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Behavior of Highly Te doped InGaAs

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자료유형학위논문
서명/저자사항Behavior of Highly Te doped InGaAs.
개인저자Kennon, Ethan Lowell.
단체저자명University of Florida. Materials Science and Engineering.
발행사항[S.l.]: University of Florida., 2017.
발행사항Ann Arbor: ProQuest Dissertations & Theses, 2017.
형태사항165 p.
기본자료 저록Dissertation Abstracts International 79-11B(E).
Dissertation Abstract International
ISBN9780438120655
학위논문주기Thesis (Ph.D.)--University of Florida, 2017.
일반주기 Source: Dissertation Abstracts International, Volume: 79-11(E), Section: B.
요약The exponential growth of semiconductor technology has allowed it to reach the prevalence that we see today. In order for growth to continue, new materials such as InGaAs will be needed, but the contact resistivity of these materials is troubles
일반주제명Materials science.
Engineering.
Electrical engineering.
언어영어
바로가기URL : 이 자료의 원문은 한국교육학술정보원에서 제공합니다.

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