목차 일부
저자 및 역자 소개 ... 4
역자 머리말 ... 5
저자 머리말 ... 8
기본 단위 ... 10
학습 로드맵 ... 11
강의 계획 ... 12
강의 보조 자료 및 참고 자료 ... 13
Chapter 01 반도체 내의 전자와 정공
01 실리콘 결정 구조 ... 22
02 전자와 정공의 결합 모델 ... 25
03 에너지 밴드 모델 .....
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목차 전체
저자 및 역자 소개 ... 4
역자 머리말 ... 5
저자 머리말 ... 8
기본 단위 ... 10
학습 로드맵 ... 11
강의 계획 ... 12
강의 보조 자료 및 참고 자료 ... 13
Chapter 01 반도체 내의 전자와 정공
01 실리콘 결정 구조 ... 22
02 전자와 정공의 결합 모델 ... 25
03 에너지 밴드 모델 ... 29
04 반도체, 절연체, 도체 ... 33
05 전자 및 정공 ... 35
06 상태 밀도 ... 38
07 열적 평형상태와 페르미 함수 ... 39
08 전자와 정공의 농도 ... 43
09 n과 p의 일반적 이론 ... 49
10 극고온과 극저온에서의 캐리어 농도 ... 53
11 장 요약 ... 55
연습문제 ... 56
참고문헌 ... 61
Chapter 02 전자 및 정공의 운동과 재결합
01 열 운동 ... 64
02 드리프트 ... 67
03 확산 전류 ... 75
04 에너지 다이어그램과 V, ●간의 관계 ... 77
05 D와 μ 간의 아인슈타인 관계식 ... 78
06 전자-정공 재결합 ... 80
07 열 생성 ... 83
08 유사 평형상태와 의사 페르미 준위 ... 83
09 장 요약 ... 86
연습문제 ... 88
참고문헌 ... 91
Chapter 03 소자 제조 기술
01 소자 제조에 대한 서론 ... 94
02 실리콘의 산화 ... 96
03 리소그래피 ... 99
04 패턴 전사 - 에칭 ... 104
05 도핑 ... 106
06 도펀트 확산 ... 110
07 박막 증착 ... 112
08 상호 연결 - 후미 공정 ... 117
09 테스팅, 조립, 그리고 검정 ... 121
10 장 요약 - 소자 제조 예 ... 122
연습문제 ... 124
참고문헌 ... 128
Chapter 04 PN 접합과 금속-반도체 접합
Part 1 PN 접합
01 PN 접합 이론의 기초적 요소 ... 131
02 공핍층 모델 ... 135
03 역 바이어스된 PN 접합 ... 139
04 커패시턴스 - 전압 특성 ... 141
05 접합 항복 ... 143
06 정 바이어스 상태에서 캐리어 주입 - 유사평형 경계 조건 ... 148
07 전류 연속 방정식 ... 151
08 정 바이어스된 PN 접합에서 과잉 캐리어 ... 153
09 PN 다이오드 IV 특성 ... 156
10 전하 축적 ... 161
11 다이오드의 소신호 모델 ... 161
Part 2 광전 소자에의 응용
12 태양전지 ... 162
13 발광 다이오드와 고체 조명 ... 171
14 다이오드 레이저 ... 176
15 광 다이오드 ... 181
Part 3 금속-반도체 접합
16 쇼트키 장벽 ... 182
17 열전자 방출 이론 ... 187
18 쇼트키 다이오드 ... 188
19 쇼트키 다이오드의 응용 ... 190
20 양자 역학적 터널링 ... 192
21 옴성 접촉 ... 193
22 장 요약 ... 197
연습문제 ... 202
참고문헌 ... 213
Chapter 05 MOS 커패시터
01 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압 ... 217
02 표면 축적 ... 219
03 표면 공핍 ... 221
04 문턱 조건 및 문턱 전압 ... 222
05 문턱 조건 이후의 강반전 ... 225
06 MOS 커패시터의 C-V 특성 ... 229
07 산화막 전하 - Vfb와 Vt의 변경 ... 234
08 폴리실리콘 게이트 공핍 - 유효 Tox ... 236
09 반전 및 축적 전하층 두께와 양자역학적 효과 ... 239
10 CCD 및 CMOS 화상기 ... 242
11 장 요약 ... 249
연습문제 ... 252
참고문헌 ... 261
Chapter 06 MOS 트랜지스터
01 MOSFET의 소개 ... 264
02 상보형 MOS(CMOS) 기술 ... 266
03 표면 이동도와 고이동도 FET ... 270
04 MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑 ... 277
05 MOSFET의 Qinv ... 281
06 기본적인 MOSFET IV 모델 ... 282
07 CMOS 인버터 - 회로의 예 ... 285
08 속도 포화 ... 291
09 속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델 ... 293
10 기생 소오스 - 드레인 저항 ... 298
11 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출 ... 299
12 속도 오버슛과 소오스 속도 한계 ... 302
13 출력 컨덕턴스 ... 303
14 고주파 성능 ... 305
15 MOSFET 잡음 ... 307
16 SRAM, DRAM, 비휘발성(플래시) 메모리 소자들 ... 313
17 장 요약 ... 322
연습문제 ... 326
참고문헌 ... 338
Chapter 07 집적회로에서의 MOSFET - 축소화, 누설전류 및 다른 토픽
01 소자 축소화 - 가격, 속도 및 전력 소모 ... 342
02 문턱전압 이하 전류 - "OFF"는 완전한 "OFF"가 아니다 ... 346
03 Vt 감소(롤 오프) - 단채널 MOSFET이 심한 누설전류를 갖는다 ... 350
04 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설전류 ... 354
05 Wdep을 줄이는 방법 ... 357
06 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET ... 360
07 Ion과 Ioff의 절충 및 제조를 위한 설계 ... 362
08 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET ... 364
09 출력 컨덕턴스 ... 370
10 소자 및 공정 시뮬레이션 ... 372
11 회로 시뮬레이션을 위한 MOSFET 콤팩트 모델 ... 372
12 장 요약 ... 375
연습문제 ... 376
참고문헌 ... 379
Chapter 08 바이폴라 트랜지스터
01 BJT 입문 ... 382
02 컬렉터 전류 ... 384
03 베이스 전류 ... 388
04 전류 이득 ... 390
05 컬렉터 전압에 의한 베이스 폭 변조 ... 395
06 에버스-몰 모델 ... 398
07 천이 시간과 전하 저장 ... 400
08 소신호 모델 ... 405
09 컷오프 주파수 ... 408
10 전하 제어 모델 ... 410
11 대신호 회로 시뮬레이션을 위한 모델 ... 412
12 장 요약 ... 415
연습문제 ... 418
참고문헌 ... 424
부록
부록 Ⅰ 상태 밀도의 유도 ... 425
부록 Ⅱ 페르미-디락 분포함수의 유도 ... 429
부록 Ⅲ 소수 캐리어 가정의 일관성 ... 435
찾아보기 ... 439
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