대구한의대학교 향산도서관

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3.3V 동작 68%효율,디지털 휴대전화기용 고효율 GaAs MESFET 전력소자 특성 / 이종현 김해천 천재경 / 대한전자공학회 / 전자 공학회 논문지(A) / 1995 /
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