목차 일부

① 결정의 기초 ... 15
   1-1 구조의 분류 ... 15
   1-2 공간 격자 ... 15
   1-3 결정 구조 ... 18
   1-4 결정 구조의 해석 ... 20
   1-5 결정의 불 완전성 ... 22
② 격자의 열 진동 ... 31
   2-1 음파의 진동 ... 31
   2-2 한 종류의 원자로 이루어진 격자의 진동 ... 34
...

더보기

목차 전체

① 결정의 기초 ... 15
   1-1 구조의 분류 ... 15
   1-2 공간 격자 ... 15
   1-3 결정 구조 ... 18
   1-4 결정 구조의 해석 ... 20
   1-5 결정의 불 완전성 ... 22
② 격자의 열 진동 ... 31
   2-1 음파의 진동 ... 31
   2-2 한 종류의 원자로 이루어진 격자의 진동 ... 34
   2-3 두 종류의 원자로 이루어지는 격자의 진동 ... 36
   2-4 실제 결정의 진동 ... 40
   2-5 격자 진동의 적외선 흡수 ... 41
   2-6 격자 진동의 양자화 ... 42
   2-7 격자 진동의 열 현상 ... 43
③ 고체의 band 이론 ... 49
   3-1 결정 내의 에너지 상태 ... 49
   3-2 Schr<?import namespace ... m ur
   3-3 깊은 포텐셜 우물에 갇힌 전자 ... 53
   3-4 전자의 상태밀도 ... 56
   3-5 주기적 포텐셜안의 전자 ... 59
   3-6 결정 내 전자의 운동 ... 65
   3-7 반도체의 band 구조 ... 67
④ 반도체의 기초 이론 ... 75
   4-1 에너지 band의 개념 ... 75
   4-2 Fermi-Dirac 분포함수 ... 77
   4-3 진성 반도체 ... 79
   4-4 불순물 반도체 ... 83
   4-5 반도체의 전기전도 ... 89
   4-6 반도체에서의 캐리어 재결합 ... 94
   4-7 반도체의 기본 방정식 ... 99
⑤ 반도체의 접촉과 접합 ... 105
   5-1 금속과 반도체의 접촉 ... 105
   5-2 반도체의 접합 ... 112
   5-3 금속-절연체-반도체의 구조 ... 123
   5-4 반도체의 광전 현상과 발광 현상 ... 126
⑥ Si 반도체와 단체 device ... 135
   6-1 결정 성장과 평가 ... 135
   6-2 epitaxial 성장 ... 142
   6-3 SOI wafer ... 144
   6-4 Bipolar device ... 147
   6-5 MOS transistor ... 157
   6-6 광검지 device ... 162
⑦ Si device process ... 169
   7-1 process기술 ... 169
   7-2 산화 ... 170
   7-3 확산과 이온 implantation ... 175
   7-4 lithography ... 182
   7-5 etching ... 184
   7-6 CVD와 PVD ... 186
⑧ 집적 process 기술 ... 193
   8-1 bipolar device process ... 193
   8-2 n channel MOS device process ... 196
   8-3 CMOS device process ... 199
   8-4 LSI 기술의 동향 ... 203
⑨ 광물성과 device ... 211
   9-1 광학의 기초 ... 211
   9-2 반도체에서의 광 흡수 ... 213
   9-3 광전도 효과 ... 216
   9-4 광기전력 효과 ... 217
   9-5 발광 천이 ... 219
⑩ Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체와 device ... 225
   10-1 GaAs 기판의 제조 ... 225
   10-2 epitaxiay 성장기술 ... 228
   10-3 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 물성 ... 231
   10-4 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체 device ... 232
부록
   1 물리상수 ... 241
   2 Si, Ge, GaAs 및 InP 반도체의 물성 데이터 ... 241
   3 반도체에 쓰이는 주요 원소의 주기율표 ... 242
참고 도서 ... 243
연습문제 해답 ... 244
찾아보기 ... 255
① 결정의 기초 ... 15
   1-1 구조의 분류 ... 15
   1-2 공간 격자 ... 15
   1-3 결정 구조 ... 18
   1-4 결정 구조의 해석 ... 20
   1-5 결정의 불 완전성 ... 22
② 격자의 열 진동 ... 31
   2-1 음파의 진동 ... 31
   2-2 한 종류의 원자로 이루어진 격자의 진동 ... 34
   2-3 두 종류의 원자로 이루어지는 격자의 진동 ... 36
   2-4 실제 결정의 진동 ... 40
   2-5 격자 진동의 적외선 흡수 ... 41
   2-6 격자 진동의 양자화 ... 42
   2-7 격자 진동의 열 현상 ... 43
③ 고체의 band 이론 ... 49
   3-1 결정 내의 에너지 상태 ... 49
   3-2 Schr<?import namespace ... m ur
   3-3 깊은 포텐셜 우물에 갇힌 전자 ... 53
   3-4 전자의 상태밀도 ... 56
   3-5 주기적 포텐셜안의 전자 ... 59
   3-6 결정 내 전자의 운동 ... 65
   3-7 반도체의 band 구조 ... 67
④ 반도체의 기초 이론 ... 75
   4-1 에너지 band의 개념 ... 75
   4-2 Fermi-Dirac 분포함수 ... 77
   4-3 진성 반도체 ... 79
   4-4 불순물 반도체 ... 83
   4-5 반도체의 전기전도 ... 89
   4-6 반도체에서의 캐리어 재결합 ... 94
   4-7 반도체의 기본 방정식 ... 99
⑤ 반도체의 접촉과 접합 ... 105
   5-1 금속과 반도체의 접촉 ... 105
   5-2 반도체의 접합 ... 112
   5-3 금속-절연체-반도체의 구조 ... 123
   5-4 반도체의 광전 현상과 발광 현상 ... 126
⑥ Si 반도체와 단체 device ... 135
   6-1 결정 성장과 평가 ... 135
   6-2 epitaxial 성장 ... 142
   6-3 SOI wafer ... 144
   6-4 Bipolar device ... 147
   6-5 MOS transistor ... 157
   6-6 광검지 device ... 162
⑦ Si device process ... 169
   7-1 process기술 ... 169
   7-2 산화 ... 170
   7-3 확산과 이온 implantation ... 175
   7-4 lithography ... 182
   7-5 etching ... 184
   7-6 CVD와 PVD ... 186
⑧ 집적 process 기술 ... 193
   8-1 bipolar device process ... 193
   8-2 n channel MOS device process ... 196
   8-3 CMOS device process ... 199
   8-4 LSI 기술의 동향 ... 203
⑨ 광물성과 device ... 211
   9-1 광학의 기초 ... 211
   9-2 반도체에서의 광 흡수 ... 213
   9-3 광전도 효과 ... 216
   9-4 광기전력 효과 ... 217
   9-5 발광 천이 ... 219
⑩ Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체와 device ... 225
   10-1 GaAs 기판의 제조 ... 225
   10-2 epitaxiay 성장기술 ... 228
   10-3 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 물성 ... 231
   10-4 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체 device ... 232
부록
   1 물리상수 ... 241
   2 Si, Ge, GaAs 및 InP 반도체의 물성 데이터 ... 241
   3 반도체에 쓰이는 주요 원소의 주기율표 ... 242
참고 도서 ... 243
연습문제 해답 ... 244
찾아보기 ... 255

더보기 닫기