목차 일부

제1장 반도체의 기초 ... 17
   제1절 반도체 재료 ... 19
      1. 반도체의 분류 ... 19
      2. 반도체의 특징 ... 20
      3. 반도체의 특성과 기능 ... 21
      4. 반도체의 성질 ... 23
      5. 실리콘(silicon)과 갈륨비소(GaAs) ... 24
      6. 진성 반도체 ......

더보기

목차 전체

제1장 반도체의 기초 ... 17
   제1절 반도체 재료 ... 19
      1. 반도체의 분류 ... 19
      2. 반도체의 특징 ... 20
      3. 반도체의 특성과 기능 ... 21
      4. 반도체의 성질 ... 23
      5. 실리콘(silicon)과 갈륨비소(GaAs) ... 24
      6. 진성 반도체 ... 25
      7. N형과 P형 반도체 ... 26
      8. 전자와 정공
   제2절 반도체의 결정 ... 29
      1. 결정 ... 29
      2. 결정의 종류 ... 31
      3. 결정 구조 ... 33
      4. 밀러 지수(miller index) ... 38
      5. 에너지의 결합 ... 41
   제3절 에너지 대 ... 45
      1. 에너지 갭 ... 45
      2. 에너지 대와 전자·정공의 발생 ... 46
      3. 집적 및 간접 결합 반도체 ... 47
      4. 불순물 반도체의 에너지 대 ... 49
   제4절 반도체의 전류 ... 56
      1. 반도체의 전기전도 ... 57
      2. 격자산란 ... 61
      3. 불순물 산란 ... 63
      4. 홀 효과 ... 64
      5. 확산 운동 ... 66
      6. 열생성과 재결합 ... 68
      7. 과잉 소수 캐리어 ... 72
   복습문제 ... 75
   연구문제 ... 79
제2장 반도체의 기본 소자 ... 83
   제1절 PN 접합 다이오드 ... 85
      1. PN 접합의 형성 ... 85
      2. 접촉전위차 ... 87
      3. 공간 전하 영역 ... 89
      4. 정류 특성 ... 95
      5. 공간 전하 영역의 변화 ... 97
      6. 다이오드의 접합 용량 ... 99
      7. 절연 파괴 현상 ... 104
   제2절 바이폴러 트랜지스터 ... 110
      1. 구조와 동작 ... 110
      2. 전류증폭 ... 111
      3. 전류 성분 ... 113
      4. 전류증폭률의 결정 ... 116
      5. 이미터 접지 방식의 동작 ... 118
      6. 트랜지스터에서 발생하는 현상 ... 119
   제3절 MOS형 전계 효과 트랜지스터 ... 123
      1. MOS 구조 ... 123
      2. MOS 구조의 동작 ... 124
      3. MOS 구조의 에너지 대 ... 125
      4. MOSFET의 동작 ... 131
      5. MOSFET의 특성 ... 136
   제4절 MOSFET의 접지 방식 ... 143
      1. 소스 공통 ... 144
      2. 드레인 공통 ... 145
      3. 게이트 공통 ... 145
   제5절 CMOS의 특성 ... 147
   복습문제 ... 151
   연구문제 ... 157
제3장 반도체의 제조 공정 ... 159
   제1절 집적회로 기술 ... 161
      1. 집적회로 기술의 발전 ... 161
   제2절 집적회로의 제작 ... 165
      1. 반도체 소자의 제조 개요 ... 165
      2. 반도체 웨이퍼의 가공 ... 166
   제3절 집적회로의 설계 ... 168
      1. 설계의 흐름 ... 169
      2. CAD의 역할 ... 169
   제4절 웨이퍼 프로세스 ... 172
      1. 웨이퍼 프로세스의 분류 ... 172
      2. 프로세스의 단위 공정 ... 173
      3. 웨이퍼 프로세서의 흐름 ... 186
      4. MOS 소자의 프로세스 ... 190
   제5절 조립 프로세스 ... 200
      1. 조립 공정의 개요 ... 200
      2. 조립 공정의 과정 ... 202
   복습문제 ... 205
   연구문제 ... 209
제4장 개별 반도체 소자 ... 210
   제1절 전력 소자(power device) ... 213
   제2절 여러 가지 다이오드 ... 214
      1. 검파기 ... 214
      2. 정전압 다이오드 ... 216
      3. 가변 용량 다이오드 ... 218
      4. 건(Gunn) 효과 다이오드 ... 219
      5. IMPATT 다이오드 ... 223
      6. 제너 다이오드 ... 224
   제3절 사이리스터 ... 228
      1. PNPN 접합 ... 228
      2. 실리콘 제어 정류기 ... 229
      3. 실리콘 제어 스위치(SCS) ... 234
      4. GTO 사이리스터 ... 235
      5. DIAC과 TRIAC ... 236
   제4절 바이폴러 트랜지스터의 특성 ... 239
      1. 증폭회로 ... 239
      2. 트랜지스터의 특성 ... 246
   제5절 MOSFET의 회로 ... 257
      1. 증폭회로 ... 257
      2. MOS 논리 회로 ... 258
      3. 전력용 MOSFET ... 262
      4. IGBT의 구조와 특성 ... 266
      5. 신뢰성 기술 ... 270
   복습문제 ... 273
   연구문제 ... 276
제5장 아날로그 소자 ... 279
   제1절 아날로그 IC ... 281
      1. 여러 가지 분야에 적용 ... 282
      2. 특정 분야에 적용 ... 282
   제2절 아날로그 소자의 설계 ... 283
      1. 기획과 사양 결정 ... 283
