목차 일부

저자 서문 = ⅶ
역자 서문 = ⅸ
01 마이크로 전자 분야에서 박막의 응용 = 1
  1.1 서론 = 1
  1.2 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터 소자 = 1
    1.2.1 자기 정렬 실리사이드 또는 샐리사이드 접점과 게이트 = 6
  1.3 플립칩 기술에서 박막 언더 범프 금속층 = 8
  1.4 왜 우리의 컴퓨터에서는 신뢰성...

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저자 서문 = ⅶ
역자 서문 = ⅸ
01 마이크로 전자 분야에서 박막의 응용 = 1
  1.1 서론 = 1
  1.2 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터 소자 = 1
    1.2.1 자기 정렬 실리사이드 또는 샐리사이드 접점과 게이트 = 6
  1.3 플립칩 기술에서 박막 언더 범프 금속층 = 8
  1.4 왜 우리의 컴퓨터에서는 신뢰성 문제가 일어나지 않는가? = 12
  1.5 마이크로에서 나노 전자 기술로의 전환과 동향 = 13
  1.6 무어의 법칙의 종언이 마이크로 전자기술에 미치는 영향 = 13
  참고문헌 = 14
02 박막 증착 = 15
  2.1 서론 = 15
  2.2 박막 증착에서 플럭스 식 = 17
  2.3 박막 증착 속도 = 18
  2.4 이상기체 상태방정식 = 19
  2.5 기체 분자의 운동에너지 = 21
  2.6 표면에서 열 평형 플럭스 = 22
  2.7 초고진공이 증착된 박막의 순도에 미치는 영향 = 22
  2.8 가스 분자의 충돌 빈도 수 = 23
  2.9 볼츠만 속도 분포함수와 이상기체 법칙 = 24
  2.10 기체 분자의 맥스웰 속도 분포함수와 운동에너지 = 26
  2.11 박막의 미세구조에 영향을 미치는 핵 생성과 성장의 변수 = 29
  참고문헌 = 31
  연습문제 = 31
03 표면에너지 = 33
  3.1 서론 = 33
  3.2 쌍 에너지, 원자 결합에너지와 결합에너지 = 34
  3.3 짧은 범위 상호작용과 준-화학 가정 = 36
  3.4 표면에너지와 잠열 = 39
  3.5 표면장력 = 40
  3.6 모세관 효과를 이용한 액상 표면에너지 측정 = 42
  3.7 제로 크립을 이용한 고체 표면에너지 측정 = 45
  3.8 표면에너지 계통 = 48
  3.9 표면에너지의 크기 = 49
    3.9.1 열역학적 접근법 = 50
    3.9.2 역학적 접근 = 51
    3.9.3 원자적인 접근 방법 = 54
  3.10 표면 구조 = 56
    3.10.1 결정학 및 표기 = 56
    3.10.2 방향과 면 = 59
    3.10.3 표면 재구성 = 60
  참고문헌 = 62
  연습문제 = 63
04 고체에서 원자 확산 = 67
  4.1 서론 = 67
  4.2 점프 주파수와 확산 플럭스 = 68
  4.3 Fick의 제1법칙(플럭스 식) = 72
  4.4 확산도 = 73
  4.5 Fick의 제2법칙(연속방정식) = 74
    4.5.1 연속방정식의 유도 = 77
  4.6 확산방정식의 해 = 80
  4.7 확산계수 = 82
  4.8 확산계수의 계산 = 83
  4.9 확산계수에서 변수 = 86
    4.9.1 원자 진동 주파수 = 86
    4.9.2 활성화에너지 = 89
    4.9.3 지수 앞 인자 = 90
  참고문헌 = 93
  연습문제 = 94
05 확산방정식의 응용 = 97
  5.1 서론 = 97
  5.2 Fick의 제1법칙 응용(플럭스 방정식) = 98
    5.2.1 평면 석출물의 Zener 성장 모델 = 98
    5.2.2 적층 박막에서 평면 성장의 Kidson 분석 = 100
  5.3 Fick의 제2법칙(확산방정식) = 105
    5.3.1 조성 균질화에서 미치는 확산의 영향 = 105
    5.3.2 벌크 확산 쌍에서 상호확산 = 107
  5.4 고체 석출물 성장의 분석 = 121
    5.4.1 구형 석출물 성장에서 Ham 모델(일정한 Cr인 경우) = 123
    5.4.2 평균장의 고찰 = 125
    5.4.3 조대화에 의한 구형 나노입자의 성장 = 127
  참고문헌 = 131
  연습문제 = 131
06 박막에서 탄성응력과 변형률 = 133
  6.1 서론 = 133
  6.2 탄성응력 - 변형 관계 = 136
  6.3 변형에너지 = 139
  6.4 박막에서 이축응력 = 140
  6.5 박막에서 이축응력의 Stoney 방정식 = 144
  6.6 AI 박막 내에 존재하는 열응력의 측정 = 147
