대구한의대학교 향산도서관

상세정보

부가기능

Reliability Studies in Silicon Carbide and Silicon Power Mosfets

상세 프로파일

상세정보
자료유형학위논문
서명/저자사항Reliability Studies in Silicon Carbide and Silicon Power Mosfets.
개인저자Ghosh, Amartya Kumar.
단체저자명The Pennsylvania State University.
발행사항[S.l.]: The Pennsylvania State University., 2022.
발행사항Ann Arbor: ProQuest Dissertations & Theses, 2022.
형태사항124 p.
기본자료 저록Dissertations Abstracts International 84-02B.
Dissertation Abstract International
ISBN9798841572107
학위논문주기Thesis (Ph.D.)--The Pennsylvania State University, 2022.
일반주기 Source: Dissertations Abstracts International, Volume: 84-02, Section: B.
Advisor: Awadelkarim, Osama O. .
이용제한사항This item must not be sold to any third party vendors.
일반주제명Receivers & amplifiers.
Disadvantages.
Physics.
Silicon carbide.
Electrodes.
Oxidation.
Semiconductors.
Electric fields.
Circuits.
Diffusion.
Transistors.
Electrical engineering.
Engineering.
언어영어
바로가기URL : 이 자료의 원문은 한국교육학술정보원에서 제공합니다.

서평(리뷰)

  • 서평(리뷰)

태그

  • 태그

나의 태그

나의 태그 (0)

모든 이용자 태그

모든 이용자 태그 (0) 태그 목록형 보기 태그 구름형 보기
 
로그인폼