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1.
서명
敬山遺稿  미리보기
저자
권상직
출판사
대보사
청구기호
810.819 권상직ㄱ
출판년
2018
자료유형
단행본 단행본
소장처
삼성캠퍼스 대출가능 열기
2.
서명
MgO 보호막의 결함 전위 레벨이 AC-PDP 방전 특성에 미치는 효과:  미리보기
저자
권상직 김용재 조의식
출판사
대한전자공학회
청구기호
전자공학회논문지 - SD
출판년
2007
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
3.
서명
증착된 비정질 실리콘층을 통한 As-Preamorphization 방법으로 형성된 소오스/드레인을 갖는 deep submicron PMOSFET의 제작  미리보기
저자
권상직 김여환 신영화
출판사
대한전자공학회
청구기호
전자 공학회 논문지(A)
출판년
1995
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
4.
서명
실리사이드화된 극저층 p+-n 접합형성 기술의 개발  미리보기
저자
권상직
출판사
경원대학교
청구기호
논문집(경원대)
출판년
1993
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
5.
서명
아르곤 이온에 의해 표면처리된 CNT 에미터의 전계방출 특성:  미리보기
저자
권상직
출판사
대한전자공학회
청구기호
전자공학회논문지 - IE
출판년
2007
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
6.
서명
고효율 PDP 제작을 위한 지농 인라인 실장에서의 초기 진공도에 따른 방전특성 분석:  미리보기
저자
권상직 장찬규 김용재
출판사
한국진공학회
청구기호
韓國眞空學會誌
출판년
2006
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
7.
서명
고효율 PDP를 위한 진공 인라인 실장에서의 MgO 보호막 영향분석:  미리보기
저자
권상직 장찬규
출판사
한국전기전자재료학회
청구기호
전기 전자 재료 학회 논문지
출판년
2005
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
8.
서명
스크린 프린팅 방법에 의해 게이트-에미터간 자체정렬된 3극 구조의 CNT FEA 제조:  미리보기
저자
권상직
출판사
한국전기전자재료학회
청구기호
전기 전자 재료 학회 논문지
출판년
2006
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
9.
서명
Operational PDP fabrication by using a fully vacuum in-line sealing technology  미리보기
저자
권상직 홍건조 성정호
출판사
한국물리학회
청구기호
Journal of the Korean Physical Society
출판년
2000
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
10.
서명
Variation in the properties of ZnO:Al films grown by using atomic layer deposition with the precursor-pulse ratio:  미리보기
저자
권상직 이현재 서용원 정흔섭
출판사
한국물리학회
청구기호
Journal of the Korean Physical Society
출판년
2003
자료유형
NotFound 저널기사
소장처
 
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