대구한의대학교 향산도서관

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드레인 전압 종속 게이트-벌크 MOSFET 캐패시턴스 추출 데이터를 사용한 측면 채널 도핑 분포 측정: / 최민권 김주영 이성현 / 대한전자공학회 / 전자공학회논문지 - SD / 2011 /
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