  6.7 Stoney 식의 열팽창 측정 응용 = 150
  6.8 비조화성과 열팽창 = 151
  6.9 박막에서 고유응력의 기원 = 151
  6.10 불일치 전위의 탄성에너지 = 152
  참고문헌 = 155
  연습문제 = 155
07 박막에서 표면 반응 속도론 과정 = 159
  7.1 서론 = 159
  7.2 표면 흡착원자 = 161
  7.3 표면 상의 평형 증기압 = 163
  7.4 표면 확산 = 165
  7.5 호모에피택시에서 단차를 매개로 한 성장 = 168
  7.6 비정질 박막의 증착과 성장 = 172
  7.7 호모에피택시 성장 모드 = 172
  7.8 표면 디스크 형태의 균질 핵 생성 = 175
  7.9 패턴된 표면에서 물질 수송 = 179
    7.9.1 패턴된 표면 위에서 확산의 초기 단계 = 179
    7.9.2 패턴된 구조에서 물질이동의 후 단계 = 181
  7.10 표면에서 반구 입자의 조대화 = 184
  참고문헌 = 188
  연습문제 = 188
08 박막에서 상호확산과 반응 = 191
  8.1 서론 = 191
  8.2 실리사이드 형성 = 193
    8.2.1 순차 Ni 실리사이드 형성 = 193
    8.2.2 실리사이드 형성에서 첫 번째 상 = 199
  8.3 박막 반응에서 계면 반응 제어 성장의 반응 속도론 = 201
  8.4 두 층 상의 경쟁 성장 속도론 = 207
  8.5 금속간 화합물 형성에서 마커 분석 = 209
  8.6 금속 단일층과 Si 웨이퍼의 반응 = 211
  참고문헌 = 212
  연습문제 = 212
09 결정립계 확산 = 215
  9.1 서론 = 215
  9.2 결정립계 확산과 벌크 확산의 비교 = 217
  9.3 결정립계 확산의 Fisher 분석 = 221
    9.3.1 침투 깊이 = 224
    9.3.2 잘라낸 절편의 분석 = 224
  9.4 결정립계 확산의 Whipple 분석 = 226
  9.5 소각 결정립계에서 확산 = 230
  9.6 확산에 의한 결정립계의 이동 = 231
  참고문헌 = 234
  연습문제 = 235
10 배선과 패키징 기술에서 비가역 과정 = 237
  10.1 서론 = 237
  10.2 플럭스 식 = 239
  10.3 엔트로피 생성 = 241
    10.3.1 열 전도 = 242
    10.3.2 원자 확산 = 243
    10.3.3 전기 전도 = 244
  10.4 온도에 따른 짝 구동력 = 245
    10.4.1 원자 확산 = 246
    10.4.2 전기 전도 = 247
  10.5 Joule 열 = 248
  10.6 일렉트로마이그레이션, 써모마이그레이션 그리고 응력마이그레이션 = 249
  10.7 일렉트로마이그레이션에서 비가역 과정 = 250
    10.7.1 AI 배선 조각에서 일렉트로마이그레이션과 크립 = 252
  10.8 써모마이그레이션에서 비가역 과정 = 255
    10.8.1 전력이 인가되지 않은 복합재료 솔더 조인트에서 써모마이그레이션 = 256
  10.9 열전기 효과의 비가역적 과정 = 259
    10.9.1 Thomson 효과와 Seebeck 효과 = 260
    10.9.2 Peltier 효과 = 261
  참고문헌 = 262
  연습문제 = 262
11 금속에서 일렉트로마이그레이션 = 263
  11.1 서론 = 263
  11.2 Ohm의 법칙 = 268
  11.3 금속 배선에서 일렉트로마이그레이션 = 269
  11.4 일렉트로마이그레이션의 전자 풍력 = 272
  11.5 유효 전하 수의 계산 = 276
  11.6 후방 응력의 효과와 임계 길이, 임계 곱 그리고 유효 전하 수의 측정 = 278
  11.7 왜 AI 배선에 후방 응력이 존재하는가? = 279
  11.8 일렉트로마이그레이션에 의한 후방 응력의 측정 = 282
  11.9 전류 집중 = 284
  11.10 일렉트로마이그레이션의 전류밀도 기울기 구동력 = 286
  11.11 베타 Sn의 비등방성 전도체에서 일렉트로마이그레이션 = 289
  11.12 비등방성 도체에서 결정립계의 일렉트로마이그레이션 = 293
  11.13 AC 일렉트로마이그레이션 = 295
  참고문헌 = 296
  연습문제 = 297
12 AI과 Cu 배선에서 일렉트로마이그레이션에 의한 파괴 = 299
  12.1 서론 = 299
  12.2 원자 플럭스 발산에 기인한 일렉트로마이그레이션 파괴 = 300
  12.3 전류 집중에 의한 일렉트로마이그레이션 파괴 = 301
    12.3.1 저전류밀도 영역에서 공동 형성 = 302
  12.4 AI 배선에서 일렉트로마이그레이션에 기인한 파괴 = 306