      2. 회로 및 논리 설계 ... 284
      3. 패턴 레이아웃 설계 ... 285
      4. 평가 공정 ... 286
   제3절 아날로그 IC의 구조 ... 287
      1. 소자 간 분리 ... 287
      2. 저항 ... 290
      3. 커패시터(capacitor) ... 291
   제4절 MOS형 아날로그 IC ... 292
   제5절 BiCMOS의 프로세스 ... 294
      1. BiCMOS 프로세스의 특징 ... 294
      2. BiCMOS의 구조와 종류 ... 294
   제6절 아날로그 IC의 응용 ... 295
      1. 바이폴러 아날로그 IC ... 296
      2. CMOS 아날로그 IC ... 297
      3. BiCMOS 아날로그 IC ... 305
   복습문제 ... 308
   연구문제 ... 312
제6장 논리 소자 ... 313
   제1절 논리 IC의 기본적인 특성 ... 315
      1. 전달 특성 ... 315
   제2절 표준 논리 IC ... 318
      1. DTS(Diode Transistor Logic) ... 319
      2. TTL ... 320
      3. MOS 논리 IC ... 324
      4. BiCMOS(Bipolar+CMOS) ... 328
      5. ECL ... 329
   제3절 반주문형 IC ... 333
      1. PLD／FPGA ... 333
      2. 게이트 어레이 ... 335
      3. 셀 기반의 IC ... 337
   제4절 완전 주문형 논리 IC ... 338
   제5절 마이크로프로세서 ... 338
      1. 마이크로프로세서의 이해 ... 338
      2. 마이크로프로세서의 CPU 구조 ... 340
      3. 1칩 마이크로컴퓨터 ... 350
   복습문제 ... 352
   연구문제 ... 355
제7장 반도체 메모리 ... 357
   제1절 메모리의 발전과 분류 ... 359
      1. 메모리의 발전 ... 359
      2. 메모리의 분류 ... 359
      3. 메모리의 종류와 기능 ... 361
   제2절 메모리의 구성 ... 365
      1. 커패시터와 디지털 회로의 이해 ... 365
      2. 메모리IC의 핀(pin) ... 367
      3. 메모리의 기본 구성 ... 368
      4. 패키지의 소형화 ... 371
   제3절 메모리의 동작 ... 372
      1. DRAM의 동작 ... 373
      2. SRAM의 동작 ... 382
      3. 마스크 ROM의 동작 ... 386
      4. PROM의 동작 ... 389
   제4절 메모리의 응용 분야 ... 399
      1. 컴퓨터와 메모리의 관계 ... 399
      2. 반도체 메모리의 비교 ... 399
      3. 메모리의 응용 ... 401
   복습문제 ... 403
   연구문제 ... 407
제8장 특수 반도체 소자 ... 409
   제1절 광 다이오드 ... 411
   제2절 광 트랜지스터 ... 412
   제3절 발광다이오드 ... 414
      1. 발광다이오드의 용도 ... 414
      2. 발광다이오드의 구조 ... 415
      3. 7-세그먼트 LED 디스플레이 ... 418
   제4절 태양전지 ... 420
      1. 태양 전지의 용도 ... 420
      2. 태양 전지의 종류 및 구조 ... 421
   제5절 반도체 레이저 ... 423
      1. 반도체 레이저의 용도 ... 424
      2. 반도체 레이저의 구조 ... 424
   제6절 단일접합 트랜지스터 ... 425
   제7절 프로그래머블 단일 접합 트랜지스터 ... 427
   제8절 SUS와 SBS ... 429
   복습문제 ... 430
   연구문제 ... 432
제9장 정보 디스플레이 소자 ... 435
   제1절 정보 디스플레이의 개요 ... 437
      1. 디스플레이의 구성 요소 ... 437
      2. 디스플레이의 개발 ... 440
      3. 디스플레이의 종류와 특성 ... 443
   제2절 액정 디스플레이(LCD) ... 451
      1. 액정(liquid crystal)의 종류 ... 451
      2. 액정의 표시 ... 456
   제3절 액정 재료 ... 459
      1. 액정 분자의 기본 구조 ... 459
      2. 디스플레이와 액정 재료 ... 460
      3. STN 액정 재료 ... 462
      4. TFT 액정 재료 ... 463
      5. 강유전성 액정과 반강유전성 액정 재료 ... 464
      6. 액정디스플레이의 용도 ... 467
   제4절 액정의 동작 ... 468
      1. 액정 분자의 배열 ... 468
      2. 액정의 전압 응답 ... 471
      3. 프리틸트 각 ... 472
      4. TN 모드 ... 474
      5. 액정의 편광 ... 476
      6. 매트릭스 표시 ... 479
      7. 액정의 표시 방법 ... 482
      8. 능동형 매트릭스 표시의 구조 ... 484
      9. TFT의 구조 ... 486
      10. TFT의 제조 방법 ... 488
      11. 컬러 표시의 구조 ... 490
      12. 액정 패널 ... 493
      13. 박형(薄型) 후면광(後面光) ... 497
      14. 액정 디스플레이의 전체 구성 ... 498
      15. 표시 성능 ... 500
   제5절 플라스마 디스플레이 ... 501
      1. 동작 원리 ... 502
      2. 구성 요소 및 재료 ... 506
   복습문제 ... 508
   연구문제 ... 512
부록 ... 513
복습문제 해답 ... 523
참고문헌 ... 531
찾아보기 ... 533

더보기 닫기