목차 일부

머리말 ... 5
제1장 서론 ... 13
   1.1 반도체 재료의 일반적 성질 ... 13
   1.2 Ⅱ-Ⅵ족 반도체의 역사적 배경 ... 20
제2장 결정구조 ... 25
   2.1 기본개념 ... 25
   2.2 결정격자 ... 28
   2.3 공간(Bravais) 격자 14개와 7결정계 ... 31
   2.4 대칭 요소 ... 32
   ...

더보기

목차 전체

머리말 ... 5
제1장 서론 ... 13
   1.1 반도체 재료의 일반적 성질 ... 13
   1.2 Ⅱ-Ⅵ족 반도체의 역사적 배경 ... 20
제2장 결정구조 ... 25
   2.1 기본개념 ... 25
   2.2 결정격자 ... 28
   2.3 공간(Bravais) 격자 14개와 7결정계 ... 31
   2.4 대칭 요소 ... 32
   2.5 점군과 공간군 ... 33
   2.6 결정의 방향, 결정면과 Miller 지수 ... 35
      2.6.1 결정면과 Miller 지수 ... 36
   2.7 간단한 결정구조의 예 ... 38
      2.7.1 면심 및 체심입방 ... 39
      2.7.2 NaCl 구조 ... 39
      2.7.3 CsCl 구조 ... 42
      2.7.4 다이아몬드 구조 ... 42
      2.7.5 섬아연광 Zincblende Zns 구조 ... 43
      2.7.6 섬유아연석 Wurtzite 구조 ... 45
   2.8 연접결정과 다형체 결정 ... 46
      2.8.1 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 결정격자와 격자상수 ... 48
   2.9 고용체와 혼합결정 ... 51
      2.9.1 격자상수와 성분 사이의 관계 ... 51
      2.9.2 독립적 외형 ... 55
제3장 에너지 띠 ... 59
   3.1 원자, 분자 및 고체의 에너지 스펙트럼 ... 60
   3.2 결정에 대한 Schr<M:MATH ? xmlns ... '"htt
   3.3 준자유전자 모형과 밀접결합 모형 ... 73
   3.4 회전과 거울대칭의 효과 ... 86
   3.5 Ⅱ-Ⅵ 화합물 반도체의 전형적 E-k분포도 ... 88
   3.6 전도전자 ... 90
      3.6.1 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 띠 구조 ... 91
   3.7 일정한 에너지 띠 면과 유효질량 ... 96
   3.8 Fermi 에너지와 고유 운반자 농도 ... 102
      3.8.1 Fermi 에너지 ... 102
      3.8.2 고유반도체의 운반자 농도 ... 104
      3.8.3 불순물 상태 ... 105
제4장 MCT의 물리적 성질의 개요 ... 109
   4.1 전기전도도(σ)와 전기이동도 ... 109
   4.2 광학적 성질 ... 116
      4.2.1 띠 간의 전이 ... 117
      4.2.2 띠 내의 전이 ... 122
      4.2.3 불순물에 의한 흡수 ... 124
      4.2.4 광전도도 ... 125
      4.2.5 <M:MATH ? xmlns ... '"htt
   4.3 불순물과 그 효과 ... 129
   4.4 운반자 수명 ... 131
      4.4.1 수명의 정의 ... 132
제5장 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 열역학적 고찰 ... 143
   5.1 Ⅱ-Ⅵ계의 열역학 ... 145
      5.1.1 원소의 성질들 ... 145
      5.1.2 증기와 고체의 평형 ... 146
      5.1.3 고체-액체-증기 삼상의 평형 ... 150
   5.2 수은 칼고겐 화합물의 특성 ... 155
   5.3 수은-칼고린 화합물의 상평형도 ... 158
   5.4 상평형도에 의한 결정성장의 한계 ... 161
제6장 Ⅱ-Ⅵ족 화합물의 결정성장 ... 165
   6.1 증기상을 이용한 성장 방법 ... 167
      6.1.1 수평형 반응기 ... 170
      6.1.2 수직 반응기 ... 171
      6.1.3 납작형 반응기 ... 172
      6.1.4 바구니형 반응기 ... 172
      6.1.5 정적 증기상의 성장법 ... 173
      6.1.6 등온 증착에 의한 박막층 성장법 ... 175
      6.1.7 증기상태로의 기타 성장법 ... 183
   6.2 액체상으로부터 성장 방법 ... 186
      6.2.1 수직형 Bridgman 방식 ... 189
      6.2.2 수평형 Bridgman 방식 ... 193
      6.2.3 Czochralski 성장 방식 ... 194
      6.2.4 수용액 방식 ... 195
      6.2.5 LPE 방식 ... 196
      6.2.6 THM 방식 ... 198
   6.3 융용 내에서 대류 ... 199
제7장 THM 법에 의한 HgCdTe 덩어리 단결정성장 ... 203
   7.1 MCT 덩어리 단결정의 결정성장 이론 ... 206
      7.1.1 THM ... 206
      7.1.2 용매대의 조성 ... 208
      7.1.3 공급물질의 가공 ... 212
      7.1.4 씨결정 ... 213
      7.1.5 속임물질 ... 214
      7.1.6 성장온도 ... 215
      7.1.7 성장속도 ... 215
   7.2 결정성장 실험 ... 217
      7.2.1 석영관의 처리 ... 217
      7.2.2 원료물질의 처리 ... 218
      7.2.3 CdTe, HgTe 덩어리의 제작 ... 218
      7.2.4 THM에 의한 HgTe, CdTe 덩어리의 정제 ... 221
      7.2.5 HgTe, CdTe 덩어리의 가공 ... 223
      7.2.6 용매대의 제작 ... 224
      7.2.7 씨결정의 가공 ... 224
      7.2.8 앰플 가공 및 결정성장 ... 225
   7.3 결정성 분석과 불순물을 정제하기 위한 열처리 ... 227
      7.3.1 부식공 관찰 ... 229
      7.3.2 DCRC 측정 ... 231
      7.3.3 열처리 ... 232
      7.3.4 결정의 조성 ... 235
      7.3.5 불순물 검사 ... 237
      7.3.6 물리적 특성 ... 238
제8장 앰플 내의 대류와 온도 분포 ... 241
   8.1 고상과 액상 사이의 결정성장 경계면의 모양 ... 242
   8.2 히터의 위치에 따른 온도 변화 ... 243
   8.3 THM의 열적 모델의 설정 ... 244
   8.4 유한차분방법 ... 246
   8.5 Gauss-Seidel 궤한 ... 248
      8.5.1 시료가 무한히 긴 경우 ... 249
      8.5.2 시료가 유한한 경우 ... 251
참고문헌 ... 257

더보기 닫기