 457
11-2 增幅器의 階段應答 ... 463
11-3 共通 이미터 短絡回路 電流利得 ... 466
11-4 一般化된 利得函數 ... 469
11-5 共通 이미터 增幅段의 高周波應答 ... 472
11-6 利得帶域幅積 ... 475
11-7 高周波 共通소스 增幅段 ... 476
11-8 高周波에서의 이미터 및 소스 폴로워 ... 478
11-9 응답을 얻기 위한 時常數法 ... 484
11-10 縱續段의 周波數應答 ... 492
11-11 캐스코드(CE - CB) 增幅器 ... 498
11-12 高周波에서의 演算增幅器 ... 500
11-13 結合 및 바이패스 커패시터의 영향 ... 502
12 歸還增幅器
12-1 增幅器의 분류 및 표현 ... 510
12-2 歸還의 개념 ... 513
12-3 이상적 歸還增幅器 ... 516
12-4 陰歸還增幅器의 성질 ... 519
12-5 歸還增幅器의 임피던스 ... 525
12-6 귀환증폭기 결선의 성질 ... 529
12-7 歸還增幅器의 近似解 ... 532
12-8 歸還增幅器의 일반적 해석 ... 537
12-9 歸還增幅器의 임피던스의 再論 ... 543
12-10 竝列歸還 트리플 ... 546
12-11 竝列 - 直列 쌍 ... 551
12-12 直列 - 竝列 쌍 ... 552
12-13 直列트리플 ... 555
12-14 多段歸還增幅器의 일반적 해석 ... 557
12-15 多重루프 歸還增幅器 ... 560
13 歸還增幅器의 安定性과 應答
13-1 歸還이 帶域幅에 미치는 영향 ... 567
13-2 安定性 ... 570
13-3 安定性 시험 ... 572
13-4 補償 ... 578
13-5 歸還增幅器의 周波數應答 - 2重極点 傳達函數 ... 582
13-6 2極点 歸還增幅器의 位相餘裕 ... 588
13-7 3極点 歸還增幅器 應答 ... 592
13-8 多極点 歸還增幅器의 近似解析 ... 592
13-9 開루프極点의 근사결정 ... 595
13-10 補償 再論 ... 604
14 演算增幅器 特性
14-1 演算增幅器 구조 ... 611
14-2 能動負荷를 갖는 利得段 ... 613
14-3 差動段 ... 618
14-4 直流레벨 시프팅 ... 625
14-5 出力段 ... 627
14-6 오프셋電壓 및 電流 ... 630
14-7 演算增幅器 파라미터의 測定 ... 633
14-8 周波數應答 및 補數 ... 637
14-9 슬루率 ... 644
14-10 BIFET 및 BIMOS回路 ... 646
14-11 3段演算增幅器 ... 647
14-12 다른 型의 演算增幅器 ... 648
14-13 MOS演算增幅器 ... 653
제Ⅳ부 信號處理 및 데이터獲得
15 波形의 發生과 整形
15-1 사인波發振器 ... 660
15-2 移相發振器 ... 662
15-3 Wien 브리지 發振器 ... 664
15-4 發振器 回路構成의 一般形 ... 666
15-5 水晶發振器 ... 668
15-6 멀티바이브레이터 ... 669
15-7 比較器 ... 676
15-8 사인波를 이용한 矩形波發生 ... 679
15-9 再生比較器(Schmitt트리거) ... 680
15-10 矩形波發生器 및 三角波發生器 ... 684
15-11 펄스發生器 ... 689
15-12 555 IC 타이머 ... 692
15-13 電壓時間軸發生器 ... 694
15-14 階段發生器 ... 699
15-15 矩形波의 變調 ... 701
16 信號調節 및 데이타變換
16-1 信號 및 信號處理 ... 709
16-2 샘플 - 홀드 시스템 ... 714
16-3 아날로그 멀티플렉서 및 디멀티플렉서 ... 716
16-4 디지탈 - 아날로그(D / A) 變換機 ... 718
16-5 아날로그 - 디지탈(A / D) 變換機 ... 722
16-6 積分回路와 微分回路 ... 728
16-7 아날로그 電子計算 ... 731
16-8 能動 - RC 필터 ... 733
16-9 버터워스 및 체비셰프의 필터함수 ... 736
16-10 單一增幅器로 되는 雙2次 섹션 ... 742
16-11 複數 Op - Amp로 되는 雙2次 ... 753
16-12 스위치드 - 커패시터 필터 ... 756
16-13 對數增幅器 및 指數增幅器 ... 760
16-14 아날로그 곱셈기 ... 765
16-15 精密 AC / DC 變換機 ... 768
제Ⅴ부 大信號 電子工學
17 電力電子回路 및 시스템
17-1 交流-直流變換 ... 776
17-2 整流回路 ... 777
17-3 다른 全波整流回路 ... 783
17-4 커패시터 필터 ... 784
17-5 定電壓 電源裝置 ... 788
17-6 모놀리식 電壓安定器 ... 790
17-7 스위칭 電壓安定器 ... 793
17-8 스위칭 電壓安定器의 추가적 構成 ... 796
17-9 大信號 增幅器 ... 801
17-10 高調波歪曲 ... 802
17-11 增幅器의 分類 ... 805
17-12 A급 增幅器의 效率 ... 806
17-13 B급 푸시 풀 增幅器 ... 807
17-14 AB급 動作 ... 810
17-15 集積回路 電力增幅器 ... 812
17-16 熱的 考慮 ... 813
17-17 電力電界效果트랜지스터(VMOS) ... 816
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