대구한의대학교 향산도서관

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Effects of a highly Si-doped GaN current spreading layer at the n+ -GaN/multi-quantum-well interface on InGaN/GaN bule-light-emitting diodes : / 김C.S. 조H.K. 최R.J. 한Y.B. 이H.J. 홍C.-H. / 한국물리학회 / Journal of the Korean Physical Society / 2004 /
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