    12.4.1 일렉트로마이그레이션에 미치는 AI의 미세구조 영향 = 306
    12.4.2 다층 AI 배선과 W 비아에서 마모 파괴 모드 = 306
    12.4.3 AI 일렉트로마이그레이션에 미치는 Cu 용질의 영향 = 307
    12.4.4 AI 배선에서 평균 고장 수명 = 307
  12.5 Cu 배선에서 일렉트로마이그레이션에 의한 파괴 = 309
    12.5.1 일렉트로마이그레이션에 미치는 미세구조 영향 = 311
    12.5.2 일렉트로마이그레이션에 미치는 용질의 영향 = 313
    12.5.3 일렉트로마이그레이션에 미치는 응력의 영향 = 316
    12.5.4 일렉트로마이그레이션에 미치는 나노트윈의 영향 = 317
  참고문헌 = 318
  연습문제 = 319
13 써모마이그레이션 = 321
  13.1 서론 = 321
  13.2 SnPb 플립칩 솔더 조인트에서 써모마이그레이션 = 323
    13.2.1 전력이 인가되지 않은 복합재료 솔더 조인트에서 써모마이그레이션 = 323
    13.2.2 써모마이그레이션 실시간 관찰 = 324
    13.2.3 두 개의 상을 갖는 공정 구종서 상 분리 무작위 상태 = 326
    13.2.4 전력이 인가되지 않은 공정 SnPb 솔더 조인트에서 써모마이그레이션 = 328
  13.3 써모마이그레이션의 분석 = 330
    13.3.1 써모마이그레이션의 구동력 = 332
    13.3.2 공정 두 개의 상 합금에서 써모마이그레이션 = 334
  13.4 플립칩 솔더 조인트에서 DC 또는 AC 인가 시 써모마이그레이션 = 335
  13.5 무연 플립칩 솔더 조인트에서 써모마이그레이션 = 337
  13.6 모연 플립칩 솔더 조인트에서 써모마이그레이션과 크립 = 338
  참고문헌 = 341
  연습문제 = 341
14 박막에서 응력마이그레이션 = 343
  14.1 서론 = 343
  14.2 응력이 인가된 고체에서 화학 포텐셜 = 345
  14.3 확산 크립(Nabarro-Herring 방정식) = 347
  14.4 인장응력에 의해 구동되는 AI 배선에서 공동 형성 = 352
  14.5 압축응력에 의해 구동되는 Sn／Cu 박막에서 휘스커 성장 = 354
    14.5.1 자발적인 Sn 휘스커 성장 형태 = 354
    14.5.2 Sn 휘스커 성장에서 응력 발생(구동력) = 359
    14.5.3 응력 기울기 생성에 미치는 표면 Sn 산화물의 영향 = 361
    14.5.4 싱크로트론 방사 미세 회절에 의한 응력 분포 측정 = 364
    14.5.5 크립에 의한 응력 이완 : Sn 휘스커 성장에서 균열된 산화물 모델 = 368
  참고문헌 = 371
  연습문제 = 371
15 신뢰성 과학과 분석 = 373
  15.1 서론 = 373
  15.2 등부피 과정과 비등부피 과정 = 374
  15.3 비가역 과정에서 물질이동 발산에 미치는 격자이동의 효과 = 375
    15.3.1 작동 전 소자 구조체에서 전류밀도, 온도 그리고 화학 포텐셜의 초기 분포 = 375
    15.3.2 소자 동작 동안 분포의 변화 = 377
    15.3.3 물질 플럭스 발산에 미치는 격자이동 효과 = 378
  15.4 플립칩 솔더 조인트에서 일렉트로마이그레이션 고장의 물리적 분석 = 379
    15.4.1 한 쌍의 조인트에서 전류밀도 분포 = 379
    15.4.2 한 쌍의 조인트에서 온도의 분포 = 381
    14.4.3 팬케이크 형태 공동 성장에 미치는 전류 집중 효과 = 384
  15.5 플립칩 솔더 조인트에서 일렉트로마이그레이션 파괴의 통계학적 분석 = 388
    15.5.1 고장 시간과 Weibull 분포 = 393
    15.5.2 Black MTTF 식의 변수 계산 = 395
    15.5.3 플립칩 솔더 조인트에 대한 Black 식의 보정 = 396
    15.5.4 Weibull 분포함수와 상 변태의 JMA 식 = 398
    15.5.5 고장 통계 분포의 물리적 분석 = 400
  15.6 전산모사 = 400
  참고문헌 = 401
  연습문제 = 401
부록 A. 열역학 함수의 간략한 검토 = 403
부록 B. 고체 내에서 결함 농도 = 407
부록 C. Huntingon의 전자 풍력 유도 = 409
부록 D. 탄성계수 표와 변환 = 415
부록 E. Si MBE에서 테라스 크기 분포 = 423
부록 F. 상화확산계수 = 429
부록 G. 물리적 성질표 = 433
찾아보기 = 437

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