대구한의대학교 향산도서관

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Co-existence of Random Telegraph Noise and Single-Hole-Tunneling State in Gate-All-Around PMOS Silicon Nanowire Field-Effect-Transistors: / 홍병학 이성주 황성우 조근희 여경환 김동원 진교영 박동건 / Institute of Electronics Engineers of Korea / Journal of Semiconductor Technology and Science / 2011 /
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